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乐山无线电公司, LTD 。
甚高频可变电容二极管
特点
出色的线性度
·超小型塑料SMD封装
· C28 : 1 pF的;比: 14 。
应用
·卫星调谐器,电子调谐
·可调谐耦合
·压控振荡器( VCO ) 。
描述
该BB181是一个可变电容二极管,编造平面技术和
封装在SOD523 ( SC - 79 )超小型塑料SMD封装。
标识代码:N
1
阴极
2
阳极
2
BB 181
1
SOD523 SC- 79
N
单位
V
mA
°C
°C
马克斯。
10
200
3
17
1.055
16
单位
nA
nA
pF
pF
1
2
LIMITING VALUESIn
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
R
I
F
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
储存温度
工作结温
分钟。
– 55
– 55
马克斯。
30
20
+150
+150
电气特性
T
j
= 25°C除非另有规定。
符号
I
R
r
s
C
d
C
d(0.5V)
C
D( 28V )
参数
反向电流
二极管串联电阻
二极管电容
条件
V
R
= 30 V ;见图2
V
R
= 30 V ; TJ = 85°C ;见图2
F = 470 MHz的;注1
分钟。
V
R
= 0.5 V ; F = 1兆赫;参见图1和图3 8
V
R
= 28 V ; F = 1兆赫;参见图1和图3 0.7
F = 1 MHz的
12
电容比
1. V
R
是价值在该CD = 9 pF的。
BB181–1/2
乐山无线电公司, LTD 。
BB 181
15
C
d
(PF )
10
5
F = 1兆赫;牛逼
j
=25°C
0
10
–1
1
10
10
2
V
R
( V )
图1二极管的电容为反向电压的函数;典型值。
10
3
10
–3
I
R
( nA的)
TC
d
( K
-1
)
10
2
10
–4
T
j
= 0至85℃ 。
10
0
50
100
10
–5
10
–1
1
10
10
2
T
j
( °C )
V
R
( V )
图2反向电流交界处的函数
温度;最大值。
二极管电容的图3的温度系数的一个函数
反向电压;典型值。
BB181–2/2
分立半导体
数据表
M3D319
BB181
甚高频可变电容二极管
产品speci fi cation
1998年11月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
特点
卓越的线性度
超小型塑料SMD封装
C28 : 1 pF的;比: 14 。
应用
卫星调谐器的电子调谐
可调谐耦合
压控振荡器
(VCO) 。
钉扎
1
2
描述
阴极
阳极
描述
该BB181是一个可变电容
二极管,编造平面技术
并封装在SOD523
( SC - 79 )超小型塑料SMD
封装。


分钟。
55
55
分钟。
8
0.7
12
BB181
手册, 2列
1
2
N
MBK441
标识代码:
N.
方向如图所示的标记代码。
阴极侧表示由一间酒吧。
Fig.1简化外形
( SOD523 ; SC -79 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
R
I
F
T
英镑
T
j
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
R
r
s
C
d
参数
反向电流
二极管串联电阻
二极管电容
电容比
条件
V
R
= 30 V ;见图3
V
R
= 30 V ;牛逼
j
= 85
°C;
看科幻G.3
F = 470 MHz的;注1
V
R
= 0.5 V ; F = 1兆赫;参见图2和图4
V
R
= 28 V ; F = 1兆赫;参见图2和图4
C
d
(
0.5V
)
---------------------
-
C
d
(
28V
)
1. V
R
是价值在哪些C
d
= 9 pF的。
F = 1 MHz的
马克斯。
10
200
3
17
1.055
16
单位
nA
nA
pF
pF
参数
连续反向电压
连续正向电流
储存温度
工作结温
马克斯。
30
20
+150
+150
V
mA
°C
°C
单位
1998年11月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
图形数据
BB181
MBE872
手册,全页宽
15
Cd
(PF )
10
5
0
10
1
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C
.
