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BAV300 / 301 /三百〇三分之三百〇二
威世半导体
小信号开关二极管,高压
特点
硅外延平面二极管
节省空间
e2
气密密封件
适合到SOD323 / SOT23封装的脚印
电气数据相同的设备
BAV100 ... BAV103 / BAV200 ... BAV203
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612315
应用
一般用途
机械数据
案例:
MicroMELF玻璃外壳
重量:
约。 12毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
BAV300
BAV301
BAV302
BAV303
类型分化
V
RRM
= 60 V
V
RRM
= 120 V
V
RRM
= 200 V
V
RRM
= 250 V
订购代码
BAV300 - TR3或BAV300 -TR
BAV301 - TR3或BAV301 -TR
BAV302 - TR3或BAV302 -TR
BAV303 - TR3或BAV303 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
BAV300
BAV301
BAV302
BAV303
反向电压
BAV300
BAV301
BAV302
BAV303
正向连续电流
峰值正向浪涌电流
正向峰值电流
t
p
= 1, S,T
j
= 25 °C
F = 50赫兹
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
R
V
R
V
R
V
R
I
F
I
FSM
I
FM
价值
60
120
200
250
50
100
150
200
250
1
625
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
A
mA
文档编号85545
修订版1.9 , 07 -MAR -06
www.vishay.com
1
BAV300 / 301 /三百〇三分之三百〇二
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
结到环境空气
测试条件
安装在环氧树脂 - 玻璃硬
组织,图4
35微米的铜包铝, 0.9毫米
2
每个电极铜面积
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
175
- 65 + 175
°C
°C
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
测试条件
I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 50 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 100 V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 150V
T
j
= 100℃ ,V
R
= 200V
击穿电压
I
R
= 100 μA ,T
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
I
R
= 100 μA ,T
p
/T = 0.01,
t
p
0.3毫秒
BAV300
BAV301
BAV302
BAV303
BAV300
BAV301
BAV302
BAV303
BAV300
BAV301
BAV302
BAV303
二极管电容
微分正向电阻
反向恢复时间
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
I
F
= 10毫安
I
F
= I
R
= 30 mA时,我
R
= 3毫安,
R
L
= 100
Ω
部分
符号
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
C
D
r
f
t
rr
60
120
200
250
1.5
5
50
典型值。
最大
1000
100
100
100
100
15
15
15
15
单位
mV
nA
nA
nA
nA
A
A
A
A
V
V
V
V
pF
Ω
ns
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2
文档编号85545
修订版1.9 , 07 -MAR -06
BAV300 / 301 /三百〇三分之三百〇二
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1000
100
散射极限
10
25
0.152
0.71
1.3
1.27
I
R
- 反向电流( μA )
9.9
0.355
1
V
R
=
V
RRM
10
0.1
0.01
0
40
80
120
2.5
160
200
95 10329
24
94 9084
T
j
- 结温( ° C)
图1.反向电流与结温
图4.董事会对R
thJA
定义(单位mm)
1000
T
j
= 25 °C
I
F
- 正向电流(mA )
100
散射极限
10
1
0.1
0
94 9085
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
- 前进
电压
(V)
图2.正向电流与正向电压
r
f
- 微分正向电阻(
Ω
)
1000
100
T
j
= 25 °C
10
1
0.1
1
10
100
94 9089
I
F
- 正向电流(mA )
图3.微分正向电阻与正向电流
文档编号85545
修订版1.9 , 07 -MAR -06
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3
BAV300 / 301 /三百〇三分之三百〇二
威世半导体
单位:mm包装尺寸(英寸)
表面计划
0.6
(0.024)
ISO方法E
阴极indification
1 ( 0.039 )表面计划
2.0 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
> 2.5 (R 0.098 )
玻璃
1.
3
G 5(
LA 0 。
ss 05
3
玻璃柜
MicroMELF
& LT ;
)
再溢流焊接
1.2 (0.047)
1.4 (0.055)
波峰焊
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
2.4 (0.094)
文件
编号:
6.560-5007.01-4
牧师11 , 07.Feb.2005
9612072
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
1.0 (0.039)
2.8 (0.110)
0.9 (0.035)
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4
文档编号85545
修订版1.9 , 07 -MAR -06
BAV300 / 301 /三百〇三分之三百〇二
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85545
修订版1.9 , 07 -MAR -06
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