BAV19W -V / 20W -V / 21W -V
威世半导体
小信号开关二极管，高压
特点
硅外延平面二极管
对于通用
e3
这些二极管也可在其他
案例风格，包括：在DO -35的情况下
同类型名称BAV19到BAV21时，
MiniMELF情况的类型名称
BAV100到BAV103 ，采用SOT -23的情况下的
型号标识BAS19到BAS21 ，而
SOD- 323例类型名称BAV19WS-
V到BAV21WS -V 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17431
机械数据
案例：
SOD- 123塑料外壳
重量：
约。 9.3毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAV19W-V
BAV20W-V
BAV21W-V
类型分化
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
订购代码
BAV19W -V - GS18或BAV19W -V- GS08
BAV20W -V - GS18或BAV20W -V- GS08
BAV21W -V - GS18或BAV21W -V- GS08
A8
A9
AA
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
文档编号85725
修订版1.2 ， 22月， 05
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BAV19W -V / 20W -V / 21W -V
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
测试条件
部分
BAV19W-V
BAV20W-V
BAV21W-V
重复峰值电压
BAV19W-V
BAV20W-V
BAV21W-V
直流正向电流
整流电流（平均值）的一半
波整流与抵制。
负载
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
符号
V
R
V
R
V
R
V
RRM
V
RRM
V
RRM
I
F
I
F（ AV ）
价值
100
150
200
120
200
250
250
1)
200
1)
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
f
≥
50赫兹，
θ
= 180 °,
T
AMB
= 25 °C
吨< 1秒，T
j
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
625
1)
1
410
1)
mA
A
mW
1）有效的规定，引线被保持在环境温度
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
1）有效的规定，引线被保持在环境温度
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
375
1)
150
1)
- 65至+ 150
1)
单位
° C / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 100 V
V
R
= 100 V，T
j
= 100 °C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V，T
j
= 100 °C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V，T
j
= 100 °C
动态正向电阻
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 10毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= 30 mA时，我
R
= 30毫安，
I
rr
= 3毫安，R
L
= 100
BAV19W-V
BAV19W-V
BAV20W-V
BAV20W-V
BAV21W-V
BAV21W-V
部分
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
r
f
C
合计
t
rr
5
1.5
50
民
典型值。
最大
1.00
1.25
100
15
100
15
100
15
单位
V
V
nA
A
nA
A
nA
A
pF
ns
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威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
r
f
- 动态正向电阻（
)
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
100
T
j
= 100
°
C
10
1
25
°
C
10
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1
18861
1
18858
V
F
- 正向电压（ V）
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
图1.正向电流与正向电压
图4.动态正向电阻与正向电流
I
O
, I
F
- 容许正向电流（ A）
I
R
( T
j
) / I
R
( 25
°
C） - 漏电流
0.3
1000
100
0.2
直流电流我
F
CURRENT （ RECTIF 。 ）我
O
10
反向电压
BAV100 V
R
= 50 V
BAV101 V
R
= 100 V
BAV102 V
R
= 150 V
BAV103 V
R
= 200 V
0.1
1
0
0
30
60
90
120
150
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
18859
18862
0.1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
T
j
- 结温（
°
C )
图2.容许正向电流与环境温度
图5.漏电流与结温
P
合计
- 容许功耗（ W）
500
400
C
合计
- 电容（pF ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
18863
T
j
= 25
°
C
300
200
100
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
1
10
100
18860
V
R
- 反向电压（ V）
图3.容许功耗与环境温度
图6.电容与反向电压
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单位：mm包装尺寸（英寸）
1.35 （ 0.053 ）最大。
0.1 （ 0.004 ）最大。
0.55 (0.022)
0.25 （ 0.010 ）分钟。
0.15 （ 0.006 ）最大。
贴装焊盘布局
ISO方法E
阴极带
3.85 (0.152)
2.85 (0.112)
2.55 (0.100)
3.55 (0.140)
1.40 (0.055)
1.70 (0.067)
1.40 (0.055)
0.72 (0.028)
2.40 (0.094)
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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