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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第440页 > BAT54S-GS08
BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
小信号肖特基二极管,单&双
特点
这些二极管具有极低的导通电压,
快速切换。
这些设备由一个PN结保护
防过电压,如保护环
静电放电。
BAT54
3
BAT54A
3
机械数据
案例:
SOT- 23塑料外壳
重量:
约。 8.8毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3
18034
顶视图
1
2
1
2
BAT54C
3
BAT54S
3
顶视图
1
2
1
2
零件表
部分
BAT54
BAT54A
BAT54C
BAT54S
订购代码
BAT54 - GS18或BAT54 - GS08
BAT54A - GS18或BAT54A - GS08
BAT54C - GS18或BAT54C - GS08
BAT54S - GS18或BAT54S - GS08
L4
L42
L43
L44
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌电流
功耗
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
价值
30
200
1)
300
1)
600
1)
230
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒
I
FSM
P
合计
设备上的玻璃基板,见下页的布局。
文档编号85508
修订版1.6 , 24 -NOV- 04
www.vishay.com
1
BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到
ambiant空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
= T
英镑
T
S
价值
430
1)
- 65至+ 150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板,见下页的布局。
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
正向电压
测试条件
I
R
= 100
A
脉冲
脉冲测试吨
p
& LT ; 300
s, δ
为< 2 %
V
R
= 25 V
I
F
= 0.1毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 1毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 10毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 30毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 100毫安,吨
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
I
F
= 10通过I毫安
R
= 10毫安
到我
rr
= 1毫安,R
L
= 100
符号
V
( BR )
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
合计
t
rr
30
2
240
320
400
500
1000
10
5
典型值。
最大
单位
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
布局的R
thJA
TEST
厚度:
玻纤1.5毫米( 0.059英寸)
铜导线0.3毫米( 0.012英寸)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
12 (0.47)
15 (0.59)
0.8 (0.03)
2 (0.8)
1 (0.4)
2 (0.8)
5 (0.2)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
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2
文档编号85508
修订版1.6 , 24 -NOV- 04
BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
1000
100
I
F
以mA
T
J
= 125°C
ˇ
ˇ
T
J
= -40°C
10
1
0.1
0.01
0
0.2
0.4
ˇ
中T = 25℃
J
18025
0.6 0.8
V
F
在V
1.0
1.2 1.4
图1.典型正向电压正向电流的不同
温度
14
12
10
C
in
pF
8
6
4
2
0
0
4
8
16
12
V
R
在V
20
24
28
18026
图2.典型电容℃,与反向应用电压V
R
1000
100
I
R
in
A
10
1
0.1
0.01
0
18027
T
J
= 125°ˇ
C
T
J
= 100°ˇ
C
T
J
= 75°ˇ
C
T
J
= 50ˇ°C
ˇ
T
J
= 25°C
5
10
15
V
R
in
V
20
25
30
反向电流图3.典型变化的各种
温度
文档编号85508
修订版1.6 , 24 -NOV- 04
www.vishay.com
3
BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
单位:mm包装尺寸(英寸)
1.15 (.045)
0.175 (.007)
0.098 (.005)
0.1( 0.004 )最大。
0.4 (.016)
0.4 (.016)
2.6 (.102)
2.35 (.092)
0.95 (.037)
ISO方法E
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
3
1.43 (.056)
1.20(.047)
贴装焊盘布局
0.52 (0.020)
0.9 (0.035)
2.0 (0.079)
1
0.95 (.037)
2
0.95 (.037)
0.95 (0.037)
0.95 (0.037)
17418
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4
文档编号85508
修订版1.6 , 24 -NOV- 04
BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
文档编号85508
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BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
小信号肖特基二极管,单&双
特点
这些二极管具有极低的导通电压,
快速切换。
这些设备由一个PN结保护
防过电压,如保护环
静电放电。
BAT54
3
BAT54A
3
机械数据
案例:
SOT- 23塑料外壳
重量:
约。 8.8毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3
18034
顶视图
1
2
1
2
BAT54C
3
BAT54S
3
顶视图
1
2
1
2
零件表
部分
BAT54
BAT54A
BAT54C
BAT54S
订购代码
BAT54 - GS18或BAT54 - GS08
BAT54A - GS18或BAT54A - GS08
BAT54C - GS18或BAT54C - GS08
BAT54S - GS18或BAT54S - GS08
L4
L42
L43
L44
