飞利浦半导体
产品speci fi cation
控制雪崩二极管
特点
密封铅玻璃
SOD27 （DO- 35）包
开关速度：最大。 50纳秒
一般应用
连续反向电压：
最大。 90 V
反向重复峰值电压：
最大。 90 V
重复峰值正向电流：
最大。 800毫安
重复峰值反向电流：
最大。 600毫安
能够吸收瞬态
重复。
标识代码：
BAX12.
手册， halfpage
k
BAX12
描述
该BAX12是一个控制雪崩二极管编造平面技术，并
封装在密封的铅玻璃SOD27 （DO- 35）的
封装。
a
MAM246
应用
在感性负载开关
半电子电话
交流。
Fig.1简化外形（ SOD27 ; DO35 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
t = 100
s
T = 10毫秒
P
合计
I
RRM
E
RRM
T
英镑
T
j
笔记
1.允许超过此值;参见图8和9应注意不要超过我
RRM
投资评级。
2.设备安装在一FR4印刷电路板;铅长度为10毫米。
总功耗
反向重复峰值电流
反向重复峰值能量
储存温度
结温
t
p
≥
50
s;
f
≤
20赫兹;牛逼
j
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
注2
65
55
15
9
450
600
5.0
+200
200
A
A
A
mW
mA
mJ
°C
°C
注1
注1
见图2 ;注意2
条件
分钟。
马克斯。
90
90
400
800
V
V
mA
mA
单位
1996年9月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
控制雪崩二极管
图形数据
BAX12
手册， halfpage
500
IF
（MA ）
400
MBG455
手册， halfpage
600
MBG463
IF
（MA ）
(1)
(2)
(3)
400
300
200
200
100
0
0
100
TAMB （
o
C)
200
0
0
(1) T
j
= 175
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
1
VF （ V）
2
设备安装在一FR4印刷电路板;铅长度为10毫米。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBG702
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1996年9月17日
4
QQ：2880707522 复制
