【BB304M打造偏置电路MOS FET IC超高频/甚高频射频放大器ADE - 208-605C （】,IC型号BB304M,BB304M PDF资料,BB304M经销商,ic,电子元器件-51电子网

BB304M

打造偏置电路MOS FET IC

超高频/甚高频射频放大器

ADE - 208-605C （ Z）

4 。版

1998年8月

特点

打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

高增益;

（ PG = 29 dB典型值，在f = 200兆赫）

低噪音的特点;

（ NF = 1.2 dB典型值，在f = 200兆赫）

宽电源电压范围;

适用与5V到9V电源电压。

承受静电放电;

打造ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143mod ）

概要

MPAK-4

2

3

1

4

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注：1，标记为“ DW- ” 。

2. BB304M是日立BBFET个别型号。

BB304M

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

12

+10

–0

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

±10

25

150

-55到+150

V

mA

mW

°C

单位

V

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

12

+10

±10

—

0.4

0.5

典型值

—

最大

—

+100

±100

1.0

单位

V

nA

V

测试条件

I

D

= 200μA ，V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= + 10μA ，V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

=

±10A,

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +9V, V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

=

±9V,

V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5V, V

G2S

= 4V

I

D

= 100A

V

DS

= 5V, V

G1S

= 5V

I

D

= 100A

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

GATE1源击穿电压V

(BR)G1SS

GATE2源击穿电压V

(BR)G2SS

GATE1到源截止电流

GATE2到源截止电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

2

BB304M

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

输入电容

输出电容

符号最小值

c

国际空间站

c

OSS

2.3

0.9

0.003

9

—

22

—

24

—

典型值

2.8

1.3

0.02

15

13

27

29

1.2

最大

3.6

2.0

0.05

19

—

34

—

32

—

1.9

—

单位

pF

mA

mS

dB

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V, V

G2S

= 4V

R

G

= 180k

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V, V

G2S

=6V

R

G

= 470k

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V, V

G2S

=4V

R

G

= 180kΩ ， F = 1kHz时

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V, V

G2S

=6V

R

G

= 470KΩ ， F = 1kHz时

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V, V

G2S

=4V

R

G

= 180kΩ ， F = 200MHz的

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V, V

G2S

=6V

R

G

= 470KΩ ， F = 200MHz的

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V, V

G2S

=4V

R

G

= 180kΩ ， F = 200MHz的

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V, V

G2S

=6V

R

G

= 470KΩ ， F = 200MHz的

测试条件

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V, V

G2S

=4V

R

G

= 180kΩ ， F = 1MHz的

反向传输电容C

RSS

漏电流

I

D（ OP ）

1

I

D（ OP ）

2

正向转移导纳

|y

fs

|1

|y

fs

|2

功率增益

PG1

PG2

噪声系数

NF1

NF2

3

BB304M

主要特点

测试电路用于经营项目（I

， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）

D（ OP ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

A

I

D

漏

来源

功率增益，噪声系数测试电路

V

T

1000p

V

G2

1000p

V

T

1000p

47k

输入（ 50 ）

L1

1000p

36p

1000p

47k

BBFET

L2

1000p

47k

输出（ 50 ）

最高10便士

1000p

1SV70

R

G

470k

RFC

1SV70

1000p

V

D

= V

G1

单位

@Resistance @ （）

@ @

电容

@(F)

L1 ： 1毫米漆包铜线，内部直径10mm的2Turns

L2 ： 1毫米漆包铜线，内部直径10mm的2Turns

RFC ： 1毫米漆包铜线，内部直径5毫米， 2Turns

.

4

BB304M

最大信道功率

耗散曲线

P沟（ mW）的

典型的输出特性

25

I

D

（MA ）

200

150

20

信道功率耗散

15

100

漏电流

10

50

5

R

G

W

1M

W

= 1.5 M

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

0

mbient温度

2

4

6

漏源极电压

8

10

V

DS

(V)

漏电流与

GATE2至源极电压

25

V

DS

= V

G1

= 9 V

I

D

（MA ）

漏电流与电压GATE1

25

70 k

W

I

D

（MA ）

20

2

V

DS

= 9 V

R

G

= 390 k

W

20

6V

15

5V

4V

3V

2V

5

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

GATE1电压V

G1

(V)

10

330

k

W

15

漏电流

W

390 k

470 k

W

560 k

W

680 k

W

820 k

W

1M

W

= 1.5 M

W

10

漏电流

10

5

R

G

0

1.2

2.4

3.8

GATE2至源极电压

4.8

6.0

V

G2S

(V)

W

39

33

0

k

W

k

W

82

27

V

G2S

= 6 V

V

G1

= V

DS

0k

k

W

70

4

W

0k

W

56

k

0

68

0 k

W

5

BB304M

内置偏置电路MOS FET IC

甚高频射频放大器

REJ03G0827-0600

（上ADE- 208-605D ）

Rev.6.00

Aug.10.2005

特点

内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

高增益;

（ PG = 29 dB典型值，在f = 200兆赫）

低噪音的特点;

（ NF = 1.2 dB典型值，在f = 200兆赫）

宽电源电压范围;

适用与5V到9V电源电压。

承受静电放电;

