BAT42,BAT43
性S E M I C 0 N D ü （C T）
小信号肖特基二极管
DO-35
小信号
CHOTTKY二极管
WWW.JIFUSEMICON.COM
特点
对于一般用途的应用
这些二极管具有极低的导通电压和快速
切换。这些器件由一个PN保护
防止过度结保护环
电压，例如静电放电。
这些二极管也可在Mini - MELF情况
同类型名称LL42的SOD- 123的情况下，以LL43and
同类型指定BAT42W到BAT43W ，在微型MELF情况
同类型指定MCL42到MCL43
机械数据
例
:
DO- 35玻璃柜
极性：
颜色频带端为负极
重量
:
约。 0.13克
尺寸以英寸（毫米）
绝对额定值（极限值）
符号
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
A
=25 C
重复峰值正向电流在T
p
浪涌正向电流在t
p
功耗
1)
在T
A
=65 C
结温
工作环境
温度范围
储存温度
范围
价值
30
200
500
4
200
125
-65至+ 125
-65到+ 150
1)
1)
1)
1)
单位
V
mA
mA
A
mW
C
C
C
1s,
d
0.5,
T
A
=25 C
10毫秒，T
A
=25 C
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
J
T
A
T
英镑
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
电气特性
符号
反向击穿电压测试100
m
脉冲A
正向电压脉冲测试吨
p
在我
F
=200mA,
ATI
F
=10mA,
ATI
F
=50mA,
在我
F
= 2毫安，
ATI
F
=15mA,
300
m
s,
d
2%
分钟。
30
1
0.4
0.65
0.33
0.45
0.5
100
7
5
300
1)
典型值。
马克斯。
清华紫光
V
V
V
V
V
V
mA
mA
pF
ns
%
K / W
V
（ BR ）R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
C
合计
TRR
BAT42
BAT42
BAT43
BAT43
在V 2 ％
R
=25V,
0.26
漏电流脉冲测试吨
p
300
m
s ,
d
T
J
= 25℃ ;在V
R
= 25V ，T
J
=100 C
结电容在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
反向恢复时间的形式我
F
=10mA,through
I
R
= 1毫安
L
=100
W
为R检测效率
L
=15K
W
C
L
= 300pF ， F = 45MHz时，V
R
=2V
80
热阻结到环境空气
R
q
JA
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度（ DO- 35）的
2-19
济南景恒CO 。 ， LTD 。
51号和平路公关中国
电话： 86-531-6943657
传真： 86-531-6947096
BAT42和BAT43
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用。
这些二极管具有极低的导通电压和快速
切换。这些器件由一个PN结保护件保护
防过电压，如静电释放环
收费
该二极管也可在MiniMELF例类型
指定LL42到LL43 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
=25
o
C
重复峰值正向电流
在tp<1s ，
？ ＆ LT ;
0.5, T
AMB
=25
o
C
浪涌正向电流在t
p
<10ms ，T
AMB
=25
o
C
功耗
(1)
在T
AMB
=65
o
C
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
j
T
AMB
T
S
价值
30
200
500
4
(1)
单位
伏
mA
mA
安培
mW
o
(1)
(1)
200
300
(1)
(1)
C / W
o
125
-65到+125
-65到+150
C
C
C
o
o
电气特性
(T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
反向击穿电压
漏电流
脉冲测试吨
p
<300
u
s,
δ
<2%
正向电压
脉冲测试吨
p
<300
u
s,
δ
<2%
BAT42 ， 43
BAT42
BAT43
BAT43
BAT43
符号
V
（ BR ）R
I
R
测试条件
I
R
=100
u
A（脉冲）
V
R
=25V
V
R
= 25V ，T
j
=100
O
C
I
F
=200mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=2mA
I
F
=15mA
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA,
I
rr
= 1毫安，R
L
=100
R
L
=15K
, C
L
=300pF
F = 45MHz时，V
RF
=2V
分钟。
30
-
-
-
-
-
0.26
-
-
-
80
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
马克斯。
-
0.5
100
1.0
0.40
0.65
0.33
0.45
-
5
-
单位
伏
uA
V
F
伏特
电容
反向恢复时间
检测效率
注意事项：
C
合计
t
rr
η
½
pF
ns
%
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
680
BAT42和BAT43
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用。
这些二极管具有极低的导通电压和快速
切换。这些器件由一个PN结保护件保护
防过电压，如静电释放环
收费
该二极管也可在MiniMELF例类型
指定LL42到LL43 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
=25
o
C
重复峰值正向电流
在tp<1s ，
？ ＆ LT ;
0.5, T
AMB
=25
o
C
浪涌正向电流在t
p
<10ms ，T
AMB
=25
o
C
功耗
(1)
在T
AMB
=65
o
C
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
j
T
AMB
T
S
价值
30
200
500
4
(1)
单位
伏
mA
mA
安培
mW
o
(1)
(1)
200
300
(1)
(1)
C / W
o
125
-65到+125
-65到+150
C
C
C
o
o
电气特性
(T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
反向击穿电压
漏电流
脉冲测试吨
p
<300
u
s,
δ
<2%
正向电压
脉冲测试吨
p
<300
u
s,
δ
<2%
BAT42 ， 43
BAT42
BAT43
BAT43
BAT43
符号
V
（ BR ）R
I
R
测试条件
I
R
=100
u
A（脉冲）
V
R
=25V
