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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第527页 > BAT754
分立半导体
数据表
AGE
M3D088
BAT754系列
肖特基势垒（双）二极管
产品speci fi cation
1999年8月05
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
特点
极低的正向电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管
低功耗
应用中，例如手持
应用程序。
描述
平面肖特基势垒二极管
封装在一个小型SOT23封装
塑料SMD封装。低正向
电压选择BAT54系列。
单二极管和双二极管
不同的钉扎是可用的。
记号
TYPE
数
BAT754
BAT754A
BAT754C
BAT754S
记号
CODE
2K
2L
2M
2N
Fig.2
BAT754单个二极管
配置（符号）。
Fig.5
1
顶视图
手册， 2列
BAT754系列
钉扎
BAT754
针
A
1
2
3
a
北卡罗来纳州
k
k
1
k
2
C
a
1
a
2
S
a
1
k
2
MLC360
3
1
2
a
1
, a
2
k
1
, k
2
k
1
, a
2
3
Fig.3
BAT754A二极管
配置（符号）。
3
1
2
1
MGC421
2
MLC359
Fig.1
简化的轮廓
（ SOT23 ）和引脚
配置。
Fig.4
BAT754C二极管
配置（符号）。
3
2
北卡罗来纳州
MLC357
3
1
2
MLC358
BAT754S二极管
配置（符号）。
1999年8月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
参数
条件
BAT754系列
分钟。
马克斯。
单位
30
200
300
600
+150
125
+125
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
65
65
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图6
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ ≤
0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT23标准安装条件。
参数
热阻结到
环境
注1
条件
价值
500
单位
K / W
反向电流
二极管电容
V
R
= 25 V ;注意1 ;见图7
F = 1兆赫; V
R
= 1V ;参见图8
600
200
260
340
420
2
10
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
参数
条件
典型值。
马克斯。
单位
1999年8月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
图形数据
MSA892
BAT754系列
10
3
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
2
(1) (2) (3)
10
3
IR
(A)
10
2
(2)
(1)
MSA893
10
10
1
(1)
(2) (3)
1
(3)
10
1
10
1
0
0.4
0.8
VF （ V）
1.2
0
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
10
20
VR （ V）
30
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.7
反向电流反向的函数
电压;典型值。
15
Cd
（PF ）
10
MSA891
5
0
0
10
20
V R （ V）
30
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年8月05
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BAT754系列
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年8月05
5
分立半导体
数据表
fpage
M3D088
BAT754系列
肖特基势垒（双）二极管
产品数据表
取代1999年的数据8月5日
2003年03月25
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
特点
极低的正向电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管
低功耗
应用中，例如手持
应用程序。
描述
平面肖特基势垒二极管
封装在一个小型SOT23封装
塑料SMD封装。低正向
电压选择BAT54系列。
单二极管和双二极管
不同的钉扎是可用的。
记号
类型编号
BAT754
BAT754A
BAT754C
BAT754S
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
= W ：中国制造。
记号
CODE
(1)
2K*
2L*
2M*
2N*
Fig.2
BAT754单个二极管
配置（符号）。
Fig.5
1
顶视图
手册， 2列
BAT754系列
钉扎
BAT754
针
A
1
2
3
a
北卡罗来纳州
k
k
1
k
2
C
a
1
a
2
S
a
1
k
2
MLC360
3
1
2
a
1
, a
2
k
1
, k
2
k
1
, a
2
3
Fig.3
BAT754A二极管
配置（符号）。
3
1
2
1
MGC421
2
MLC359
Fig.1
简化的轮廓
（ SOT23 ）和引脚
配置。
Fig.4
BAT754C二极管
配置（符号）。
3
2
北卡罗来纳州
MLC357
3
1
2
MLC358
BAT754S二极管
配置（符号）。
2003年03月25
2
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
参数
条件
BAT754系列
分钟。
马克斯。
单位
30
200
300
600
+150
125
+125
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
65
65
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图6
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
μs; δ ≤
0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT23标准安装条件。
参数
热阻结到
环境
注1
条件
价值
500
单位
K / W
反向电流
二极管电容
V
R
= 25 V ;注意1 ;见图7
F = 1兆赫; V
R
= 1V ;参见图8
600
200
260
340
420
2
10
mV
mV
mV
mV
mV
μA
pF
参数
条件
典型值。
马克斯。
单位
2003年03月25
3
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
图形数据
MSA892
