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分立半导体
数据表
1/3页（数据表）
M3D054
BAV100到BAV103
通用二极管
产品speci fi cation
取代1996年4月数据
1996年9月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
特点
小密封玻璃
SMD封装
开关速度：最大。 50纳秒
一般应用
连续反向电压：
最大。 50 V ， 100 V， 150 V和200 V
分别
反向重复峰值电压：
最大。 60 V ， 120 V ， 200 V和250 V
分别
重复峰值正向电流：
最大。 625毫安。
应用
开关在工业设备
例如示波器，数字
电压表和视频输出级
在彩色电视。
阴极指示的绿色带。
手册中， 4列
BAV100到BAV103
描述
该BAV100到BAV103是开关二极管编造平面技术，
并封装在小玻璃密闭SOD80C SMD封装。
k
a
MAM061
Fig.1简化外形（ SOD80C ）和符号。
1996年9月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
RRM
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
V
R
连续反向电压
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
I
F
I
FRM
I
FSM
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
t = 100
s
t=1s
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
见图2 ;注1
参数
反向重复峰值电压
条件
BAV100到BAV103
分钟。
马克斯。
60
120
200
250
50
100
150
200
250
625
V
V
V
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
65
9
3
1
400
+175
175
A
A
A
mW
°C
°C
1996年9月17日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
见图5
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 100 V
V
R
= 100V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
从我开机时，
F
= 30 mA至
I
R
= 30毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 3毫安;参见图8
条件
BAV100到BAV103
分钟。
马克斯。
1.0
1.25
100
100
100
100
100
100
100
100
5
50
V
V
单位
nA
A
nA
A
nA
A
nA
A
pF
ns
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
记
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
300
375
单位
K / W
K / W
1996年9月17日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
通用二极管
图形数据
BAV100到BAV103
手册， halfpage
300
MBH278
手册， halfpage
600
MBG459
IF
（MA ）
200
IF
（MA ）
400
(1)
(2)
(3)
100
200
0
0
100
TAMB （ C）
o
0
200
0
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
1
VF （ V）
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
手册，全页宽
10
2
MBG703
IFSM
(A)
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
TP （微秒）
10
4
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1996年9月17日
5
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