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BB403M
打造偏置电路MOS FET IC
VHF / UHF射频放大器
ADE - 208-699A （ Z）
第2位。版
1998年11月
特点
打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
高正向转移导纳;
（ | YFS | = 42毫秒（典型值） ，在f = 1千赫）
承受静电放电;
打造ESD吸收二极管。承受高达250V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; MPAK - 4R （ SOT -143 VAR ）。
概要
MPAK-4R
3
4
2
1
1.源
2.漏
3. GATE2
4. GATE1
注意事项： 1，标记为“ CX- 」 。
2. BB403M是日立BBFET个别型号。
BB403M
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
7
– 0/ +7
– 0/ +7
25
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
7
+7
+7
—
—
0.3
0.5
9
35
典型值
—
—
—
—
—
0.6
0.8
14
42
最大
—
—
—
+100
+100
0.9
1.1
20
50
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
测试条件
I
D
= 200A
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10A
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10A
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5V
V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5V
V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5V, V
G2S
= 4V
I
D
= 100A
V
DS
= 5V, V
G1S
= 5V
I
D
= 100A
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
= 4V ，R
G
= 470k
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
=4V
R
G
= 470KΩ ， F = 1kHz时
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
= 4V ，R
G
= 470k
F = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
= 4V ，R
G
= 470k
噪声系数
功率增益
NF1
PG2
—
12
1.0
16.5
1.6
—
dB
dB
F = 200MHz的
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
= 4V ，R
G
= 470k
噪声系数
NF2
—
2.85
3.7
dB
F = 900MHz的
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
GATE1到源截止电流
GATE2到源截止电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
漏电流
正向转移导纳
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
PG1
2.6
1.7
—
28
3.3
2.1
0.025
32
4.0
2.5
0.05
—
pF
pF
pF
dB
2
BB403M
主要特点
测试电路用于经营项目（I
D（ OP ）
， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）
V
G2
门2
门1
R
G
V
G1
A
I
D
漏
来源
功率增益，噪声系数测试电路
V
T
1000p
V
G2
1000p
V
T
1000p
47k
Input(50)
L1
1000p
36p
1000p
47k
BBFET
L2
1000p
47k
Output(50)
最高10便士
1000p
1SV70
R
G
470k
RFC
1SV70
1000p
V
D
= V
G1
部电阻值（ Ω ）
电容（ F）
L1 :
φ1mm
漆包铜线，内部直径10mm的2Turns
L2 :
φ1mm
漆包铜线，内部直径10mm的2Turns
RFC ：
φ1mm
漆包铜线，内部直径5毫米， 2Turns
3
BB403M
900MHz的功率增益，噪声测试电路
VG1 VG2
C4
C5
VD
C6
R1
R2
C3
G2
R3
D
L3
RFC
产量
L4
输入
L1
L2
G1
S
C1
C2
C1, C2
C3
C4至C6
R1
R2
R3
:
:
:
:
:
:
可变电容（ 10pF的MAX）
磁盘电容（ 1000pF的）
空气电容（ 1000pF的）
470 k
47 k
4.7 k
L1:
10
L2:
8
26
3
3
（ φ1mm铜线）
单位：mm
10
25
L3:
7
L4:
29
10
7
18
10
RFC ：
φ1mm
铜线直径6毫米内搪瓷4turns
4
BB403M
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
25
I
D
（MA ）
18
0k
22
27
0 k
0
k
P沟（ mW）的
200
V
G2S
= 4 V
V
G1
= V
DS
20
R
150
信道功率耗散
15
100
漏电流
10
k
30
3
k
0
39
0k
47
k
0
56
k
680
G=
50
5
1 M
820 k
1.5 M
2.2 M
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
0
环境温度
1
2
3
漏源极电压
4
V
DS
(V)
5
25
I
D
（MA ）
漏电流与
漏源极电压
V
G2S
= 4 V
漏电流与
GATE1至源极电压
25
V
DS
= 5 V
I
D
（MA ）
20
3.5 V
3V
4V
2.5 V
2V
1.5 V
1.4 V
1.3 V
20
15
漏电流
1.2 V
1.1 V
1.0 V
15
1.5 V
10
漏电流
10
5
V
G1S
= 0.9 V
5
VG2S = 1 V
0
1
2
3
漏源极电压
4
V
DS
(V)
5
0
4.0
8.0
1.2
GATE1至源极电压
1.6
2.0
V
G1S
(V)
5
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