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌电流
功耗
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
价值
30
200
1)
300
1)
600
1)
230
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒
I
FSM
P
合计
设备上的玻璃基板,见下页的布局。
文档编号85508
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1
BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到
ambiant空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
= T
英镑
T
S
价值
430
1)
- 65至+ 150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板,见下页的布局。
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
正向电压
测试条件
I
R
= 100
A
脉冲
脉冲测试吨
p
& LT ; 300
s, δ
为< 2 %
V
R
= 25 V
I
F
= 0.1毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 1毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 10毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 30毫安,T
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
I
F
= 100毫安,吨
p
& LT ; 300
s, δ
& LT ; 2 %
二极管电容
反向恢复时间
V
R
= 1 V , F = 1兆赫
I
F
= 10通过I毫安
R
= 10毫安
到我
rr
= 1毫安,R
L
= 100
符号
V
( BR )
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
合计
t
rr
30
2
240
320
400
500
1000
10
5
典型值。
最大
单位
V
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
布局的R
thJA
TEST
厚度:
玻纤1.5毫米( 0.059英寸)
铜导线0.3毫米( 0.012英寸)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
12 (0.47)
15 (0.59)
0.8 (0.03)
2 (0.8)
1 (0.4)
2 (0.8)
5 (0.2)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
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威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
1000
100
I
F
以mA
T
J
= 125°C
ˇ
ˇ
T
J
= -40°C
10
1
0.1
0.01
0
0.2
0.4
ˇ
中T = 25℃
J
18025
0.6 0.8
V
F
在V
1.0
1.2 1.4
图1.典型正向电压正向电流的不同
温度
14
12
10
C
in
pF
8
6
4
2
0
0
4
8
16
12
V
R
在V
20
24
28
18026
图2.典型电容℃,与反向应用电压V
R
1000
100
I
R
in
A
10
1
0.1
0.01
0
18027
T
J
= 125°ˇ
C
T
J
= 100°ˇ
C
T
J
= 75°ˇ
C
T
J
= 50ˇ°C
ˇ
T
J
= 25°C
5
10
15
V
R
in
V
20
25
30
反向电流图3.典型变化的各种
温度
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威世半导体
单位:mm包装尺寸(英寸)
1.15 (.045)
0.175 (.007)
0.098 (.005)
0.1( 0.004 )最大。
0.4 (.016)
0.4 (.016)
2.6 (.102)
2.35 (.092)
0.95 (.037)
ISO方法E
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
3
1.43 (.056)
1.20(.047)
贴装焊盘布局
0.52 (0.020)
0.9 (0.035)
2.0 (0.079)
1
0.95 (.037)
2
0.95 (.037)
0.95 (0.037)
0.95 (0.037)
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BAT54 / 54A / 54C / 54S
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
文档编号85508
修订版1.6 , 24 -NOV- 04
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAT54S-GS08
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:102428443 复制 点击这里给我发消息 QQ:22838748 复制

电话:13715365718
联系人:党小姐
地址:深圳市宝安区沙井中心路大钟岗工业区丰平路3栋1楼
BAT54S-GS08
NXP/ST/VISHAY
24+
16000
SOT23-3
原装现货,真实库存,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
BAT54S-GS08
VISHAY/威世
24+
95000
SOT-23
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
BAT54S-GS08
VISHAY/威世
24+
12850
SOT-23
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BAT54S-GS08
VISHAY
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
BAT54S-GS08
VISHAY/威世
2017+
30000
SOT-23
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ:962143175 复制

电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
BAT54S-GS08
VISH
24+
32883
SOT23
公司现货,全新原厂原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BAT54S-GS08
VISHAY/威世
24+
9634
SOT-23
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BAT54S-GS08
VISH
1922+
6852
SOT23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BAT54S-GS08
VISHAY
21+22+
62710
SOT-23
原装正品
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