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分立半导体
数据表
书， halfpage
MBD128
BAW101S
高压双二极管
产品speci fi cation
2003 5月13日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高压双二极管
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度：最大。 50纳秒
高连续反向电压： 300 V
电绝缘二极管。
应用
高压开关
汽车
通信。
描述
该BAW101S是一个高速开关二极管阵列
两个单独的管芯，制作平面技术和
封装在一个小型SOT363塑料SMD封装。
记号
类型编号
BAW101S
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
= W ：中国制造。
Fig.1
标识代码
(1)
K2
1
顶视图
手册， halfpage
BAW101S
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
阳极1
北卡罗来纳州
阴极2
阳极2
北卡罗来纳州
阴极1
描述
6
5
4
6
5
4
2
3
MBL892
1
2
3
简化外形（ SOT363 ）和符号。
2003 5月13日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高压双二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板，阴极引线安装焊盘= 1厘米
2
.
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
BR （R）的
V
F
I
R
t
rr
C
d
记
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s; δ
= 0.02.
反向击穿电压
正向电压
反向电流
反向恢复时间
二极管电容
I
R
= 100
A
I
F
= 100毫安;注1
V
R
= 250 V
V
R
= 250 V ;吨
AMB
= 150
°C
300
参数
条件
分钟。
连续反向电压
串联
反向重复峰值电压
串联
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流的方波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
t = 1
s
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
= 25
°C;
注1
单二极管装;注意1 ;见图2
双二极管装;注意1 ;见图2
65
65
参数
条件
分钟。
BAW101S
马克斯。
单位
300
600
300
600
250
140
625
4.5
350
+150
150
+150
V
V
V
V
mA
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
马克斯。
1.1
150
50
50
2
单位
V
V
nA
A
ns
pF
从我开机时，
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
2003 5月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高压双二极管
热特性
符号
R
第j个-S
R
日J-一
笔记
1.一个或多个二极管装载。
2.设备安装在一FR4印刷电路板，阴极引线安装焊盘= 1厘米
2
.
图形数据
MLE057
BAW101S
参数
热阻结到焊接点
从结点到环境的热阻
条件
注1
注2
价值
255
357
单位
K / W
K / W
手册， halfpage
300
手册， halfpage
600
MBG384
IF
（MA ）
200
IF
（MA ）
(1)
(1)
(2)
(3)
400
100
(2)
200
0
0
50
100
200
150
TAMB （ ° C）
（ 2 ）双二极管装。
0
0
1
VF （ V）
2
（ 1）单二极管装。
设备安装在一FR4印刷电路板。
正极引线安装垫= 1厘米
2
.
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
2003 5月13日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高压双二极管
BAW101S
手册，全页宽
10
2
MBG703
IFSM
(A)
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
10
2
手册， halfpage
IR
(A)
10
MLE058
手册， halfpage
0.6
MLE059
Cd
（PF ）
0.5
(1)
(2)
1
0.4
10
1
0.3
10
2
0
50
100
150
TJ （ ° C）
200
0.2
0
2
4
6
8
VR （ V）
10
(1) V
R
= V
RMAX
：最大值。
(2) V
R
= V
RMAX
：典型值。
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.5
反向电流交界处的函数
温度。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2003 5月13日
5
BAW101S
高电压双开关二极管
特点
快速开关速度：最大。为50ns
高反向击穿电压： 300V
在一个紧凑的封装两个电隔离的元素
低漏电流： 150nA关室温
铅，卤素和无锑，符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4 ）
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 雾锡比退火合金引线框架42 。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参阅第2页
订购信息：见第2页
重量： 0.006克（近似值）
新产品
6
5
4
1
2
3
顶视图
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
单二极管
串联
单二极管
串联
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
F
I
FSM
I
FRM
价值
300
600
300
600
212
250
140
4.5
625
单位
V
V
V
mA
A
mA
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向电流（注2）
单二极管装
双二极管装
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ìs
重复峰值正向电流@ T = 8.3ms的（注2 ）
热特性
特征
功率耗散（注2 ）
热阻结到环境空气（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
反向击穿电压（注1 ）
正向电压
反向电流（注1 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
t
rr
民
300
最大
1.1
50
150
75
2.0
50
单位
V
V
nA
nA
μA
pF
ns
测试条件
I
R
= 100μA
I
F
= 100毫安
V
R
= 5V
V
R
= 250V
V
R
= 250V ，T
J
= 150°C
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 30mA时
