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分立半导体
数据表
MBD128
BAV756S
高速开关二极管阵列
产品speci fi cation
取代1997年的数据08月27日
在分离式半导体文件, SC01
1997年10月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速开关二极管阵列
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度:最大。 4纳秒
连续反向电压:
最大。 75 V
反向重复峰值电压:
最大。 85 V
重复峰值正向电流:
最大。 450毫安。
应用
通用开关在如
表面贴装电路。
描述
该BAV756S由四个
高速开关二极管
编造平面技术,并
封装在小贴片
SOT363塑料包装。一对
二极管具有公共阴极该
另一对有一个公共阳极。
1
顶视图
标识代码:
A7t.
2
3
MSA370
BAV756S
钉扎
1
2
3
4
5
6
阳极(a1)的
阴极(K1)
共阳极
阴极(K2)
阳极(a2)的
共阴极
描述
6
5
4
手册, halfpage
6
5
4
1
2
3
MGL158
Fig.1简化外形( SOT363 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
T = 1毫秒
t=1s
P
合计
T
英镑
T
j
1.一个或多个二极管装载。
总功耗
储存温度
结温
T
s
= 60
°C;
注1
65
65
4
1
0.5
350
+150
+150
A
A
A
mW
°C
°C
单二极管装;见图2
所有的二极管装;见图2
85
75
250
100
450
V
V
mA
mA
mA
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年10月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速开关二极管阵列
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
见图5
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
fr
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
V
R
= 0; F = 1 MHz的
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图6
从我开机时,
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒;见图7
30
2.5
60
参数
条件
BAV756S
马克斯。
单位
715
855
1
1.25
mV
mV
V
V
nA
A
A
A
pF
ns
V
100
2
4
1.75
热特性
符号
R
第j个-S
1.一个或多个二极管装载。
参数
热阻结到焊接点
注1
条件
价值
255
单位
K / W
1997年10月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速开关二极管阵列
图形数据
BAV756S
300
IF
(MA )
200
单二极管装
MBK148
手册, halfpage
300
MBG382
IF
(MA )
(1)
(2)
(3)
200
所有的二极管装
100
100
0
0
100
TS ( ° C)
200
0
0
1
VF ( V)
2
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为焊接点的函数
温度。
Fig.3
正向电流为一个函数
正向电压。
10
2
手册,全页宽
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP (微秒)
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1997年10月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速开关二极管阵列
BAV756S
10
2
IR
(
A)
10
VR = 75 V
最大
1
75 V
MGA885
10
1
25 V
典型值
10
2
0
典型值
100
T J ( ℃)
200
Fig.5
反向电流的函数
结温。
1997年10月21日
5
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