1
10
VR ( V)
10
2
图2二极管电容的反向电压的函数;典型值。
10
3
手册, halfpage
MLC816
10
3
手册, halfpage
MLC815
IR
( nA的)
(K
1
)
TC
10
2
10
4
10
0
50
T J (
o
C)
100
10
5
10
1
1
10
VR ( V)
10
2
T
j
= 0至85
°C.
Fig.4
Fig.3
反向电流交界处的函数
温度;最大值。
二极管的温度系数
电容的一个函数
反向电压;典型值。
1998年11月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
包装外形
BB181
塑料表面贴装封装; 2引线


A
c
HE
D
1
E
bp
(1)
SOD523
v
M
A
A
0
0.5
规模
1 mm
2
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
0.7
0.5
bp
0.35
0.25
c
0.2
0.1
D
1.3
1.1
E
0.9
0.7
HE
1.7
1.5
v
0.15
1.带标记表示阴极。
参考文献:
JEDEC
EIAJ
SC-79
欧洲
投影
发行日期
98-04-28
概要
VERSION
SOD523
IEC
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
给定的限值按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。强调以上一个或
更多的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统中使用,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
1998年11月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
笔记
BB181
1998年11月26日
5
BB181
甚高频可变电容二极管
牧师02 - 2008年1月2日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户,
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体,这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在,请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com (互联网)
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
(电子邮件)
在每一页的底部的版权声明(或其他地方的文件,
根据版本)
- 皇家飞利浦电子N.V. (年) 。版权所有 -
被替换为:
- NXP B.V. (年) 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问,请联系我们最近的销售
(通过salesaddresses@nxp.com细节)通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解,
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
特点
卓越的线性度
超小型塑料SMD封装
C28 : 1 pF的;比: 14 。
应用
卫星调谐器的电子调谐
可调谐耦合
压控振荡器
(VCO) 。
钉扎
1
2
描述
阴极
阳极
描述
该BB181是一个可变电容
二极管,编造平面技术
并封装在SOD523
( SC - 79 )超小型塑料SMD
封装。


分钟。
55
55
分钟。
8
0.7
12
BB181
手册, 2列
1
2
N
MBK441
标识代码:
N.
方向如图所示的标记代码。
阴极侧表示由一间酒吧。
Fig.1简化外形
( SOD523 ; SC -79 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
R
I
F
T
英镑
T
j
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
R
r
s
C
d
参数
反向电流
二极管串联电阻
二极管电容
电容比
条件
V
R
= 30 V ;见图3
V
R
= 30 V ;牛逼
j
= 85
°C;
看科幻G.3
F = 470 MHz的;注1
V
R
= 0.5 V ; F = 1兆赫;参见图2和图4
V
R
= 28 V ; F = 1兆赫;参见图2和图4
C
d
(
0.5V
)
---------------------
-
C
d
(
28V
)
1. V
R
是价值在哪些C
d
= 9 pF的。
F = 1 MHz的
马克斯。
10
200
3
17
1.055
16
单位
nA
nA
pF
pF
参数
连续反向电压
连续正向电流
储存温度
工作结温
马克斯。
30
20
+150
+150
V
mA
°C
°C
单位
牧师02 - 2008年1月2日
2 6
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
图形数据
BB181
MBE872
手册,全页宽
15
Cd
(PF )
10
5
0
10
1
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C
.
1
10
VR ( V)
10
2
图2二极管电容的反向电压的函数;典型值。
10
3
手册, halfpage
MLC816
10
3
手册, halfpage
MLC815
IR
( nA的)
(K
1
)
TC
10
2
10
4
10
0
50
T J (
o
C)
100
10
5
10
1
1
10
VR ( V)
10
2
T
j
= 0至85
°C.