内置ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143Rmod ）

概要

瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A

（包名称： MPAK - 4 ）

2

3

1

4

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注意事项：

1.标记为“DW - ” 。

2. BB304M是RENESAS BBFET个别型号。

Rev.6.00 2005年8月10日第1页9

BB304M

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

12

+10

–0

±10

25

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

GATE1至源极击穿电压

GATE2至源极击穿电压

GATE1到源截止电流

GATE2到源截止电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

输入电容

输出电容

反向传输电容

漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

西塞

科斯

CRSS

I

D（ OP ）

1

I

D（ OP ）

2

正向转移导纳

|y

fs

|1

|y

fs

|2

功率增益

PG1

PG2

噪声系数

NF1

NF2

民

12

+10

±10

—

0.4

0.5

2.3

0.9

0.003

9

—

22

—

24

—

典型值

—

2.8

1.3

0.02

15

13

27

29

1.2

最大

—

+100

±100

1.0

3.6

2.0

0.05

19

—

34

—

32

—

1.9

—

单位

V

nA

V

pF

mA

mS

dB

测试条件

I

D

= 200

A,

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10

A,

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

=

±10 A,

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +9 V, V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

=

±9

V, V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5 V, V

G2S

= 4 V

I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1S

= 5 V

I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 180 kΩ的， F = 1兆赫

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 180 k

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V, V

G2S

= 6 V

R

G

= 470 k

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

=4 V

R

G

= 180 kΩ的中，f = 1千赫

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V, V

G2S

= 6 V

R

G

= 470 kΩ的， F = 1千赫

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 180 kΩ的， F = 200 MHz的

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V, V

G2S

= 6 V

R

G

= 470 kΩ的， F = 200 MHz的

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 180 kΩ的， F = 200 MHz的

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V, V

G2S

=6 V

R

G

= 470 kΩ的， F = 200 MHz的

Rev.6.00 2005年8月10日第2 9

BB304M

主要特点

测试电路用于经营项目（I

D（ OP ）

， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

A

I

D

漏

来源

200MHz的功率增益，噪声系数测试电路

V

T

1000p

V

G2

1000p

V

T

1000p

47k

Input(50

)

1000p

36p

L1

1000p

47k

BBFET

L2

1000p

47k

Output(50

)

最高10便士

1000p

1SV70

R

G

470k

RFC

1SV70

1000p

V

D

= V

G1

单位：电阻（

)

电容（ F）

L1 :

φ1mm

漆包铜线，内部直径10mm的2Turns

L2 :

φ1mm

漆包铜线，内部直径10mm的2Turns

RFC ：

φ1mm

漆包铜线，内部直径5毫米， 2Turns

Rev.6.00 2005年8月10日第3页9

BB304M

最大信道功率

耗散曲线

信道功率耗散P沟道（MW ）

200

25

27

典型的输出特性

V

G2S

= 6 V

V

G1

= V

DS

0k

漏电流I

D

（MA ）

15

100

10

50

5

R

G

1M

= 1.5 M

0

50

100

150

200

0

2

4

6

8

39

k

70

4

k

60

k

5

0

68

0 k

82

0

k

150

33

20

0

mbient温度Ta （ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏电流与

GATE2至源极电压

25

V

DS

= V

G1

= 9 V

270 k

漏电流与电压GATE1

25

V

DS

= 9 V

R

G

= 390 k

6V

15

5V

4V

3V

2V

5

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

漏电流I

D

（MA ）

20

k

330

15

3

90 k

10

5

470 k

560 k

680 k

820 k

1M

R

G

= 1.5 M

漏电流I

D

（MA ）

10

0

1.2

2.4

3.8

4.8

6.0

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

漏电流与GATE1 Voltege

25

V

DS

= 9 V

R

G

= 470 k

25

漏电流与GATE1 Voltege

V

DS

= 9 V

R

G

= 560 k

20

漏电流I

D

（MA ）

15

漏电流I

D

（MA ）

10

6V

5V

4V

3V

2V

15

10

6V

5V

4V

3V

2V

V

G2S

= 1 V

5

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

5

0

2

4

6

8

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

Rev.6.00 2005年8月10日第4页9

k

10

BB304M

正向转移导纳

与GATE1电压

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

30

V

DS

= 9 V

R

G

= 390 k

24 F = 1千赫

18

5V

4V

2V

3V

6V

30

V

DS

= 9 V

R

G

= 470 k

24 F = 1千赫

18

5V

4V

3V

2V

正向转移导纳

与GATE1电压

6V

12

6

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

6

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

正向转移导纳

与GATE1电压

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

30

V

DS

= 9 V

R

G

= 560 k

F = 1千赫

40

功率增益主场迎战栅极电阻

6V 5V 4V

35

功率增益PG （分贝）

24

18

3V

2V

30

25

20

15

10

0.1

12

6

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

V

DS

= 9 V

V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V

F = 200 MHz的

0.2

0.5

1

2

5

10

GATE1电压V

G1

(V)

门阻抗R

G

(M)

噪声系数与栅极电阻

4

40

V

DS

= 9 V

V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V

F = 200 MHz的

35

功率增益与漏电流

噪声系数NF （ dB）的

功率增益PG （分贝）

3

30

25

20

15

10

0

V

DS

= 9 V

V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V

R

G

=变量

F = 200 MHz的

5

10

15

20

25

30

2

1

0

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

门阻抗R

G

(M)

漏电流I

D

（MA ）

Rev.6.00 2005年8月10日第5 9