【BAV19WS-V/20WS-V/21WS-V威世半导体小信号开关二极管，高压特点硅外延平面二极管对】,IC型号BAV19WS-V-GS08,BAV19WS-V-GS08 PDF资料,BAV19WS-V-GS08经销商,ic,电子元器件-51电子网

BAV19WS-V/20WS-V/21WS-V

威世半导体

小信号开关二极管，高压

特点

硅外延平面二极管

对于通用

这些二极管也可在其他

案例风格，包括：在DO35例类型

指定BAV19 - BAV21 ，在MiniMELF情况

同类型指定BAV100 - BAV103中，

SOT23封装的情况下与类型指定BAS19 -

BAS21和SOD123情况下与式desig-

国家BAV19W -V - BAV21W -V

铅（Pb） -free组件

按照RoHS 2002/95 / EC组件

和WEEE 2002/96 / EC

20145

机械数据

案例：

SOD323塑料外壳

重量：

约。 5.0毫克

包装代码/选项：

每13"卷轴（8毫米磁带）， 10 K /盒GS18 / 10千

每7"卷轴（8毫米磁带）， 15 K /盒GS08 / 3

零件表

部分

BAV19WS-V

BAV20WS-V

BAV21WS-V

类型分化

= 100 V

= 150 V

= 200 V

订购代码

BAV19WS -V - GS18或BAV19WS -V- GS08

BAV20WS -V - GS18或BAV20WS -V- GS08

BAV21WS -V - GS18或BAV21WS -V- GS08

键入标记

备注

磁带和卷轴

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修订版1.4 ， 31月， 06

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威世半导体

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

连续反向电压

测试条件

部分

BAV19WS-V

BAV20WS-V

BAV21WS-V

反向重复峰值电压

BAV19WS-V

BAV20WS-V

BAV21WS-V

正向连续电流

整流电流（平均值）的一半

波整流与抵制。

负载

重复峰值正向电流

正向电流浪涌

功耗

AMB

= 25 °C

AMB

= 25 °C

符号

RRM

F（ AV ）

价值

100

150

200

120

200

250

200

单位

≥

50赫兹，

= 180 °,

AMB

= 25 °C

吨< 1秒，T

= 25 °C

AMB

= 25 °C

FRM

FSM

合计

625

200

1）有效的规定，引线被保持在环境温度

热特性

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

热阻结到

环境空气

结温

存储温度范围

1）有效的规定，引线被保持在环境温度

测试条件

符号

thJA

英镑

价值

650

150

- 65至+ 150

单位

K / W

°C

电气特性

AMB

= 25℃，除非另有说明

参数

正向电压

漏电流

测试条件

= 100毫安

= 200毫安

= 100 V

= 100 V，T

= 100 °C

= 150 V

= 150 V，T

= 100 °C

= 200 V

= 200 V，T

= 100 °C

动态正向电阻

二极管电容

反向恢复时间

= 10毫安

= 0中，f = 1 MHz的

= 30 mA时，我

= 30毫安，

= 3毫安，R

= 100

BAV19WS-V

BAV20WS-V

BAV21WS-V

部分

符号

1.5

民

典型值。

最大

1.00

1.25

100

单位

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威世半导体

典型特征

AMB

= 25℃，除非另有说明

1000

- 正向电流（mA ）

100

= 100

- 动态正向电阻

(Ω)

100

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

18861

18858

- 前进

电压

(V)

- 正向电流（mA ）

100

图1.正向电流与正向电压

图4.动态正向电阻与正向电流

, I

- 容许正向电流（ A）

0.3

( T

) / I

（25℃ ） - 漏电流

1000

100

0.2

直流电流我

CURRENT （ RECTIF 。）我

反向

电压

BAV19WS-V

= 100

BAV20WS-V

= 150

BAV21WS-V

= 200

40 60

100 120 140 160 180 200

- 结温（ ° C）

0.1

120

150

AMB

- 环境温度（ ° C）

0.1

18859

18862

图2.容许正向电流与环境温度

图5.漏电流与结温

合计

- 容许功耗（ W）

250

200

150

100

- 二极管电容（pF ）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

= 25

20 40 60

100 120 140 160 180 200

AMB

- 环境温度（ ° C）

18863

100

18864

- 反向

电压

(V)

图3.容许功耗与环境温度

图6.电容与反向电压

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威世半导体

包装尺寸以毫米（英寸）： SOD323

1.15 (0.045)

0.8 (0.031)

0.1 （ 0.004 ）最大

足迹推荐：

0.25 （ 0.010 ）分

1.95 (0.077)

1.60 (0.063)

阴极

BAR

0.15 (0.006)

0.10 (0.004)

0.6 (0.024)

0.40 (0.016)

0.20 (0.008)

2.85 (0.112)

2.50 (0.098)

文件编号： S8 -V - 3910.02-001 （ 4 ）

牧师03 - 日期：2004年08.November

17443

www.vishay.com

1.5 (0.059)

1.1 (0.043)

1.6 (0.063)

0.6 (0.024)

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威世半导体

消耗臭氧层物质的政策声明

这是威世半导体有限公司向政策

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩

相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及

他们对环境的影响。

这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息

被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质

并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为

对这些物质的早期禁令。

日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用

消耗臭氧层物质列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表

分别

2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计的权利

并且可以这样做，恕不另行通知。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证

客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有

索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔

损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

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