Fig.4
Fig.3
反向电流交界处的函数
温度;最大值。
二极管的温度系数
电容的一个函数
反向电压;典型值。
牧师02 - 2008年1月2日
3 6
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
甚高频可变电容二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
BB181
SOD523
A
c
HE
v
M
A
D
A
0
0.5
规模
1 mm
1
E
bp
2
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
0.65
0.58
bp
0.34
0.26
c
0.17
0.11
D
1.25
1.15
E
0.85
0.75
HE
1.65
1.55
v
0.1
(1)
1.标记栏显示的阴极。
概要
VERSION
SOD523
参考文献:
IEC
JEDEC
JEITA
SC-79
欧洲
投影
发行日期
02-12-13
06-03-16
牧师02 - 2008年1月2日
4 6
恩智浦半导体
BB181
甚高频可变电容二极管
法律信息
数据表状态
文档状态
[1][2]
目标[短]数据表
初步[短]数据表
产品[短]数据表
[1]
[2]
[3]
产品状态
[3]
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
本文件包含从客观特定网络阳离子产品开发数据。
本文件包含的初步speci fi cation数据。
本文件包含的产品规范阳离子。
启动或完成设计之前,请咨询最新发布的文档。
术语“短数据表”中的一节“德网络nitions ”的解释。
本文档中描述的设备(S )的产品的状态可能已经改变,因为这个文件公布,并可能在不同的情况下,多台设备。最新产品情况
信息可在互联网上的网址
http://www.nxp.com 。
德网络nitions
草案 -
该文件只是一个草稿。内容仍在
内部审查,并经正式批准,这可能会导致
莫迪科幻阳离子或补充。恩智浦半导体公司不给任何
陈述或保证的准确性或完整性
此处包含的信息,并有权对造成的后果不承担任何责任
使用这些信息。
短期数据表 -
短数据表是从一个完整的数据资料的摘录
与同产品类型号码和标题。短数据表意
为快速参考之用,不应依靠包含详细,
全部信息。有关详细和完整的信息,请参阅相关的全部数据
表,它可以在通过本地恩智浦半导体的销售要求
的网络连接CE 。如有任何不一致或反对FL ICT与短数据表中,
完整的数据资料为准。
恩智浦半导体产品的故障可合理预期
导致人身伤害,死亡或严重财产或环境
损害。恩智浦半导体公司接受了包容和/或使用不承担任何责任
恩智浦半导体的产品在此类设备或应用程序和
因此,这样的包容性和/或用法是在客户自己的风险。
应用程序 -
在此描述的任何的这些应用
产品仅用于说明目的。恩智浦半导体是没有
陈述或保证,这些应用将是适当的
特定网络版使用,无需进一步的测试或改性阳离子连接。
极限值 -
应力以上的一个或多个限制值(如德音响定义在
IEC 60134的绝对最大额定值系统)可能会导致永久性的
损坏设备。极限值只是应力额定值和操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在给定的
本文档的特性部分将得不到保证。暴露限制
长时间的值可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件 -
恩智浦半导体产品销往
受一般条款和商业销售的条件,如公布
at
http://www.nxp.com/pro科幻LE /而言,
包括与保修,
知识产权侵权和赔偿责任限制,除非
明确由恩智浦半导体另有书面同意。在箱子
信息之间的这份文件,这样在任何不一致或CON FL ICT
条款和条件,以后者为准。
没有任何出售要约或许可 -
本文档中的任何内容都不得被解释
或解释为要约出售的产品是开放验收或
在任何著作权,专利授予,运送或任何许可
或者其它工业或知识产权。
免责声明
一般 -
本文件中的信息被认为是准确和
可靠的。然而,恩智浦半导体不给予任何陈述或
明示或暗示的保证,至于这样的准确性或完整性
信息,并有权对使用此类的后果不承担任何责任
信息。
有权进行修改 -
恩智浦半导体公司保留作出正确的
变化信息文件中公布的,包括但
不限说明和产品说明,在任何时候,不
通知。本文件取代之前提供的所有信息
于此次公布。
适宜使用 -
恩智浦半导体产品并非设计,
授权或担保适合用于医疗,军事,飞机使用,
空间或生命支持设备,也没有在应用中出现故障或
商标
注意:所有引用的品牌,产品名称,服务名称和商标
是其各自所有者的财产。
联系信息
有关更多信息,请访问:
http://www.nxp.com
对于销售的网络连接CE的地址,发送电子邮件至:
salesaddresses@nxp.com
牧师02 - 2008年1月2日
5 6
BB181
甚高频可变电容二极管
牧师03 - 2009年2月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
该BB181是一个可变电容二极管,编造平面技术和
封装在SOD523 ( SC - 79 )超小型塑料SMD封装。
1.2产品特点
I
卓越的线性度
I
超小型塑料SMD封装
I
C
d(28V)
: 1 pF的;
d(0V5)
到C
d(28V)
比例: 14
1.3应用
I
卫星调谐器的电子调谐
I
可调耦合
I
压控振荡器( VCO )
2.管脚信息
表1中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
sym008
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表2中。
订购信息
名字
BB181
SC-79
