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分立半导体

数据表

halfpage

MBD128

BAT74S

肖特基势垒二极管双

产品speci fi cation

取代1998年的数据2月06日

1998年7月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管双

特点

低正向电压

保护环

小型SMD封装。

应用

超高速开关

电压钳位

保护电路

阻塞二极管。

描述

平面肖特基势垒二极管双

具有集成保护环

应力保护。

两个独立的模具封装

在SOT363小SMD塑料

封装。

手册， 2列

BAT74S

钉扎

针

2,5

阳极（一个

)

没有连接

阴极（K

)

阳极（一个

)

阴极（K

)

描述

顶视图

标识代码：

74.

MSA370

MBK149

Fig.1简化外形（ SOT363 ）和符号。

1998年7月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管双

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

每二极管

FRM

FSM

合计

英镑

AMB

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

≤

1 s;

δ ≤

0.5

＆ LT ;

10毫秒

AMB

≤

°C;

见图2

串联

≤

1 s;

δ ≤

0.5

200

300

600

230

参数

条件

分钟。

BAT74S

马克斯。

单位

°C

+150

125

+125

双二极管操作

FRM

记

1.如果两个二极管是正向操作在同一时刻，器件总电流为最大值。 110毫安。如果一个二极管是

相反，另一个在向前操作在同一时刻，器件总电流是最大值。 200毫安。

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

110

(1)

200

1998年7月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管双

电气特性

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

每二极管

正向电压

看科幻G.3

- 0.1毫安

= 1毫安

= 10毫安

= 30毫安

= 100毫安

反向电流

反向恢复时间

= 25 V ;注意1 ;见图4

从我开机时，

= 10 mA至

= 10毫安;

= 100

;

测量我

= 1毫安

F = 1兆赫; V

= 1V ;见图5

240

320

400

500

800

参数

条件

BAT74S

马克斯。

单位

记

二极管电容

1.脉冲测试：吨

= 300

s; δ

= 0.02.

热特性

符号

日J-一

记

1.参考SOT363标准安装条件。

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

416

单位

K / W

1998年7月10日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒二极管双

图形数据

BAT74S

300

P合计

（ mW）的

200

MSA894

MSA892

手册， halfpage

（MA ）

(1) (2) (3)

100

(1)

(2)

(3)

TAMB

(

150

0.4

0.8

VF （ V）

1.2

(1) T

AMB

= 125

°C.

(2) T

AMB

= 85

°C.

(3) T

AMB

= 25

°C.

Fig.3

图2功率降额曲线。

正向电流为正向功能

电压;典型值。

(A)

(2)

MSA893

（PF ）

MSA891

(1)

(3)

VR （ V）

V R （ V）

(1) T

AMB

= 125

°C.

(2) T

AMB

= 85

°C.

(3) T

AMB

= 25

°C.

F = 1兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.4

反向电流反向的函数

电压;典型值。

Fig.5

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

1998年7月10日

SMD型

肖特基势垒二极管双

BAT74S

二极管

-363

+0.1

1.3

-0.1

0.65

单位：mm

特点

低正向电压

保护环

0.1max

+0.15

2.3

-0.15

0.525

0.36

小型SMD封装。

+0.1

0.3

-0.1

+0.1

2.1

-0.1

+0.05

0.1

-0.02

绝对最大额定值大= 25

参数

每二极管

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

双二极管操作

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

从结点到环境的热阻

记

1.如果两个二极管是正向操作在同一时刻，器件总电流为最大值。 110毫安。

如果一个二极管是反向，另一个在向前操作在同一时刻，器件总电流为最大值。 200毫安。

FRM

日J-一

1 s;

0.5

串联

110

(1)

符号

条件

民

+0.05

0.95

-0.05

最大

单位

FRM

FSM

英镑

AMB

-65

1 s;

＆ LT ; 10毫秒

-65

0.5

200

300

600

+150

125

+125

K / W

200

416

+0.1

1.25

-0.1

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SMD型

BAT74S

二极管

电气特性TA = 25

参数

符号

条件

- 0.1毫安

= 1毫安

正向电压

= 10毫安

= 30毫安

= 100毫安

反向电流

反向恢复时间

二极管电容

记

1.脉冲测试： TP = 300

s; = 0.02.

= 25 V ;注1

从我开机时，

= 10 mA至我

= 10毫安;

= 100

;测量我

= 1毫安

最大

200

260

340

420

750

单位

F = 1兆赫; V

= 1 V

记号

www.kexin.com.cn

产品speci fi cation

BAT74S

-363

+0.1

1.3

-0.1

0.65

单位：mm

特点

低正向电压

保护环

0.1max

+0.15

2.3

-0.15

0.525

0.36

小型SMD封装。

+0.1

0.3

-0.1

+0.1

2.1

-0.1

+0.05

0.1

-0.02

绝对最大额定值大= 25

参数

每二极管

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

双二极管操作

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

从结点到环境的热阻

记

1.如果两个二极管是正向操作在同一时刻，器件总电流为最大值。 110毫安。

如果一个二极管是反向，另一个在向前操作在同一时刻，器件总电流为最大值。 200毫安。

FRM

日J-一

1 s;

0.5

串联

110

(1)

符号

条件

民

+0.05

0.95

-0.05

最大

单位

FRM

FSM

英镑

AMB

-65

1 s;

＆ LT ; 10毫秒

-65

0.5

200

300

600

+150

125

+125

K / W

200

416

+0.1

1.25

-0.1

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

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产品speci fi cation

BAT74S

电气特性TA = 25

参数

符号

条件

- 0.1毫安

= 1毫安

正向电压

= 10毫安

= 30毫安

= 100毫安

反向电流

反向恢复时间

二极管电容

记

1.脉冲测试： TP = 300

s; = 0.02.

= 25 V ;注1

从我开机时，

= 10 mA至我

= 10毫安;

= 100

;测量我

= 1毫安

最大

200

260

340

420

750

单位

F = 1兆赫; V

= 1 V

记号

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