【BAV 99W硅开关二极管阵列串联对于高速开关应用TYPEBAV 99W订购代码标识A7sQ6270】,IC型号BAV99WQ62702A1051,BAV99WQ62702A1051 PDF资料,BAV99WQ62702A1051经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BAV 99W

硅开关二极管阵列

串联

对于高速开关应用

TYPE

BAV 99W

订购代码标识

A7s

Q62702-A1051

引脚配置

1=A1

2=C2

包

3 = C1 / A2 SOT- 323

每个二极管的最大额定值

参数

二极管的反向电压

峰值反向电压

正向电流

正向电流浪涌， T = 1

s

总功耗

符号

值

70

70

200

4.5

250

mA

A

mW

150

- 65 ... + 150

≤

430

≤

190

°C

单位

V

V

R

V

RM

I

F

I

FS

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

T

S

= 103 °C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在环氧印刷电路板40× 40mmm X 1.5毫米/ 0.5厘米

2

Cu

半导体集团

1

Apr-03-1997

BAV 99W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

每个二极管的直流特性

击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ）

70

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

mV

-

-

-

-

715

855

1000

1250

A

-

-

-

2.5

30

50

I

（ BR ）

= 100 A

正向电压

V

F

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 50毫安

I

F

= 150毫安

反向电流

I

R

V

R

= 70 V,

T

A

= 25 °C

V

R

= 25 V,

T

A

= 150 °C

V

R

= 70 V,

T

A

= 150 °C

每个二极管的交流特性

二极管电容

C

D

-

-

1.5

pF

ns

-

-

6

V

R

= 0 V,

f

= 1兆赫

反向恢复时间

t

rr

I

F

= 10毫安，

I

R

= 10毫安，

R

L

= 100

t

rr

1 mA时测得

半导体集团

2

Apr-03-1997

BAV 99W

正向电流

I

F

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

正向电流

I

F

=

f

(V

F

)

T

A

= 25°C

300

mA

I

F

200

T

A

150

T

S

100

50

0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

允许的脉冲负载

I

FMAX

/I

FDC

=

F（T

p

)

10

3

10

2

K / W

R

thjs

10

2

I

FMAX

/I

FDC

-

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

10

0

-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

10

0

-6

10

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

半导体集团

3

Apr-03-1997

BAV 99W

正向电压

V

F

=

f

(T

A

)

反向电流

I

R

=

f

(T

A

)

半导体集团

4

Apr-03-1997

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