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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第335页 > BB1A4A
数据表
复合晶体管
BB1系列
片上电阻NPN硅外延晶体管
对于中速开关
该BB1系列是N型小信号晶体管，使元件数量的减少和
瘦身套，由于片内电阻。此晶体管是特别适合用于家庭电子应用
家电和办公自动化设备，如录像机和电视。
特点
高达0.7 A的电流驱动器可用
片上偏置电阻
驱动器在低功耗
封装图（单位：mm ）
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体
NEC公司出版的设备“ （文档编号C11531E ）
要知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
电极连接
1. Emitte （ E）
2.集电极（ C）
3.碱（B）的
BB1系列LISTS
制品
BB1A4A
BB1L2Q
BB1A3M
BB1F3P
BB1J3P
BB1L3N
BB1A4M
R
1
(K)
0.47
1.0
2.2
3.3
4.7
10
R
2
(K)
10
4.7
1.0
10
10
10
10
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D11739EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
BB1系列
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家基地volgate
Colletor到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
注1
I
B（ DC ）
P
T
T
j
T
英镑
评级
30
25
10
0.7
1.0
0.02
250
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
注1
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
BB1A4A
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
CE （ SAT ）
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
I
C
= 0.5 A，I
B
= 5毫安
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
7
10
300
300
135
0.27
0.4
0.3
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BB1L2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
150
300
135
400
700
600
0.2
0.3
0.3
V
V
k
R
1
R
2
329
3.29
470
4.7
611
6.11
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2
数据表D11739EJ2V0DS
BB1系列
BB1A3M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
0.7
0.7
1.0
1.0
80
100
135
0.3
0.4
0.3
1.3
1.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BB1F3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
h
FE2
注2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.3 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
300
300
135
0.3
0.3
1.54
7
2.2
10
2.86
13
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BP1J3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
2.31
7
3.3
10
300
300
135
600
700
600
0.14
0.3
0.3
4.29
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
数据表D11739EJ2V0DS
3
BB1系列
BB1L3N
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
3.29
7
4.7
10
300
300
135
0.3
0.3
6.11
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BB1A4M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
h
FE2
注2
条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.7 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
300
300
135
0.3
0.3
7
7
10
10
13
13
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
4
数据表D11739EJ2V0DS
BB1系列
典型特征（T
a
= 25°C)
°
数据表D11739EJ2V0DS
5
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推荐型号
B39440-X6893-N201
B25856K4204K003
B37871R0220K021
B82498-X3
BH36931
B41231C9278M000
BTB08A-800A
BCM5222_04
B59880-C160-A70
BTA/BTB16-XXXSW
BR93L56RF-WE2
BD87A29FVM
BA-4Y7UW-C
B88069X5120B252
B37931K5473K070
B82133A5152M000
BGE884
BAV21P
B39921-B4030-Z810
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联系人：刘经理
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3000
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