BAT754系列
10
3
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
2
(1) (2) (3)
10
3
I
R
(μA)
10
2
(2)
(1)
MSA893
10
10
1
(1)
(2) (3)
1
(3)
10
1
10
1
0
0.4
0.8
VF （ V）
1.2
0
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
10
20
VR （ V）
30
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.7
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
15
MSA891
Cd
（PF ）
10
5
0
0
10
20
VR （ V）
30
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2003年03月25
4
恩智浦半导体
产品数据表
肖特基势垒（双）二极管
包装外形
BAT754系列
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236AB
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
99-09-13
2003年03月25
5
SMD型
肖特基势垒（双）二极管
BAT754系列
二极管
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
超高开关速度
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
-65
TP < 1 S; A < 0.5
TP = 8.3毫秒半正弦波， JEDEC的方法
-65
条件
民
最大
30
200
300
600
+150
125
+125
单位
V
mA
mA
mA
乐 TRIC一个L C h的RA科特RIS抽动式T A = 2 5
P一RA M E TE
S YM B○升
C 0 N D ITIO N s个
I
F
= 0 0.1米一
I
F
= 1米
F RW一个RD VO LTA克é
V
F
I
F
= 1 0微米的
I
F
= 3 0微米的
I
F
= 1 0 0为m的
已经RS权证④此吨
IO D E C时P是C东郡权证
N}÷ TE
1 。 P ü LS ê释T：吨
p
< 3 0 0
s;
0 .0 2 .
I
R
C
d
V
R
2 = 5 V ; N}÷ TE 1
F = 1 M·H ; V
R
= 1 V
600
2
10
米
米斧
200
260
340
420
加利IT
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
记号
TYPE
记号
BAT754
2K
BAT754A
2L
BAT754C
2M
BAT754S
2N
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
BAT754系列
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
超高开关速度
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
-65
TP < 1 S; A < 0.5
TP = 8.3毫秒半正弦波， JEDEC的方法
-65
条件
民
最大
30
200
300
600
+150
125
+125
单位
V
mA
mA
mA
乐 TRIC一个L C h的RA科特RIS抽动式T A = 2 5
P一RA M E TE
S YM B○升
C 0 N D ITIO N s个
I
F
= 0 0.1米一
I
F
= 1米
F RW一个RD VO LTA克é
V
F
I
F
= 1 0微米的
I
F
= 3 0微米的
I
F
= 1 0 0为m的
已经RS权证④此吨
IO D E C时P是C东郡权证
N}÷ TE
1 。 P ü LS ê释T：吨
p
< 3 0 0
s;
0 .0 2 .
I
R
C
d
V
R
2 = 5 V ; N}÷ TE 1
F = 1 M·H ; V
R
= 1 V
600
2
10
米
米斧
200
260
340
420
加利IT
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
记号
TYPE
记号
BAT754
2K
BAT754A
2L
BAT754C
2M
BAT754S
2N
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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B72220S250K101
BXB75-24S15FHT
B82144B1334J000
BC849C
B32653A0683
B82462G4103M
B82462-G4103-M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAT754
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
BAT754
NXP(恩智浦)
22+
39482
原装原厂公司现货
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BAT754
NEXPERIA
1744+
23288
SOT-23
只做原装实单申请
深圳市昭兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：575915585 复制

电话：0755-23991909
联系人：林裕忠
地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
BAT754
NEXPERIA/安世
17+
15000
SOT-23
原装进口低价实单必成
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BAT754
NEXPERIA
21+
23288
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳市百域芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004264855 复制

电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
BAT754
NEXPERIA
24+
150000
优质供应商，代理功率器件
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAT754
NEXPERIA
2019
79600
SOT23
原装正品 钻石品质 假一赔十
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制
电话：0755-23915992/23140719
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
BAT754
Nexperia/安世
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