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BB303M

打造偏置电路MOS FET IC

VHF / UHF射频放大器

ADE - 208-697A （ Z）

第2位。版

1998年11月

特点

打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

高正向转移导纳;

（ | YFS | = 42毫秒（典型值），在f = 1千赫）

承受静电放电;

打造ESD吸收二极管。承受高达250V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; MPAK -4- （ SOT- 143变种。）

概要

注意事项： 1，标记为“ CW- ” 。

2. BB303M是日立BBFET个别型号。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

7

– 0/ +7

– 0/ +7

25

150

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

BB303M

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

7

+7

+7

—

—

0.3

0.5

9

35

典型值

—

—

—

—

—

0.6

0.8

14

42

最大

—

—

—

+100

+100

0.9

1.1

20

50

单位

V

V

V

nA

nA

V

V

mA

mS

测试条件

I

D

= 200A

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10A

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

= +10A

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +5V

V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

= +5V

V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5V, V

G2S

= 4V

I

D

= 100A

V

DS

= 5V, V

G1S

= 5V

I

D

= 100A

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

=4V

R

G

= 470KΩ ， F = 1kHz时

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

F = 1MHz的

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

噪声系数

功率增益

NF1

PG2

—

12

1.0

16.5

1.6

—

dB

dB

F = 200MHz的

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

噪声系数

NF2

—

2.85

3.7

dB

F = 900MHz的

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

GATE1源击穿

电压

GATE2源击穿

电压

GATE1到源截止电流

GATE2到源截止电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

漏电流

正向转移导纳

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

I

D（ OP ）

|y

fs

|

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

c

国际空间站

c

OSS

c

RSS

PG1

2.6

1.7

—

28

3.3

2.1

0.025

32

4.0

2.5

0.05

—

pF

pF

pF

dB

2

BB303M

主要特点

3

BB303M

4

BB303M

5

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BB303M

打造偏置电路MOS FET IC

VHF / UHF射频放大器

ADE - 208-697A （ Z）

第2位。版

1998年11月

特点

打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

高正向转移导纳;

（ | YFS | = 42毫秒（典型值），在f = 1千赫）

承受静电放电;

打造ESD吸收二极管。承受高达250V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; MPAK -4- （ SOT- 143变种。）

概要

注意事项： 1，标记为“ CW- ” 。

2. BB303M是日立BBFET个别型号。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

7

– 0/ +7

– 0/ +7

25

150

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

BB303M

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

7

+7

+7

—

—

0.3

0.5

9

35

典型值

—

—

—

—

—

0.6

0.8

14

42

最大

—

—

—

+100

+100

0.9

1.1

20

50

单位

V

V

V

nA

nA

V

V

mA

mS

测试条件

I

D

= 200A

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10A

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

= +10A

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +5V

V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

= +5V

V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5V, V

G2S

= 4V

I

D

= 100A

V

DS

= 5V, V

G1S

= 5V

I

D

= 100A

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

=4V

R

G

= 470KΩ ， F = 1kHz时

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

F = 1MHz的

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

噪声系数

功率增益

NF1

PG2

—

12

1.0

16.5

1.6

—

dB

dB

F = 200MHz的

V

DS

= 5V, V

G1

= 5V

V

G2S

= 4V ，R

G

= 470k

噪声系数

NF2

—

2.85

3.7

dB

F = 900MHz的

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

GATE1源击穿

电压

GATE2源击穿

电压

GATE1到源截止电流

GATE2到源截止电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

漏电流

正向转移导纳

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

I

D（ OP ）

|y

fs

|

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

c

国际空间站

c

OSS

c

RSS

PG1

2.6

1.7

—

28

3.3

2.1

0.025

32

4.0

2.5

0.05

—

pF

pF

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dB

2

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