BAT54SWT1G / BAT54CWT1G肖特基二极管
2005年4月
BAT54SWT1G/BAT54CWT1G
肖特基二极管
接线图
3
BAT54SWT1G
BAT54CWT1G
3
3
1
2
记号
1
2
1
2
SOT-323
BAT54SWT1G = YB
BAT54CWT1G = YC
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
存储温度范围
工作结温
价值
30
200
600
-65到+125
-65到+125
单位
V
mA
mA
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
价值
232
430
单位
mW
° C / W
FR-4板（3.0
×
4.5
×
0.062 “ 1.0
×
0.5 “焊盘）
电气特性
符号
V
R
V
F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
I
R
= 10A
I
F
= 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 25V
条件
分钟。
30
马克斯。
240
320
400
500
0.8
2
10
5.0
单位
V
mV
mV
mV
mV
V
A
pF
ns
I
R
C
T
t
rr
反向漏
总电容
反向恢复时间
V
R
= 1V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
BAT54SWT1G / BAT54CWT1G版本A
BAT54SWT1G / BAT54CWT1G肖特基二极管
典型性能特性
图1.正向电压与温度
1E-3
图2.反向漏电流
与温度
0.1
1E-4
正向电流I
F
[A]
0.01
反向电流，I
R
[A]
125
°
C
100
°
C
125
°
C
1E-5
100
°
C
75
°
C
1E-3
1E-4
75
°
C
1E-6
1E-5
25
°
C
1E-7
25
°
C
1E-6
0.2
0.4
0.6
0.8
1E-8
0
10
20
30
正向电压降，V
F
[V]
反向电压， V
R
[V]
图3.电容VS反向偏置电压
20
18
Juntion电容，C
J
[ pF的]
15
13
10
8
5
3
0
0
2
4
6
8
10
反向电压， V
R
[V]
BAT54SWT1G / BAT54CWT1G版本A
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BAT54SWT1G / BAT54CWT1G肖特基二极管
BAT54SWT1G / BAT54CWT1G肖特基二极管
商标
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将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I15
3
BAT54SWT1G / BAT54CWT1G版本A
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BAT54SWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （每个二极管）
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
毫安）
总电容
(V
R
= 1.0 V，F = 1.0兆赫）
反向漏
(V
R
= 25 V)
正向电压
(I
F
= 0.1 MADC ）
正向电压
(I
F
= 30 MADC ）
正向电压
(I
F
= 100 MADC ）
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ，我
R（ REC ）
= 1.0 MADC ，图1）
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC ）
正向电压
(I
F
= 10 MADC ）
正向工作电流（DC）的
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流
（T < 1.0秒）
符号
V
（ BR ）R
C
T
I
R
V
F
V
F
V
F
t
rr
V
F
V
F
I
F
I
FRM
I
FSM
民
30
典型值
7.6
0.5
0.22
0.41
0.52
0.29
0.35
最大
10
2.0
0.24
0.5
0.8
5.0
0.32
0.40
200
300
600
单位
V
pF
MADC
VDC
VDC
VDC
ns
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
820
W
+10 V
2k
100
mH
0.1
mF
DUT
50
W
产量
脉冲
发电机
50
W
输入
采样
示波器
90%
V
R
输入信号
I
R
i
R（ REC ）
= 1毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R（ REC ）
= 1 mA）的
I
F
0.1
mF
t
r
10%
t
p
T
I
F
t
rr
T
注意事项： 1. 2.0千瓦的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为10毫安。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
等于10毫安。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
http://onsemi.com
2
BAT54SWT1
包装尺寸
SOT- 323 （ SC- 70 ）
CASE 419-04
ISSUE M
D
e1
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
MILLIMETERS
喃
最大
0.90
1.00
0.05
0.10
0.7 REF
0.35
0.40
0.18
0.25
2.10
2.20
1.24
1.35
1.30
1.40
0.65 BSC
0.425 REF
2.10
2.40
英寸
喃
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.017 REF
0.083
H
E
1
2
E
b
e
A
0.05 (0.002)
A2
L
c
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
民
0.80
0.00
0.30
0.10
1.80
1.15
1.20
民
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
最大
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
2.00
0.079
0.095
A1
风格9 ：
PIN 1.阳极
2.阴极
3.阴极 - 阳极
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
0.7
0.028
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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4
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