飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压可变电容二极管双
特点
非常陡峭的C / V曲线
C1 ： 70 pF的; C4.5 ： 13.4 pF的
C1至C5比：分钟。五
低串联电阻
小型塑料SMD封装。
应用
在FM收音机调谐电子
压控振荡器（ VCO ） 。
描述
该BB200是一个可变电容二极管双
共阴极，制成硅平面工艺
并封装在SOT23小型塑料SMD
封装。
记号
类型编号
BB200
标识代码
SBP
1
手册， halfpage
BB200
钉扎
针
1
2
3
阳极（一个
1
)
阳极（一个
2
)
共阴极
描述
3
3
2
1
2
MAM169
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
存储温度范围
工作结温
55
55
18
50
+150
+85
V
mA
°C
°C
参数
分钟。
马克斯。
单位
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
I
R
r
s
C
d
C
d
(
1V
)
----------------
C
d
(
5V
)
反向电流
二极管串联电阻
二极管电容
电容比
V
R
= 10 V
F = 100 MHz的; V
R
= 1.5 V
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 4.5 V ; F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
65.8
12
5
0.43
70
13.4
50
0.6
74.2
14.8
nA
pF
pF
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2001年10月12日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压可变电容二极管双
数据表状态
数据表状态
(1)
客观的数据
产品
状态
(2)
发展
释义
BB200
此数据表包含从客观特定网络阳离子产品数据
发展。飞利浦半导体公司保留修改的权利
特定网络阳离子以任何方式，恕不另行通知。
此数据表包含了从初步的规格数据。
补充资料将在晚些时候公布。飞利浦
半导体公司保留更改特定网络阳离子不正确
注意到，为了提高设计和提供更优秀的
产品。
此数据表包含了从产品speci fi cation数据。飞利浦
半导体公司保留随时更改在任何时间，以正确的
改进设计，制造和供应。变化将是
根据客户产品/流程变更通报
NOTI科幻阳离子（ CPCN ）过程SNW - SQ- 650A 。
初步数据
QUALI科幻阳离子
产品数据
生产
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的数据表。
2.本数据手册中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个数据表是
出版。最新的信息可在互联网上的网址http://www.semiconductors.philips.com 。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息，请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
（ IEC 60134 ） 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件，在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证，这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备，设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留修改的权利，恕不另行通知，在
产品，包括电路，标准单元，和/或
软件，为了描述或包含于
提高设计和/或性能。飞利浦
半导体公司不承担任何责任或法律责任
使用任何这些产品，传达没有牌照或标题
任何专利，版权或口罩工作的权利，这些
产品，不作任何陈述或保证的
这些产品均不含专利，版权，或掩码
工作侵权，除非另有说明。
2001年10月12日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压可变电容二极管双
特点
非常陡峭的C / V曲线
C1 ： 70 pF的; C4.5 ： 13.4 pF的
C1至C5比：分钟。五
低串联电阻
小型塑料SMD封装。
应用
在FM收音机调谐电子
压控振荡器（ VCO ） 。
描述
该BB200是一个可变电容二极管双
共阴极，制成硅平面工艺
并封装在SOT23小型塑料SMD
封装。
记号
类型编号
BB200
标识代码
SBP
1
手册， halfpage
BB200
钉扎
针
1
2
3
阳极（一个
1
)
阳极（一个
2
)
共阴极
描述
3
3
2
1
2
MAM169
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
存储温度范围
工作结温
55
55
18
50
+150
+85
V
mA
°C
°C
参数
分钟。
马克斯。
单位
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
I
R
r
s
C
d
C
d
(
1V
)
----------------
C
d
(
5V
)
反向电流
二极管串联电阻
二极管电容
电容比
V
R
= 10 V
F = 100 MHz的; V
R
= 1.5 V
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 4.5 V ; F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
65.8
12
5
0.43
70
13.4
50
0.6
74.2
14.8
nA
pF
pF
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2001年10月12日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压可变电容二极管双
数据表状态
数据表状态
(1)
客观的数据
产品
状态
(2)
发展
释义
BB200
此数据表包含从客观特定网络阳离子产品数据
发展。飞利浦半导体公司保留修改的权利
特定网络阳离子以任何方式，恕不另行通知。
此数据表包含了从初步的规格数据。
补充资料将在晚些时候公布。飞利浦
半导体公司保留更改特定网络阳离子不正确
注意到，为了提高设计和提供更优秀的
产品。
此数据表包含了从产品speci fi cation数据。飞利浦
半导体公司保留随时更改在任何时间，以正确的
改进设计，制造和供应。变化将是
根据客户产品/流程变更通报
NOTI科幻阳离子（ CPCN ）过程SNW - SQ- 650A 。
初步数据
QUALI科幻阳离子
产品数据
生产
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的数据表。
2.本数据手册中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个数据表是
出版。最新的信息可在互联网上的网址http://www.semiconductors.philips.com 。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息，请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
（ IEC 60134 ） 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件，在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证，这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备，设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留修改的权利，恕不另行通知，在
产品，包括电路，标准单元，和/或
软件，为了描述或包含于
提高设计和/或性能。飞利浦
半导体公司不承担任何责任或法律责任
使用任何这些产品，传达没有牌照或标题
任何专利，版权或口罩工作的权利，这些
产品，不作任何陈述或保证的
这些产品均不含专利，版权，或掩码
工作侵权，除非另有说明。
2001年10月12日
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