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
1.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
安装在FR- 4板推荐焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到2部分。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
BAW101S
文件编号： DS32177牧师4 - 2
1 4
www.diodes.com
2010年7月
Diodes公司
BAW101S
300
注2
P
D
，功耗（毫瓦）
250
I
F
，正向电流（mA）
1,000
100
200
新产品
150
10
100
1
50
0
0
25
50
75
100
125
150 175
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功率降额曲线，总包
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
V
F
，正向电压（ V）
图。 2典型正向特性，每个元素
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
100,000
T
A
= 150C
1.0
C
T
，总电容（PF ）
10,000
T
A
= 125C
0.8
1,000
T
A
= 8 5C
0.6
100
0.4
10
T
A
= 25C
T
A
= -55C
1
0.2
0.1
0
50
100
150
200
250
300
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的反向特性，每元
0
0
10
20
30
40
订购信息
（注5 ）
产品型号
BAW101S-7
注意事项：
例
SOT-363
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K97 YM
K97 YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2010
X
JAN
1
FEB
2
2011
Y
MAR
3
APR
4
2012
Z
五月
5
JUN
6
K97 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： X = 2010）
M =月（例如： 9 =九月）
2013
A
JUL
7
2014
B
八月
8
SEP
9
2015
C
十月
O
NOV
N
2016
D
DEC
D
2010年7月
Diodes公司
BAW101S
文件编号： DS32177牧师4 - 2
2 4
www.diodes.com
BAW101S
包装外形尺寸
A
B C
H
K
M
J
D
F
L
SOT-363
暗淡
民
最大
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65 TYP
F
0.40
0.45
H
1.80
2.20
J
0
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.22
0°
8°
α
尺寸：mm
新产品
拟议的焊盘布局
C2
C2
Z
G
C1
Y
X
尺寸值（单位：mm）
Z
2.5
G
1.3
X
0.42
Y
0.6
C1
1.9
C2
0.65
BAW101S
文件编号： DS32177牧师4 - 2
3 4
www.diodes.com
2010年7月
Diodes公司
BAW101S
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
新产品
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2010 ， Diodes公司
www.diodes.com
BAW101S
文件编号： DS32177牧师4 - 2
4 4
www.diodes.com
2010年7月
Diodes公司
SMD型
高压双二极管
BAW101S
二极管
SO
T
-363
+0.1
1.3
-0.1
0.65
单位：mm
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度：最大。 50纳秒
0.1max
+0.15
2.3
-0.15
0.525
0.36
高连续反向电压： 300 V
电绝缘二极管。
+0.1
0.3
-0.1
+0.1
2.1
-0.1
+0.05
0.1
-0.02
绝对最大额定值大= 25
参数
每二极管
连续反向电压
V
R
串联
重复峰值正向电流
V
RRM
串联
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
热阻结到焊接点
从结点到环境的热阻
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
R
第j个-S
R
日J-一
-65
方波;牛逼
j
= 25
暴涨之前， T = 1
s
单二极管装;
双二极管装;
300
600
300
600
250
140
625
4.5
350
-65
+150
150
+150
255
357
K / W
K / W
mA
A
mW
mA
V
V
符号
条件
民
最大
单位
TS = 25
+0.05
0.95
-0.05
+0.1
1.25
-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BAW101S
二极管
电气特性TA = 25
参数
反向击穿电压
正向电压
反向电流
符号
V
BR （R）的
V
F
I
R
条件
I
R
= 100 A
I
F
= 100毫安;注1
V
R
= 25 V
V
R
= 250 V ;吨
AMB
= 150
反向恢复时间
二极管电容
记
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s; = 0.02.
t
rr
C
d
从我开机时，
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
R
L
= 100
;在我测
R
= 3毫安;
V
R
= 0; F = 1兆赫;
2
pF
民
300
1.1
150
50
50
mV
nA
A
ns
最大
单位
记号
记号
K2
2
www.kexin.com.cn
分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
MBD128
BAW101S
高压双二极管
产品数据表
2003 5月13日
恩智浦半导体
产品数据表
高压双二极管
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度：最大。 50纳秒
高连续反向电压： 300 V
电绝缘二极管。
应用
高压开关
汽车
通信。
描述
该BAW101S是一个高速开关二极管阵列
两个单独的管芯，制作平面技术和
封装在一个小型SOT363塑料SMD封装。
记号
类型编号
BAW101S
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
= W ：中国制造。
Fig.1
标识代码
(1)
K2
1
顶视图
手册， halfpage
BAW101S
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
阳极1
北卡罗来纳州
阴极2
阳极2
北卡罗来纳州
阴极1
描述
6
5
4
6
5
4
2
3
MBL892
1
2
3
简化外形（ SOT363 ）和符号。
2003 5月13日
2
恩智浦半导体
产品数据表
高压双二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板，阴极引线安装焊盘= 1厘米
2
.
