BAT54WT1
820
W
+10 V
2k
100
mH
0.1
mF
DUT
50
W
产量
脉冲
发电机
50
W
输入
采样
示波器
90%
V
R
输入信号
I
R
i
R（ REC ）
= 1毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R（ REC ）
= 1 mA）的
I
F
0.1
mF
t
r
10%
t
p
T
I
F
t
rr
T
注意事项： 1. 2.0千瓦的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为10毫安。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
等于10毫安。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
1 25°C
I
F
，正向电流（mA ）
I
R
，反向电流（毫安）
85°C
10
1 50°C
1.0
25°C
0.1
0.0
40°C
1000
T
A
= 150°C
100
10
1.0
T
A
= 85°C
0.1
0.01
0.001
0.2
0.3
0.4
0.1
0.5
V
F
，正向电压（伏）
0.6
0
5
15
25
10
20
V
R
，反向电压（伏）
30
T
A
= 125°C
55°C
T
A
= 25°C
图2.正向电压
图3.泄漏电流
14
C
T
，总电容（PF ）
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，反向电压（伏）
图4.总电容
http://onsemi.com
3
BAT54WT1
包装尺寸
SOT- 323 （ SC- 70 ）
CASE 419-04
ISSUE M
D
e1
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
MILLIMETERS
喃
最大
0.90
1.00
0.05
0.10
0.7 REF
0.35
0.40
0.18
0.25
2.10
2.20
1.24
1.35
1.30
1.40
0.65 BSC
0.425 REF
2.10
2.40
英寸
喃
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.017 REF
0.083
H
E
1
2
E
b
e
A
0.05 (0.002)
A2
L
c
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
民
0.80
0.00
0.30
0.10
1.80
1.15
1.20
民
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
最大
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
2.00
0.079
0.095
A1
方式2 ：
PIN 1.阳极
2.北卡罗来纳州
3.阴极
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
0.7
0.028
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
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电话：
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安森美半导体网站：
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有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
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4
BAT54WT1/D
乐山无线电公司， LTD 。
BAT54WT1
+10 V
820
2.0 k
0.1F
t
r
t
p
10%
t
I
F
t
rr
t
100
H
I
F
0.1
F
50
产量
脉冲
发电机
D.U.T.
50
输入
采样
示波器
90%
V
R
输入信号
I
R
i
R（ REC ）
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R（ REC ）
= 1.0 mA）的
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为10mA 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
等于10mA的电流。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
1000
T
A
= 150°C
I
R
，反向电流（ μA ）
I
F
，正向电流（mA ）
100
10
150°C
T
A
= 125°C
10
1.0
125°C
1.0
T
A
= 85°C
0.1
85°C
25°C
– 40°C
–55°C
0.01
T
A
= 25°C
0.001
0
5
10
15
20
25
30
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
F
，正向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图2.正向电压
图3.泄漏电流
14
12
C
T
总电容（ pF）的
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，反向电压（伏）
图4.总电容
BAT54WT1–2/2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BAT54WT1 / D
肖特基二极管
这些肖特基势垒二极管被设计用于高速切换应用，
短路保护，电压钳位。极低的正向电压降低
导通损耗。微型表面贴装封装非常适合手持和
便携式应用中，空间是有限的。
极快的开关速度
极低的正向电压 - 0.35伏（典型值） @ IF = 10 MADC
BAT54WT1
摩托罗拉的首选设备
30伏特
肖特基势垒
检测器和开关
二极管
3
阴极
1
阳极
1
2
3
CASE 419 - 02 ，花柱2
SOT- 323 （ SC - 70 ）
最大额定值
（ TJ = 125 ° C除非另有说明）
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25°C
减免上述25℃
正向工作电流（DC）的
结温
存储温度范围
符号
VR
PF
200
1.6
IF
TJ
TSTG
200最大
125最大
- 55 + 150
mW
毫瓦/°C的
mA
°C
°C
价值
30
单位
伏
器件标识
BAT54WT1 = B4
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（IR = 10
A)
总电容（ VR = 1.0 V，F = 1.0兆赫）
反向漏电流（ VR = 25 V ）
正向电压（ IF = 0.1 MADC ）
正向电压（ IF = 30 MADC ）
正向电压（ IF = 100 MADC ）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ， IR （ REC ） = 1.0 MADC ）图1
正向电压（ IF = 1.0 MADC ）
正向电压（ IF = 10 MADC ）
正向工作电流（DC）的
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流（T < 1.0秒）
热复合是贝格斯公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
符号
V（ BR ）R
CT
IR
VF
VF
VF
TRR
VF
VF
IF
IFRM
IFSM
民
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
7.6
0.5
0.22
0.41
0.52
—
0.29
0.35
—
—
—
最大
—
10
2.0
0.24
0.5
1.0
5.0
0.32
0.40
200
300
600
单位
伏
pF
μAdc
VDC
VDC
VDC
ns
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
REV 3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
BAT54WT1
820
+10 V
2k
100
H
0.1
F
DUT
50
产量
脉冲
发电机
50
输入
采样
示波器
90%
VR
输入信号
IR
IR（ REC ） = 1毫安
输出脉冲
（IF = IR = 10毫安;实测
在IR（ REC ）= 1 mA）的
IF
0.1
F
tr
10%
tp
t
IF
TRR
t
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为10 mA的正向电流（ IF ） 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使红外光谱（峰值）等于10毫安。
注意事项：
3. TP TRR
图1.恢复时间等效测试电路
100
IR ，反向电流（ μA ）
IF ，正向电流（mA ）
1000
TA = 150℃
100
TA = 125°C
10
1.0
TA = 85°C
0.1
0.01
TA = 25°C
0.001
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
5
VF ，正向电压（伏）
10
15
20
VR ，反向电压（伏）
25
30
10
1 50°C
1 25°C
1.0
85°C
25°C
– 40°C
– 55°C
0.1
0.0
图2.正向电压
图3.泄漏电流
14
（C T） ，总电容（PF ）
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
VR ，反向电压（伏）
图4.总电容
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BAT54WT1
