CYStech电子股份有限公司
高倍速双二极管
规格。编号: C303N3A
发行日期: 2003年4月12日
修改日期
页页次: 1/4
BAW56N3
描述
该BAW56N3由两个高速开关二极管与普通阳极,编造平面
技术,封装在一个小型的SOT- 23塑料SMD封装。
等效电路
BAW56N3
2
1
SOT-23
共阳极
1:Cathode
2:Cathode
3 :共阳极
3
阴极
阴极
特点
高开关速度:最大。为4ns
连续反向电压:最大。 75V
重复峰值反向电压:最大。 85V
重复峰值正向电流:最大。 450毫安。
小型塑料SMD封装
应用
高速切换的厚和薄膜电路。
BAW56N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
@T
A
=25℃
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流(单二极管装)
连续正向电流(双二极管装)
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
@square波, TJ = 125 ℃之前激增T = 1μs的时间
t=1ms
t=1s
总功耗(
注1
)
结温
储存温度
注1 :设备安装在FR- 4 PCB 。
规格。编号: C303N3A
发行日期: 2003年4月12日
修改日期
页页次: 2/4
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
P合计
T
j
T
英镑
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
最大
85
75
215
125
450
4
1
0.5
250
150
+150
单位
V
V
mA
mA
A
A
A
mW
°C
°C
电气特性
除非另有规定@ TJ = 25 ℃
参数
正向电压
符号
V
F
条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=25V
V
R
=75V
V
R
=25V,Tj=150℃
V
R
=75V,Tj=150℃
V
R
= 0V , F = 1MHz的
从我开机时,
F
= 10mA至
I
R
=10mA,R
L
= 100Ω ,测
在我
R
=1mA
从我开机时,
F
=10mA
tr=20ns
民
-
典型值。
-
最大
715
855
1
1.25
30
1
30
50
2
4
1.75
单位
mV
mV
V
V
nA
A
A
A
pF
ns
V
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
I
R
Cd
TRR
VFR
-
-
-
-
-
-
-
-
热特性
符号
RTH ,J -TP
第r ,J -一
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
360
500
单位
℃
/W
℃
/W
注1 :设备安装在FR- 4 PCB 。
BAW56N3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
SOT- 23外形尺寸
规格。编号: C303N3A
发行日期: 2003年4月12日
修改日期
页页次: 4/4
标记:
A
L
3
B
1
2
3引脚SOT- 23塑料
表面贴装封装
CYStek包装代码: N3
类型:Pin 1.Cathode 2.Cathode
3.Common阳极
D
K
S
A1
TE
V
G
C
H
J
* :典型
暗淡
A
B
C
D
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.1102 0.1204
0.0472 0.0630
0.0335 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
0.0005 0.0040
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
1.20
1.60
0.89
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
0.013
0.10
暗淡
J
K
L
S
V
英寸
分钟。
马克斯。
0.0034 0.0070
0.0128 0.0266
0.0335 0.0453
0.0830 0.1083
0.0098 0.0256
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.085
0.177
0.32
0.67
0.85
1.15
2.10
2.75
0.25
0.65
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BAW56N3
CYStek产品规格