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD523
类型编号
恩智浦半导体
BB181
甚高频可变电容二极管
4.标记
表3中。
BB181
标记代码
标识代码
N
类型编号
5.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
R
I
F
T
英镑
T
j
反向电压
正向电流
储存温度
结温
条件
最小最大
-
-
30
20
单位
V
mA
55
+150
°C
55
+150
°C
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
R
参数
反向电流
条件
SEE
图2
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V ;牛逼
j
= 85
°C
r
s
C
d
二极管串联电阻
二极管电容
F = 470 MHz的位于C
d
= 9 pF的
F = 1兆赫;看
图1
科幻gure 3
V
R
= 0.5 V
V
R
= 28 V
C
d(0V5)
/C
d(28V)
二极管电容率( 0.5 V至28 V ), F = 1兆赫
8
0.7
12
-
-
-
17
1.055
16
pF
pF
-
-
-
-
-
-
10
200
3
nA
nA
典型值
最大
单位
BB181_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年2月16日
2 6
恩智浦半导体
BB181
甚高频可变电容二极管
15
C
d
(PF )
mbe872
10
5
0
10
1
1
10
V
R
(V)
10
2
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
图1 。
二极管电容的反向电压的函数;典型值
10
3
I
R
( nA的)
10
2
mlc816
10
3
mlc815
TC
d
(K
1
)
10
4
10
1
0
20
40
60
80
T
j
(°C)
100
10
5
10
1
1
10
V
R
(V)
10
2
T
j
= 0
°C
85
°C.
图2 。
反向电流交界处的函数
温度;最大值
图3 。
二极管电容的温度COEF网络cient
作为反向电压的函数;典型值
BB181_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年2月16日
3 6
恩智浦半导体
BB181
甚高频可变电容二极管
7.包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
SOD523
A
c
HE
v
M
A
D
A
0
0.5
规模
1 mm
1
E
bp
2
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
0.65
0.58
bp
0.34
0.26
c
0.17
0.11
D
1.25
1.15
E
0.85
0.75
HE
1.65
1.55
v
0.1
(1)
1.标记栏显示的阴极。
概要
VERSION
SOD523
参考文献:
IEC
JEDEC
JEITA
SC-79
欧洲
投影
发行日期
02-12-13
06-03-16
图4 。
封装外形SOD523 ( SC- 79 )
8.缩写
表6 。
缩写
SMD
VHF
缩略语
描述
表面贴装器件
甚高频
9.修订历史记录
表7中。
BB181_3
莫迪科幻阳离子:
BB181_N_2
BB181_1
修订历史
发布日期
20090216
数据表状态
产品数据表
变更通知
-
SUPERSEDES
BB181_N_2
文档ID
这个数据表格式已重新设计,以符合新的演示文稿和
恩智浦半导体信息标准
产品数据表
产品speci fi cation
-
-
BB181_1
-
20080102
19981126
BB181_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年2月16日
4 6
恩智浦半导体
BB181
甚高频可变电容二极管
10.法律信息
10.1数据表状态
文档状态
[1][2]
目标[短]数据表
初步[短]数据表
产品[短]数据表
[1]
[2]
[3]
产品状态
[3]
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
本文件包含从客观特定网络阳离子产品开发数据。
本文件包含的初步speci fi cation数据。
本文件包含的产品规范阳离子。
启动或完成设计之前,请咨询最新发布的文档。
术语“短数据表”中的一节“德网络nitions ”的解释。
本文档中描述的设备(S )的产品的状态可能已经改变,因为这个文件公布,并可能在不同的情况下,多台设备。最新产品情况
信息可在互联网上的网址
http://www.nxp.com 。
10.2德网络nitions
草案 -
该文件只是一个草稿。内容仍在
内部审查,并经正式批准,这可能会导致
莫迪科幻阳离子或补充。恩智浦半导体公司不给任何
陈述或保证的准确性或完整性
此处包含的信息,并有权对造成的后果不承担任何责任
使用这些信息。
短期数据表 -
短数据表是从一个完整的数据资料的摘录
与同产品类型号码和标题。短数据表意
为快速参考之用,不应依靠包含详细,
全部信息。有关详细和完整的信息,请参阅相关的全部数据
表,它可以在通过本地恩智浦半导体的销售要求
的网络连接CE 。如有任何不一致或反对FL ICT与短数据表中,
完整的数据资料为准。
恩智浦半导体产品的故障可合理预期
导致人身伤害,死亡或严重财产或环境
损害。恩智浦半导体公司接受了包容和/或使用不承担任何责任
恩智浦半导体的产品在此类设备或应用程序和
因此,这样的包容性和/或用法是在客户自己的风险。
应用程序 -
在此描述的任何的这些应用
产品仅用于说明目的。恩智浦半导体是没有
