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BB101C
内置偏置电路MOS FET IC
超高频射频放大器
REJ03G0821-0300
（上ADE- 208-505A ）
Rev.3.00
Aug.10.2005
特点
内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
低噪音的特点;
（ NF = 2.0 dB典型值，在f = 900兆赫）
承受静电放电;
内置ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 4 （ SOT- 343mod ）
概要
瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A
（包名称： CMPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项：
1.标记为“非盟” 。
2. BB101C是RENESAS BBFET个别型号。
Rev.3.00 2005年8月10日第1页7
BB101C
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
6
+6
–0
±6
25
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
GATE1至源极击穿电压
GATE2至源极击穿电压
GATE1到源截止电流
GATE2到源截止电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
PG
NF
民
6
+6
±6
—
—
0.2
0.4
10
16
1.2
0.7
—
16
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
15
22
1.7
1.1
0.012
20
2.0
最大
—
—
—
+100
±100
0.8
1.0
20
—
2.2
1.5
0.03
—
3.0
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= ±5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 220 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
=4 V
R
G
= 220 kΩ的， F = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 220 k
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
=4 V
R
G
= 220 kΩ的， F = 900兆赫
Rev.3.00 2005年8月10日第2 7
BB101C
主要特点
测试电路用于经营项目（I
D（ OP ）
， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）
V
G2
门2
门1
R
G
V
G1
漏
A
I
D
来源
等效电路
门2
漏
门1
来源
应用电路
V
AGC
= 4 0.3 V
BBFET
V
DS
= 5 V
RFC
产量
输入
R
G
V
GG
= 5 V
Rev.3.00 2005年8月10日第3页7
BB101C
最大信道功率
耗散曲线
典型的输出特性
25
V
G2S
= 4 V
V
G1
= V
信道功率耗散P沟道（MW ）
200
漏电流I
D
（MA ）
150
15
100
10
50
5
R
G
0
50
100
150
200
0
1
2
3
10
20
k
0
k
1 2
50
1
k
0
18
k
0
22
k
270
k
330
k
390
0k
= 47
0
k
4
5
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流与
GATE2至源极电压
25
V
DS
= V
G1
= 5 V
漏电流与电压GATE1
20
V
DS
= 5 V
R
G
= 150 k
漏电流I
D
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
20
15
10
5
0
k
10
120
k
50
1
k
180
k
220
k
270
k
330 k
390
0k
= 47
R
G
k
16
4
12
V
3
V
2V
8
4
V
G2S
= 1 V
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
GATE2至源极电压V
G2S
(V)
GATE1电压V
G1
(V)
漏电流vs.Gate1 Voltege
20
V
DS
= 5 V
R
G
= 220 k
20
漏电流vs.Gate1 Voltege
漏电流I
D
（MA ）
16
16
V
DS
= 5 V
R
G
= 390 k
12
4V
3V
2V
漏电流I
D
毫安）
12
8
8
4V
3V
2V
V
G2S
= 1 V
4
V
G2S
= 1 V
4
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
GATE1电压V
G1
(V)
GATE1电压V
G1
(V)
Rev.3.00 2005年8月10日第4 7
BB101C
正向转移导纳
与GATE1电压
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
25
V
DS
= 5 V
R
G
= 150 k
20 F = 1千赫
25
正向转移导纳
与GATE1电压
V
DS
= 5 V
R
G
= 220 k
20 F = 1千赫
4V
3V
4V
3V
15
2V
15
2V
10
10
5
V
G2S
= 1 V
0
1
2
3
4
5
5
V
G2S
= 1 V
0
1
2
3
4
5
GATE1电压V
G1
(V)
GATE1电压V
G1
(V)
正向转移导纳
与GATE1电压
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
25
V
DS
= 5 V
R
G
= 390 k
F = 1千赫
30
25
功率增益主场迎战栅极电阻
20
功率增益PG （分贝）
4V
3V
20
15
10
5
0
50
15
2V
10
5
V
G2S
= 1 V
0
1
2
3
4
5
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
F = 900兆赫
100 200
500 1000 2000
5000
GATE1电压V
G1
(V)
门阻抗R
G
(k)
噪声系数与栅极电阻
4
30
25
20
15
10
5
功率增益与漏电流
噪声系数NF （ dB）的
3
2
功率增益PG （分贝）
1
0
50
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
F = 900兆赫
100 200
500 1000 2000
5000
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
R
G
=变量
F = 900兆赫
5
10
15
20
25
30
0
门阻抗R
G
(k)
漏电流I
D
（MA ）
Rev.3.00 2005年8月10日第5页7
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