【BB101C打造偏置电路MOS FET IC超高频射频放大器ADE-208-5051日。版特点打造偏】,IC型号BB101C,BB101C PDF资料,BB101C经销商,ic,电子元器件-51电子网

BB101C

打造偏置电路MOS FET IC

超高频射频放大器

ADE-208-505

1日。版

特点

打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

低噪音的特点; （ NF = 2.0 dB典型值，在f = 900兆赫）

承受静电放电;打造ESD吸收二极管。承受高达200 V的C = 200 pF的，

RS = 0的条件。

概要

CMPAK–4

2

3

4

1

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

BB101C

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

1号门至源极电压

2号门至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

6

+6

–0

±6

25

100

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

2

BB101C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

1号门至源极击穿

电压

2门源击穿

电压

符号

V

（ BR ） DSS

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

民

6

+6

±6

—

0.2

0.4

10

16

典型值

—

15

22

最大

—

+100

±100

0.8

1.0

20

—

单位

V

nA

V

mA

mS

测试条件

I

D

= 200

A

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10

A

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

= +10

A

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +5 V

V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

=

±5

V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5 V, V

G2S

= 4 V

I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1S

= 5 V

I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V ，R

G

= 220 k

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

R

G

= 220 kΩ的， F = 1千赫

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V ，R

G

= 220 k

F = 1 MHz的

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

R

G

= 220 kΩ的， F = 900兆赫

1号门源截止电流I

G1SS

2门源截止电流I

G2SS

1号门源截止电压V

G1S(off)

2门源截止电压V

G2S(off)

漏电流

正向转移导纳

I

D（ OP ）

|y

fs

|

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

噪声系数

注：标记为“非盟” 。

西塞

科斯

CRSS

PG

NF

1.2

0.7

—

16

—

1.7

1.1

0.012

20

2.0

2.2

1.5

0.03

—

3.0

pF

dB

3

BB101C

主要特点

测试电路用于经营项目（I

D（ OP ）

， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

漏

A

I

D

来源

应用电路

V

AGC

= 4 0.3 V

BBFET

V

DS

= 5 V

产量

输入

R

G

V

GG

= 5 V

4

BB101C

最大信道功率

耗散曲线

200

信道功率耗散P沟道（MW ）

25

典型的输出特性

V

G2S

= 4 V

V

G1

= V

DS

漏电流I

D

（MA ）

15

100

10

50

5

R

G

0

50

100

150

200

0

环境温度Ta （C ）

1

2

3

4

漏极至源极电压V

DS

(V)

10

150

20

k

0

k

12

50

1

k

0

18

k

0

22

k

270

k

330

k

390

0 k

= 47

0

k

5

漏电流与

GATE2至源极电压

25

V

DS

= V

G1

= 5 V

漏电流I

D

（MA ）

20

k

0

k

10

120

k

150

k

180

k

220

k

270

k

330 k

390

0 k

= 47

R

G

漏电流与电压GATE1

20

V

DS

= 5 V

R

G

= 150 k

漏电流I

D

（MA ）

16

4

12

V

15

3

V

2V

8

10

5

4

V

G2S

= 1 V

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

0

GATE1电压V

G1

(V)

5

BB101C

内置偏置电路MOS FET IC

超高频射频放大器

REJ03G0821-0300

（上ADE- 208-505A ）

Rev.3.00

Aug.10.2005

特点

内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

低噪音的特点;

（ NF = 2.0 dB典型值，在f = 900兆赫）

承受静电放电;

内置ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; CMPAK - 4 （ SOT- 343mod ）

