【分立半导体数据表K， halfpageM3D050BAT81 ; BAT82 ; BAT83肖特基势】,IC型号BAT83,BAT83 PDF资料,BAT83经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

K， halfpage

M3D050

BAT81 ; BAT82 ; BAT83

肖特基势垒二极管

产品speci fi cation

取代1991年7月数据

1996年03月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管

特点

低正向电压

高的击穿电压

保护环

密闭铅玻璃

包

低电容二极管。

手册， halfpage

BAT81 ; BAT82 ; BAT83

描述

平面肖特基势垒二极管对静电综合保护环

放电时，封装在一个密闭的超小型SOD68

（DO- 34 ）封装。二极管是适合于安装在一个2 E（ 5.08毫米）节距。

应用

MAM193

超高速开关

电压钳位

保护电路

阻塞二极管。

Fig.1简化外形（ SOD68 ; DO - 34 ），引脚配置和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

BAT81

BAT82

BAT83

FRM

FSM

英镑

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

≤

1 s;

δ ≤

0.5

≤

10毫秒

参数

连续反向电压

150

500

150

125

°C

条件

分钟。

马克斯。

单位

1996年03月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管

电气特性

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

参数

正向电压

见图2

- 0.1毫安

= 1毫安

= 15毫安

反向电流

二极管电容

= V

RMAX

;见图3

BAT81 ; BAT82 ; BAT83

条件

马克斯。

330

410

200

1.6

单位

F = 1兆赫; V

= 1V ;见图4

热特性

符号

日J-一

记

1.参考SOD68标准安装条件。

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

320

单位

K / W

1996年03月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管

图形数据

MGC690

BAT81 ; BAT82 ; BAT83

手册， halfpage

（MA ）

手册， halfpage

（ nA的）

MGC689

(1)

(1) (2) (3)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V (V)

VR （ V）

(1) T

AMB

= 85

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

40 °C.

(1) T

AMB

= 85

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

40 °C.

Fig.2

正向电流为正向功能

电压;典型值。

Fig.3

反向电流反向的函数

电压;典型值。

2.0

（PF ）

1.5

MGC688

1.0

0.5

VR （ V）

F = 1兆赫。

Fig.4

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

1996年03月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管

包装外形

BAT81 ; BAT82 ; BAT83

手册，全页宽

0.55

最大

1.6

最大

25.4分

3.04

最大

25.4分

MSA212 - 1

尺寸（mm）。

阴极由色带表示。

该二极管是品牌类型。

图5 SOD68 ; （DO- 34）。

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或销售。

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

1996年03月20日

BAT81 - BAT83

产品特点：

低正向电压

高击穿电压

保护环

密封的含铅玻璃包装

低电容二极管。

无铅/符合RoHS免费

肖特基势垒二极管

DO - 34玻璃

0.063 （ 1.6 ）最大。

1.00 (25.4)

分钟。

机械数据：

案例：

DO- 34玻璃柜

重量：

约。 0.11克

阴极

标志

0.119 (3.04)

马克斯。

0.022 （ 0.55 ）最高。

1.00 (25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值和热特性

（评级为

参数

BAT81

连续反向电压

正向连续电流

重复峰值正向电流在TP

≤1s

非重复性峰值正向浪涌电流在TP

≤

10ms

功率耗散（无限散热器）

热阻结到环境空气

结温

存储温度范围

BAT82

BAT83

C环境温度，除非另有规定。）

符号

FRM

FSM

价值

(1)

单位

° C / W

°C

150

500

200

430

125

-65到+ 150

注：（1 ）有效的设置，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

反向电流

正向电压

二极管电容

第1页2

符号

测试条件

= V

RMAX

= 1毫安

= 15毫安

= 1V ， F = 1MHz的

民

典型值

最大

200

0.41

1.0

1.6

单位

启示录02 ： 2005年3月24日

额定值和特性曲线（ BAT81 - BAT83 ）

典型的正向特性

典型的反向特性

1000

TA = 25

正向电流，I

（MA ）

100

反向电流，I

（ nA的）

TA = 85

TA = 25

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

正向电压，V

(V)

反向电压， V

(V)

典型二极管电容为

反向电压的函数

2.0

二极管电容，镉（PF ）

1.5

1.0

0.5

反向电压， V

(V)

第2页2

启示录02 ： 2005年3月24日

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