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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D050
BAT85
肖特基二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据03月20日
2000 5月25日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
特点
低正向电压
保护环
密闭铅玻璃
封装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
描述
BAT85
平面肖特基势垒二极管对静电综合保护环
放电时,封装在一个密闭的超小型SOD68
(DO- 34 )封装。二极管是适合于安装在一个2 E( 5.08毫米)节距。
k
手册, halfpage
a
MAM193
Fig.1简化外形( SOD68 ; DO - 34 ) ,引脚配置和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
I
F( AV )
参数
连续反向电压
连续正向电流
平均正向电流
条件
印刷电路板安装,引线长度= 4毫米;
V
RWM
= 25 V ; A = 1.57 ;
δ
= 0.5;
T
AMB
= 50
°C;
见图2
t
p
1 s;
δ
0.5
t
p
10毫秒
65
65
分钟。
马克斯。
30
200
200
V
mA
mA
单位
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
300
5
+150
125
+125
mA
A
°C
°C
°C
2000 5月25日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
t
rr
反向电流
反向恢复时间
V
R
= 25 V ;见图4
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图6
F = 1兆赫; V
R
= 1V ;见图5
240
320
400
500
800
2
4
条件
马克斯。
BAT85
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
ns
C
d
二极管电容
10
pF
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SOD68标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
320
单位
K / W
2000 5月25日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
图形数据
BAT85
MRA540
250
手册, halfpage
I F ( AV)
(MA )
200
10
3
手册, halfpage
IF
(MA )
10
2
(1) (2) (3)
MLD358
150
10
100
(1)
(2) (3)
1
50
0
0
50
100
TAMB ( C)
o
150
10
1
0
0.4
0.8
VF ( V)
1.2
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.3
图2降额曲线。
正向电流为正向功能
电压;典型值。
MGC682
MGC681
10
5
手册, halfpage
IR
( nA的)
10
4
手册, halfpage
12
(1)
d
(PF )
C
10
3
(2)
10
2
8
10
4
1
(3)
10
1
0
0
10
20
VR ( V)
30
0
10
20
V
R
(V)
30
(1) T
AMB
= 85
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
F = 1兆赫。
Fig.4
反向电流反向的函数
电压;典型值。
4
Fig.5
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2000 5月25日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
BAT85
手册, halfpage
I
F
的dI F
dt
10% t
Qr
90%
IR
tf
MRC129 - 1
图6反向恢复的定义。
2000 5月25日
5
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