概要

瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A

（包名称： CMPAK - 4 ）

2

3

1

4

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注意事项：

1.标记为“非盟” 。

2. BB101C是RENESAS BBFET个别型号。

Rev.3.00 2005年8月10日第1页7

BB101C

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

6

+6

–0

±6

25

100

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

GATE1至源极击穿电压

GATE2至源极击穿电压

GATE1到源截止电流

GATE2到源截止电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

漏电流

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

噪声系数

符号

V

（ BR ） DSS

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

I

D（ OP ）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

PG

NF

民

6

+6

±6

—

0.2

0.4

10

16

1.2

0.7

—

16

—

典型值

—

15

22

1.7

1.1

0.012

20

2.0

最大

—

+100

±100

0.8

1.0

20

—

2.2

1.5

0.03

—

3.0

单位

V

nA

V

mA

mS

pF

dB

测试条件

I

D

= 200

A,

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10

A,

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

= +10

A,

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +5 V, V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

= ±5 V, V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5 V, V

G2S

= 4 V，I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1S

= 5 V，I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 220 k

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

=4 V

R

G

= 220 kΩ的， F = 1千赫

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V ，R

G

= 220 k

F = 1 MHz的

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

=4 V

R

G

= 220 kΩ的， F = 900兆赫

Rev.3.00 2005年8月10日第2 7

BB101C

主要特点

测试电路用于经营项目（I

D（ OP ）

， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

漏

A

I

D

来源

等效电路

门2

漏

门1

来源

应用电路

V

AGC

= 4 0.3 V

BBFET

V

DS

= 5 V

RFC

产量

输入

R

G

V

GG

= 5 V

Rev.3.00 2005年8月10日第3页7

BB101C

最大信道功率

耗散曲线

典型的输出特性

25

V

G2S

= 4 V

V

G1

= V

信道功率耗散P沟道（MW ）

200

漏电流I

D

（MA ）

150

15

100

10

50

5

R

G

0

50

100

150

200

0

1

2

3

10

20

k

0

k

1 2

50

1

k

0

18

k

0

22

k

270

k

330

k

390

0k

= 47

0

k

4

5

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏电流与

GATE2至源极电压

25

V

DS

= V

G1

= 5 V

漏电流与电压GATE1

20

V

DS

= 5 V

R

G

= 150 k

漏电流I

D

（MA ）

漏电流I

D

（MA ）

20

15

10

5

0

k

10

120

k

50

1

k

180

k

220

k

270

k

330 k

390

0k

= 47

R

G

k

16

4

12

V

3

V

2V

8

4

V

G2S

= 1 V

0

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

漏电流vs.Gate1 Voltege

20

V

DS

= 5 V

R

G

= 220 k

20

漏电流vs.Gate1 Voltege

漏电流I

D

（MA ）

16

V

DS

= 5 V

R

G

= 390 k

12

4V

3V

2V

漏电流I

D

毫安）

12

8

4V

3V

2V

V

G2S

= 1 V

4

V

G2S

= 1 V

4

0

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

Rev.3.00 2005年8月10日第4 7

BB101C

正向转移导纳

与GATE1电压

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

25

V

DS

= 5 V

R

G

= 150 k

20 F = 1千赫

25

正向转移导纳

与GATE1电压

V

DS

= 5 V

R

G

= 220 k

20 F = 1千赫

4V

3V

4V

3V

15

2V

15

2V

10

5

V

G2S

= 1 V

0

1

2

3

4

5

V

G2S

= 1 V

0

1

2

3

4

5

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

正向转移导纳

与GATE1电压

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

25

V

DS

= 5 V

R

G

= 390 k

F = 1千赫

30

25

功率增益主场迎战栅极电阻

20

功率增益PG （分贝）

4V

3V

20

15

10

5

0

50

15

2V

10

5

V

G2S

= 1 V

0

1

2

3

4

5

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

F = 900兆赫

100 200

500 1000 2000

5000

GATE1电压V

G1

(V)

门阻抗R

G

(k)

噪声系数与栅极电阻

4

30

25

20

15

10

5

功率增益与漏电流

噪声系数NF （ dB）的

3

2

功率增益PG （分贝）

1

0

50

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

F = 900兆赫

100 200

500 1000 2000

5000

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

R

G

=变量

F = 900兆赫

5

10

15

20

25

30

0

门阻抗R

G

(k)

漏电流I

D

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第5页7