陈述或保证,这些应用将是适当的
特定网络版使用,无需进一步的测试或改性阳离子连接。
极限值 -
应力以上的一个或多个限制值(如德音响定义在
IEC 60134的绝对最大额定值系统)可能会导致永久性的
损坏设备。极限值只是应力额定值和操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在给定的
本文档的特性部分将得不到保证。暴露限制
长时间的值可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件 -
恩智浦半导体产品销往
受一般条款和商业销售的条件,如公布
at
http://www.nxp.com/pro科幻LE /而言,
包括与保修,
知识产权侵权和赔偿责任限制,除非
明确由恩智浦半导体另有书面同意。在箱子
信息之间的这份文件,这样在任何不一致或CON FL ICT
条款和条件,以后者为准。
没有任何出售要约或许可 -
本文档中的任何内容都不得被解释
或解释为要约出售的产品是开放验收或
在任何著作权,专利授予,运送或任何许可
或者其它工业或知识产权。
10.3免责声明
一般 -
本文件中的信息被认为是准确和
可靠的。然而,恩智浦半导体不给予任何陈述或
明示或暗示的保证,至于这样的准确性或完整性
信息,并有权对使用此类的后果不承担任何责任
信息。
有权进行修改 -
恩智浦半导体公司保留作出正确的
变化信息文件中公布的,包括但
不限说明和产品说明,在任何时候,不
通知。本文件取代之前提供的所有信息
于此次公布。
适宜使用 -
恩智浦半导体产品并非设计,
授权或担保适合用于医疗,军事,飞机使用,
空间或生命支持设备,也没有在应用中出现故障或
10.4商标
注意:所有引用的品牌,产品名称,服务名称和商标
是其各自所有者的财产。
11.联系方式
欲了解更多信息,请访问:
http://www.nxp.com
对于销售的网络连接CE的地址,请发送电子邮件至:
salesaddresses@nxp.com
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NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年2月16日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BB181
    -
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    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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NXP(恩智浦)
22+
33950
原装原厂公司现货
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
BB181
NXP/恩智浦
24+
68500
SOD-523
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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NXP
1926+
28562
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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NXP
2019
19850
SOD523
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BB181
NXP
2019
79600
SOD-523
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
BB181
NEXPERIA/安世
24+
350000
SOD-523
假一罚十,原装进口正品现货供应,长期供货
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
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NXP
24+
12000
SOD-523
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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6000
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十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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电话:0755-83242658
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地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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15000
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100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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NXP/恩智浦
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