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分立半导体

数据表

OOK ， halfpage

M3D088

BAT54系列

肖特基势垒（双）二极管

产品speci fi cation

取代1996年的数据3月19日

1999年5月6日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

特点

低正向电压

保护环

小型塑料SMD封装。

应用

超高速开关

电压钳位

保护电路

阻塞二极管。

手册， 2列

BAT54系列

钉扎

BAT54

针

A

1

2

3

a

北卡罗来纳州

k

k

1

k

2

C

a

1

a

2

S

a

1

k

2

MLC360

3

1

2

a

1

, a

2

k

1

, k

2

k

1

, a

2

Fig.3

BAT54A二极管

配置（符号）。

3

描述

平面肖特基势垒二极管

封装在一个小型SOT23封装

塑料SMD封装。单二极管

和双二极管不同

钉扎是可用的。

顶视图

3

1

2

MLC359

1

2

MGC421

记号

类型编号

BAT54

BAT54A

BAT54C

BAT54S

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

记号

CODE

(1)

L4

L42

L43

L44

Fig.1

简化的轮廓

（ SOT23 ）和引脚

配置。

Fig.4

BAT54C二极管

配置（符号）。

3

1

2

北卡罗来纳州

MLC357

3

1

2

MLC358

Fig.2

BAT54单个二极管

配置（符号）。

Fig.5

BAT54S二极管

配置（符号）。

1999年5月6日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

每二极管

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

P

合计

T

英镑

T

j

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

总功耗（每包）

储存温度

结温

t

p

≤

1 s;

δ ≤

0.5

t

p

＆ LT ; 10毫秒

T

AMB

≤

25

°C

参数

条件

BAT54系列

分钟。

马克斯。

单位

30

200

300

600

230

+150

125

V

mA

mA

mA

mW

°C

°C

65

电气特性

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

每二极管

V

F

正向电压

见图6

I

F

- 0.1毫安

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 30毫安

I

F

= 100毫安

I

R

t

rr

反向电流

反向恢复时间

V

R

= 25 V ;见图7

从我开机时，

F

= 10毫安

到我

R

= 10毫安;

L

= 100

;

测量我

R

= 1毫安;

见图9

F = 1兆赫; V

R

= 1V ;参见图8

240

320

400

500

800

2

5

mV

mV

mV

mV

mV

A

ns

参数

条件

马克斯。

单位

C

d

二极管电容

10

pF

热特性

符号

R

日J-一

记

1.参考SOT23标准安装条件。

参数

热阻结到

环境

注1

条件

价值

500

单位

K / W

1999年5月6日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

图形数据

BAT54系列

MSA892

10

3

手册， halfpage

IF

（MA ）

10

2

(1) (2) (3)

10

3

IR

(A)

10

2

(2)

(1)

MSA893

10

10

1

(1)

(2)

(3)

1

(3)

10

1

10

1

0

0.4

0.8

VF （ V）

1.2

0

(1) T

AMB

= 125

°C.

(2) T

AMB

= 85

°C.

(3) T

AMB

= 25

°C.

10

20

VR （ V）

30

(1) T

AMB

= 125

°C.

(2) T

AMB

= 85

°C.

(3) T

AMB

= 25

°C.

Fig.6

正向电流为正向功能

电压;典型值。

Fig.7

反向电流反向的函数

电压;典型值。

15

Cd

（PF ）

MSA891

手册， halfpage

I

F

10

的dI F

dt

5

10% t

Qr

90%

0

0

10

20

V R （ V）

30

IR

tf

MRC129 - 1

F = 1兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.8

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

图9反向恢复的定义。

1999年5月6日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BAT54系列

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年5月6日

5

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