对于采用SOT -323表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个函数
的集电极焊盘尺寸。这可以从最小变化
垫的大小为焊接到焊盘的尺寸定为最大
功耗。功耗为表面安装
装置由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热敏电阻
器件的结点至环境;和操作温度，
TA 。使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是200毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
0.625°C/W
= 200毫瓦
在0.625 ° C / W，假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的200毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合， 300毫瓦的功耗可
实现使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BAT54WT1
包装尺寸
A
L
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.035
0.049
0.012
0.016
0.047
0.055
0.000
0.004
0.004
0.010
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.031
0.039
0.079
0.087
0.012
0.016
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.90
1.25
0.30
0.40
1.20
1.40
0.00
0.10
0.10
0.25
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80
1.00
2.00
2.20
0.30
0.40
S
1
2
B
V
G
D
C
0.05 (0.002)
R N
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
R
S
V
H
方式2 ：
PIN 1.阳极
2.北卡罗来纳州
3.阴极
CASE 419-02
ISSUE
SOT- 323 （ SC- 70 ）
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 81-3-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
BAT54WT1/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BAT54WT1 / D
肖特基二极管
这些肖特基势垒二极管被设计用于高速切换应用，
短路保护，电压钳位。极低的正向电压降低
导通损耗。微型表面贴装封装非常适合手持和
便携式应用中，空间是有限的。
极快的开关速度
极低的正向电压 - 0.35伏（典型值） @ IF = 10 MADC
BAT54WT1
摩托罗拉的首选设备
30伏特
肖特基势垒
检测器和开关
二极管
3
阴极
1
阳极
1
2
3
CASE 419 - 02 ，花柱2
SOT- 323 （ SC - 70 ）
最大额定值
（ TJ = 125 ° C除非另有说明）
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25°C
减免上述25℃
正向工作电流（DC）的
结温
存储温度范围
符号
VR
PF
200
1.6
IF
TJ
TSTG
200最大
125最大
- 55 + 150
mW
毫瓦/°C的
mA
°C
°C
价值
30
单位
伏
器件标识
BAT54WT1 = B4
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（IR = 10
A)
总电容（ VR = 1.0 V，F = 1.0兆赫）
反向漏电流（ VR = 25 V ）
正向电压（ IF = 0.1 MADC ）
正向电压（ IF = 30 MADC ）
正向电压（ IF = 100 MADC ）
反向恢复时间
（IF = IR = 10 MADC ， IR （ REC ） = 1.0 MADC ）图1
正向电压（ IF = 1.0 MADC ）
正向电压（ IF = 10 MADC ）
正向工作电流（DC）的
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流（T < 1.0秒）
热复合是贝格斯公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
符号
V（ BR ）R
CT
IR
VF
VF
VF
TRR
VF
VF
IF
IFRM
IFSM
民
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
7.6
0.5
0.22
0.41
0.52
—
0.29
0.35
—
—
—
最大
—
10
2.0
0.24
0.5
1.0
5.0
0.32
0.40
200
300
600
单位
伏
pF
μAdc
VDC
VDC
VDC
ns
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
REV 3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
BAT54WT1
820
+10 V
2k
100
H
0.1
F
DUT
50
产量
脉冲
发电机
50
输入
采样
示波器
90%
VR
输入信号
IR
IR（ REC ） = 1毫安
输出脉冲
（IF = IR = 10毫安;实测
在IR（ REC ）= 1 mA）的
IF
0.1
F
tr
10%
tp
t
IF
TRR
t
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为10 mA的正向电流（ IF ） 。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使红外光谱（峰值）等于10毫安。
注意事项：
3. TP TRR
图1.恢复时间等效测试电路
100
IR ，反向电流（ μA ）
IF ，正向电流（mA ）
1000
TA = 150℃
100
TA = 125°C
10
1.0
TA = 85°C
0.1
0.01
TA = 25°C
0.001
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
5
VF ，正向电压（伏）
10
15
20
VR ，反向电压（伏）
25
30
10
1 50°C
1 25°C
1.0
85°C
25°C
– 40°C
– 55°C
0.1
0.0
图2.正向电压
图3.泄漏电流
14
（C T） ，总电容（PF ）
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
VR ，反向电压（伏）
图4.总电容
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BAT54WT1
对于采用SOT -323表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个函数
的集电极焊盘尺寸。这可以从最小变化
垫的大小为焊接到焊盘的尺寸定为最大
功耗。功耗为表面安装
装置由TJ （最大值）时，最大额定结确定
在模具中，R的温度
θJA
从热敏电阻
器件的结点至环境;和操作温度，
TA 。使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是200毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
0.625°C/W
= 200毫瓦
在0.625 ° C / W，假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的200毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合， 300毫瓦的功耗可
实现使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BAT54WT1
包装尺寸
A
L
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.035
0.049
0.012
0.016
0.047
0.055
0.000
0.004
0.004
0.010
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.031
0.039
0.079
0.087
0.012
0.016
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.90
1.25
0.30
0.40
1.20
1.40
0.00
0.10
0.10
0.25
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80
1.00
2.00
2.20
0.30
0.40
S
1
2
B
V
G
D
C
0.05 (0.002)
R N
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
R
S
V
H
方式2 ：
PIN 1.阳极
2.北卡罗来纳州
3.阴极
CASE 419-02
ISSUE
SOT- 323 （ SC- 70 ）
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具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
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亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
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