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分立半导体
数据表
M3D071
BAT74
肖特基势垒二极管双
产品speci fi cation
取代1996年的数据3月19日
2001年9月5日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
特点
低正向电压
保护环
小型塑料SMD封装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
描述
平面肖特基势垒二极管双。两个独立的模
封装在一个SOT143B小型塑料SMD封装。
顶视图
BAT74
钉扎
1
2
3
4
描述
阴极(K
1
)
阴极(K
2
)
阳极(一个
2
)
阳极(一个
1
)
手册, halfpage
4
3
4
3
1
1
2
MAM194
2
记号
类型编号
BAT74
标识代码
L41
Fig.1
简化外形( SOT143B ) ,销
配置和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
V
R
I
F
I
FRM
1.如果两个二极管是正向操作在同一时刻,器件总电流为最大值。 110毫安。如果一个二极管是
相反的操作,另一种是在向前运行在同一时刻,器件总电流为最大值。 200毫安。
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
& LT ;
10毫秒
T
AMB
25
°C;
见图2
65
65
串联
连续正向电流
重复峰值正向电流
t
p
1 s;
δ ≤
0.5
30
200
300
600
230
+150
125
+125
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
V
V
mA
mA
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
双二极管操作
连续反向电压
30
60
110
(1)
200
2001年9月5日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SOT143B标准安装条件。
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
看科幻G.3
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安;注1
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
t
rr
反向电流
反向恢复时间
V
R
= 25 V ;注意2 ;见图4
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图6
F = 1兆赫; V
R
= 1V ;见图5
240
320
400
500
800
2
5
参数
条件
马克斯。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
500
BAT74
单位
K / W
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
ns
C
d
笔记
二极管电容
10
pF
正向电压1.温度系数
0.6%/K.
2.脉冲测试:吨
p
= 300s;
δ
= 0.02.
2001年9月5日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
BAT74
300
P合计
( mW)的
200
MSA894
MSA892
10
3
手册, halfpage
IF
(MA )
10
2
(1) (2) (3)
10
100
1
(1)
(2)
(3)
0
0
75
TAMB (
o
C)
150
10
1
0
0.4
0.8
VF ( V)
1.2
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.3
图2功率降额曲线。
正向电流为正向功能
电压;典型值。
10
3
I
R
(A)
10
2
(2)
(1)
MSA893
手册, halfpage
15
MSA891
Cd
(PF )
10
10
5
1
(3)
10
1
0
10
20
VR ( V)
30
0
0
10
20
VR ( V)
30
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
反向电流反向的函数
电压;典型值。
Fig.5
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2001年9月5日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管双
BAT74
手册, halfpage
I
F
的dI F
dt
10% t
Qr
90%
IR
tf
MRC129 - 1
图6反向恢复的定义。
2001年9月5日
5
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