BAV23S
表面贴装开关二极管
电压范围
200伏
350米瓦功耗
特点
开关速度快
表面贴装型封装非常适合
自动插入
对于通用开关应用
高电导
SOT-23
0.020(0.51)
0.015(0.37)
0.055(1.40)
0.047(1.19)
0.098(2.50)
0.083(2.10)
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
终端：每MIIL - STD- 202焊接的，
方法208
极性：见图
标记： KL31
重量： 0.008克（约
)
0.080(2.05)
0.070(1.78)
0.024(0.61)
0.018(0.45)
0.120(3.05)
0.104(2.65)
0.041(1.05)
0.047(0.89)
0.043(1.10)
0.035(0.89)
0.007(0.178)
0.003(0.076)
0.006(0.15)
0.001(0.013)
0.024(0.61)
0.018(0.45)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
最大额定值
类型编号
符号
BAV23S
反向重复峰值电压
V
RRM
250
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
平均整流输出电流（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
@ T = 1.0us
@ T = 100us的
@ T = 10ms的
重复峰值正向浪涌电流
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气
（注1 ）
工作和存储温度范围
单位
V
V
V
mA
mA
A
mA
mW
K / W
O
V
RWM
V
R
200
141
400
200
9.0
3.0
1.7
625
350
357
-65到+ 150
民
V
R（ RMS ）
I
FM
Io
I
FSM
I
FRM
Pd
R
θJA
T
J
, T
英镑
符号
C
电气特性
类型编号
最大
正向电压
IF=100mA
1.0
_
V
F
IF=200mA
1.25
峰值反向电流
当前
Tj=25℃
100
_
I
R
Tj=100℃
100
_
结电容
VR = 0 ， F = 1.0MHz的
Cj
5.0
_
反向恢复时间（注2 ）
TRR
50
注：1.有效的规定，终端是在环境温度。
2.反向恢复测试条件： IF = IR = 10毫安， IRR = 0.1 ×1
R
, R
L
=100Ω.
单位
V
nA
uA
pF
nS
- 838 -
BAV23S小信号二极管
2006年9月
BAV23S
小信号二极管
接线图
3
3
3
2
1
1
tm
L30
2
1
2
SOT-23
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0微秒
脉冲宽度= 100微秒
存储温度范围
工作结温
价值
250
200
9.0
3.0
-55到+150
150
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境*
参数
价值
350
357
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
I
R
t
rr
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
反向漏
反向恢复时间
条件
I
R
= 100A
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 250V
V
R
= 250V ，T
A
= 150°C
I
F
= I
R
= 30mA时我
RR
= 3.0毫安，
R
L
= 100
分钟。
250
最大
1.0
1.25
100
100
50
单位
V
V
V
nA
A
ns
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
BAV23S英文内容
BAV23S小信号二极管
典型性能特性
（续）
P - 功率耗散（ mW）的
400
300
250
I
F
- 电流（mA）
0
25
50
75
100
125
o
300
200
150
100
50
0
200
100
150
0
25
50
75
100
125
o
150
T
A
- A M B IEN牛逼TEM PE R A TU - [R E（ C）
T
A
- 环境温度（ C）
图9.功率降额曲线
图10.平均整流电流（I
O
)
VS环境温度（T
A
)
图11.反向恢复时间与
反向恢复电流（ IRR ）
3
BAV23S英文内容
www.fairchildsemi.com
BAV23S小信号二极管
BAV23S小信号二极管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I20
5
BAV23S英文内容
www.fairchildsemi.com
SPICE模型： BAV23A BAV23C BAV23S
BAV23A/C/S
表面贴装开关二极管
新产品
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
开关速度快
表面贴装型封装非常适合自动插入
对于通用开关应用
高电导
无铅/符合RoHS （注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
J
L
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
无铅电镀（雾锡
完成了退火合金引线框架42 ） 。
极性：见下面图表
标记：见下面的图表&第2页
重量： 0.008克（近似值）
E
顶视图
D
G
H
J
K
L
M
a
尺寸：mm
BAV23A标记： KT7
BAV23C标记： KT6
BAV23S标记： KL31
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注2 ）
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ms的
@ T = 100毫秒
@ T = 10ms的
重复峰值正向浪涌电流（注2 ）
功率耗散（注2 ）
热阻结到环境空气（注2 ）
工作和存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FSM
I
FRM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
250
200
141
400
9.0
3.0
1.7
625
350
357
-65到+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
° C / W
°C
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注1 ）
正向电压（注1 ）
反向电流@额定阻断电压DC （注1 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
t
rr
民
250
最大
1.0
1.25
100
5.0
50
单位
V
V
nA
mA
pF
ns
测试条件
I
R
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 30mA时
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
1.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
2.安装部分在FR - 4板推荐焊盘布局，可以在我们的网站上找到
在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
3.没有故意添加铅。
DS30042牧师11 - 2
1第3
www.diodes.com
BAV23A/C/S
Diodes公司
I
F
，正向电流（A）
新产品
1
100
T
A
= 150C
10
T
A
= 125C
0.1
1
T
A
= 75C
0.1
T
A
= -40C
T
A
= 0C
T
A
= 25C
0.01
0.01
T
A
= 0C
T
A
= 25C
T
A
= 75C
T
A
= 125C
T
A
= 150C
0.001
T
A
= -40C
0.001
0
0.2
0.8
0.4
1.0
1.2
0. 6
1.4
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
0.0001
0
50
100
150
200
250
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 2典型的反向特性
4.0
3.5
F = 1.0MHz的
500
P
d
，功耗（毫瓦）
0
10
20
30
40
C
T
，总电容（PF ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
400
300
200
100
0
0
100
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 4功耗降额