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
BR （R）的
V
F
I
R
t
rr
C
d
记
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s; δ
= 0.02.
反向击穿电压
正向电压
反向电流
反向恢复时间
二极管电容
I
R
= 100
A
I
F
= 100毫安;注1
V
R
= 250 V
V
R
= 250 V ;吨
AMB
= 150
°C
300
参数
条件
分钟。
连续反向电压
串联
反向重复峰值电压
串联
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
方波;牛逼
j
= 25
°C
前激增;
t = 1
s
T
AMB
= 25
°C;
注1
单二极管装;注意1 ;见图2
双二极管装;注意1 ;见图2
65
65
参数
条件
分钟。
BAW101S
马克斯。
单位
300
600
300
600
250
140
625
4.5
350
+150
150
+150
V
V
V
V
mA
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
马克斯。
1.1
150
50
50
2
单位
V
V
nA
A
ns
pF
从我开机时，
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
2003 5月13日
3
恩智浦半导体
产品数据表
高压双二极管
热特性
符号
R
第j个-S
R
日J-一
笔记
1.一个或多个二极管装载。
2.设备安装在一FR4印刷电路板，阴极引线安装焊盘= 1厘米
2
.
图形数据
MLE057
BAW101S
参数
热阻结到焊接点
从结点到环境的热阻
条件
注1
注2
价值
255
357
单位
K / W
K / W
手册， halfpage
300
手册， halfpage
600
IF
MBG384
IF
（MA ）
200
（MA ）
(1)
(1)
(2)
(3)
400
100
(2)
200
0
0
50
100
200
150
TAMB （ ° C）
（ 2 ）双二极管装。
0
0
1
VF （ V）
2
（ 1）单二极管装。
设备安装在一FR4印刷电路板。
正极引线安装垫= 1厘米
2
.
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
2003 5月13日
4
恩智浦半导体
产品数据表
高压双二极管
BAW101S
手册，全页宽
10
2
MBG703
IFSM
(A)
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
10
2
手册， halfpage
IR
(A)
10
MLE058
手册， halfpage
0.6
MLE059
Cd
（PF ）
0.5
(1)
(2)
1
0.4
10
1
0.3
10
2
0
50
100
150
TJ （ ° C）
200
0.2
0
2
4
6
8
VR （ V）
10
(1) V
R
= V
RMAX
：最大值。
(2) V
R
= V
RMAX
：典型值。
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.5
反向电流交界处的函数
温度。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2003 5月13日
5
产品speci fi cation
BAW101S
SO
T
-363
+0.1
1.3
-0.1
0.65
单位：mm
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度：最大。 50纳秒
0.1max
+0.15
2.3
-0.15
0.525
0.36
高连续反向电压： 300 V
电绝缘二极管。
+0.1
0.3
-0.1
+0.1
2.1
-0.1
+0.05
0.1
-0.02
绝对最大额定值大= 25
参数
每二极管
连续反向电压
V
R
串联
重复峰值正向电流
V
RRM
串联
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
热阻结到焊接点
从结点到环境的热阻
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
R
第j个-S
R
日J-一
-65
方波;牛逼
j
= 25
暴涨之前， T = 1
s
单二极管装;
双二极管装;
300
600
300
600
250
140
625
4.5
350
-65
+150
150
+150
255
357
K / W
K / W
mA
A
mW
mA
V
V
符号
条件
民
最大
单位
TS = 25
+0.05
0.95
-0.05
+0.1
1.25
-0.1
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1 2
产品speci fi cation
BAW101S
电气特性TA = 25
参数
反向击穿电压
正向电压
反向电流
符号
V
BR （R）的
V
F
I
R
条件
I
R
= 100 A
I
F
= 100毫安;注1
V
R
= 25 V
V
R
= 250 V ;吨
AMB
= 150
反向恢复时间
二极管电容
记
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
s; = 0.02.
t
rr
C
d
从我开机时，
F
= 30 mA至我
R
= 30毫安;
R
L
= 100
;在我测
R
= 3毫安;
V
R
= 0; F = 1兆赫;
2
pF
民
300
1.1
150
50
50
mV
nA
A
ns
最大
单位
记号
记号
K2
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厂家
批号
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封装
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