200
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型的电容与反向电压
订购信息
设备
BAV23A-7-F
BAV23C-7-F
BAV23S-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页）
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2001
M
JAN
1
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
JUL
7
2006
T
八月
8
2007
U
SEP
9
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30042牧师11 - 2
YM
2 3
www.diodes.com
BAV23A/C/S
新产品
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30042牧师11 - 2
3 3
www.diodes.com
BAV23A/C/S
恩智浦半导体
BAV23系列
双高压开关二极管
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BAV23A
BAV23C
BAV23S
BAV23
-
塑料表面贴装封装; 4引线
SOT143B
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表5 。
BAV23A
BAV23C
BAV23S
BAV23
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
*V0
*V9
*V5
*L3
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 100
s
t
p
= 10毫秒
[3]
[1]
[2]
参数
条件
民
-
-
-
-
-
最大
250
200
225
125
625
单位
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
9
3
1.7
A
A
A
BAV23_SER_7
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年3月19日
3 13
恩智浦半导体
BAV23系列
双高压开关二极管
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
参数
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
T
AMB
25
C
[4]
民
-
-
65
65
最大
250
150
+150
+150
单位
mW
C
C
C
单二极管装。
双二极管装。
T
j
= 25
C
前激增。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表7中。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
500
360
单位
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
I
R
C
d
t
rr
[1]
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V ;牛逼
j
= 150
C
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
民
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
1.0
1.25
100
100
2
50
单位
V
V
nA
A
pF
ns
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
BAV23_SER_7
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2010年3月19日
4 13
BAV23系列
BAV23A / BAV23C / BAV23S
公司Bauelemente
塑料封装的肖特基二极管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
SOT-23
特点
开关速度快
对于通用开关应用
高电导
K
A
3
L
3
顶视图
1
2
C B
1
2
E
D
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
2.10
2.55
1.20
1.40
0.89
1.15
1.80
2.00
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.09
0.18
0.45
0.60
0.08
0.177
0.6 REF 。
0.89
1.02
BAV23A ，标记： KT7
BAV23C ，标记： KT6
BAV23S ，标记： KL31
绝对最大额定值
（在Ta = 25 ℃，除非另有规定）
参数
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
@ T = 1.0微秒
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 100微秒
@ T = 10毫秒
功耗
热阻结到环境空气
工作结温
储存温度
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
I
FSM
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
评级
250
200
400
9.0
3.0
1.7
350
357
150
-65 ~ +150
单位
V
V
mA
A
mW
°C
/ W
°C
°C
电气特性
（在Ta = 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
正向电压
总电容
反向恢复时间
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
C
T
t
RR
分钟。
250
-
-
-
-
马克斯。
-
0.1
1
1.25
5
50
单位
V
μA
V
pF
nS
测试条件
I
R
= 100
μA
V
R
= 250 V
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0中，f =兆赫
I
F
= I
R
= 30毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
Ω
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月2007版本B
第1页2
BAV23系列
BAV23A / BAV23C / BAV23S
公司Bauelemente
塑料封装的肖特基二极管
收视率和特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月2007版本B
第2页2
半导体
技术参数
高电压开关。
特点
高
可靠性。
小
表面安装型（ SOT- 23）。
2
A
G
H
1
L
BAV23S
硅外延平面二极管
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
3
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
连续正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
300
250
200
2
225*
mW
300**
150
-55½150
℃
℃
单位
V
C
N
P
P
K
L
M
N
P
V
mA
A
1.阴极1
2.阳极2
3. 1阳极/阴极2
M
K
J
3
2
1
SOT-23
*注1 ：包安装在FR- 5委员会（ 25.4 × 19.05 × 1.57毫米）
**注2 ：包安装于99.5 ％的氧化铝（ 10 × 8 × 0.6毫米）
记号
型号名称
LOT号
JC
电气特性（Ta = 25℃）
特征
正向电压
反向电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
F
I
R(1)
I
R(2)
C
T
t
rr
测试条件
I
F
=150mA
V
R
=250V
V
R
=300V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
R
= 30mA时我
F
=30mA
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
1.25
0.2
100
3
100
单位
V
μ
A
pF
nS
2009. 1. 23
版本号： 1
1/2
分立电源和信号
技术
BAV23S
高压通用二极管
P
D
. . . .350
毫瓦@ T
A
= 25℃
B
V
. . . .250
V （M
IN
) @ I
R
= 100微安
T
RR
. . .
50纳秒@我
F
=I
R
= 30毫安我
RR
= 3.0毫安
绝对最大额定值
（注1 ）
温度
储存温度
工作结温
功耗
（注2和3 ）
在TA器件总功耗= 25℃
每摄氏度降额因子
电压& CURRENTS
V
RRM
反向重复峰值电压
（单个设备）
V
RRM
反向重复峰值电压
（串联）
V
RWM
连续峰值反向电压
（单个设备）
V
RWM
连续峰值反向电压
（串联）
IO
平均整流电流
IF
直流正向电流
if
经常性峰值正向电流
如果（浪涌）峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0微秒
脉冲宽度= 100微秒
脉冲宽度= 10毫秒
150℃
150℃
350毫瓦
2.8毫瓦
250 V
500 V
200 V
400 V
200毫安
400毫安
700毫安
9.0 A
3.0 A
1.7 A
1
3
L30
1
2
包
TO- 236AB （低）
(SOT-23)
连接图
3
2
电气特性
（ 25℃环境温度，除非另有说明）
符号
B
V
I
R
特征
击穿电压
反向电流（单个设备）
反向电流（串联）
民
250
最大
单位
V
测试条件
I
R
=
V
R
=
V
R
=
V
R
=
V
R
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
100微安
200 V
200 V
400 V
400 V
百毫安
200毫安
百毫安
200毫安
100
100
100
100
1.00
1.25
2.00
2.50
50
nA
uA
nA
uA
V
V
V
V
nS
T
A
= 150摄氏度
T
A
= 150摄氏度
V
F
正向电压（单个装置）
正向电压（串联）
T
RR
反向恢复时间
I
F
= I
R
= 30毫安
I
RR
= 3.0毫安
R
L
= 100欧姆
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3.这些等级给予150 ℃的最高结温结到环境的357 ℃的热电阻
每瓦。 （降额每摄氏度2.8毫瓦的因素）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用双二极管
图形数据
BAV23S
300
IF
（MA ）
200
MBD033
手册， halfpage
600
IF
MBG384
（MA ）
(1)
(2)
(3)
400
单二极管装
双二极管装
100
200
0
0
100
牛逼AMB （
o
C)
200
0
0
1
VF （ V）
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册，全页宽
IFSM
(A)
MBG703
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1999年05月05
4
BAV23A/C/S
表面贴装开关二极管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
开关速度快
表面贴装型封装非常适合
自动插入
对于通用开关应用
高电导
顶视图
新产品
SOT-23
A
暗淡
A
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.85
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.80
8°
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见下面图表
标记：见下面的图表&第2页
重量： 0.008克（约）
E
D
G
H
K
J
L
M
尺寸：mm
BAV23A标记： KT7
BAV23C标记： KT6
BAV23S标记： KL31
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ms的
@ T = 100毫秒
@ T = 10ms的
重复峰值正向浪涌电流（注2 ）
功率耗散（注2 ）
热阻结到环境空气（注2 ）
工作和存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FSM
I
FRM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
250
200
141
400
9.0
3.0
1.7
625
350
357
-65到+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
mW
° C / W
°C
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
正向电压（注1 ）
反向电流@额定阻断电压DC （注1 ）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
符号
V
F
I
R
C
T
t
rr
民
最大
1.0
1.25
100
5.0
50
单位
V
nA
mA
pF
ns
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 30mA时
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
1.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
2.安装部分在FR - 4板推荐焊盘布局，可以在我们的网站上找到
在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
DS30042启示录7 - 2
1 2
BAV23A/C/S
I
F
，正向电流（mA）
1000
T
j
= 25°C
100
新产品
100
10
10
1
1.0
0.1
0.1
0.01
0
1
2
0.01
0
100
200
V
F
，正向电压（ V）
图。 1正向特性
T
j
，结温（ ° C）
图。 2漏电流与结温
订购信息
设备
BAV23A-7
BAV23C-7
BAV23S-7
注意事项：
（注3）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页）
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2001
M
FEB
2
三月
3
APR
4
2002
N
五月
5
JUN
6
2003
P
JUL
7
八月
8
2004
R
SEP
9
十月
O
2005
S
NOV
N
DEC
D
DS30042启示录7 - 2
YM
2 2
BAV23A/C/S
QQ：2880707522 复制