V
R
= 25V ，T
j
=100
O
C
I
F
=200mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=2mA
I
F
=15mA
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA,
I
rr
= 1毫安，R
L
=100
R
L
=15K
, C
L
=300pF
F = 45MHz时，V
RF
=2V
分钟。
30
-
-
-
-
-
0.26
-
-
-
80
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
马克斯。
-
0.5
100
1.0
0.40
0.65
0.33
0.45
-
5
-
单位
伏
uA
V
F
伏特
电容
反向恢复时间
检测效率
注意事项：
C
合计
t
rr
η
½
pF
ns
%
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
680
BAT42 ， BAT43
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这些二极管具有极低的导通
电压和反对的快速保护环
过大的电压，例如静电
放电
这些二极管，可以在可用的
SOD- 123案件的类型名称
BAT42W -V以BAT43W -V和MiniMELF
SOD- 80的情况下与类型名称LL42至
LL43.
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
94 9367
机械数据
案例：
DO-35
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每弹药带（52毫米磁带） ， 50 K /盒TAP / 10千
零件表
部分
BAT42
BAT43
/
订购代码
BAT42 - TR或BAT42 -TAP
BAT43 - TR或BAT43 -TAP
键入标记
BAT42
BAT43
备注
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
价值
30
200
1)
500
1)
4
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
A
mW
t
p
< 1秒，
δ
＆ LT ; 0.5
t
p
＆ LT ; 10毫秒
T
AMB
= 65 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85660
修订版1.6 ， 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BAT42 ， BAT43
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
125
- 65至+ 125
- 65 + 150
单位
K / W
°C
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
1)
测试条件
I
R
= 100微安（脉冲）
V
R
= 25 V
V
R
= 25 V ，T
j
= 100 °C
I
F
= 200毫安
I
F
= 10毫安
正向电压
1)
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
二极管电容
反向恢复时间
整改高效化
1)
部分
符号
V
（ BR ）
I
R
I
R
V
F
民
30
典型值。
最大
0.5
100
1000
400
650
单位
V
A
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
BAT42
BAT42
BAT43
BAT43
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
t
rr
η
v
80
7
260
330
450
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时，我
R
= 10毫安，
i
R
= 1毫安，R
L
= 100
Ω
R
L
= 15 kΩ的，C
L
= 300 pF的，
F = 45 MHz时， V
RF
= 2 V
5
ns
%
脉冲测试吨
p
< 300微秒，T
p
/ T < 0.02
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
250
P
合计
- 功耗（MW ）
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
100
125 °C
- 40 °C
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
10
1
25 °C
0.1
0.01
0
18442
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
18443
200
400
600
800
1000 1200
V
F
- 正向
电压
（毫伏）
图1.容许功耗与环境温度
图2.典型的正向特性
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85660
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.6 ， 05 - 8 - 10
BAT42 ， BAT43
威世半导体
1000
I
R
- 反向Leackage电流（ μA ）
14
C
D
- 二极管电容（pF ）
125 °C
100
12
10
8
6
4
2
0
100 °C
75 °C
10
1
50 °C
25 °C
0.1
0.01
0
10
20
30
40
V
R
- 反向
电压
(V)
50
0
18445
5
10
15
20
25
30
18444
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.典型的反向特性
图4.典型电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-35
阴极鉴定
0.55 。 （ 0.022 ）最大
26 （ 1.024 ）分钟。
3.9 （ 0.154 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85660
修订版1.6 ， 05 - 8 - 10
1.7 (0.067)
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
1.5 (0.059)
DO35
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
2
文档编号84001
修订版1.3 ， 12 -FEB -07
BAT42 ， BAT43
肖特基二极管
DO-35
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
特点
对于一般用途的应用
这些二极管具有极低的开启
马克斯。
.079 (2.0)
最大。 0.150 （3.8）
上电压和快速切换。这些
装置由一个PN结保护
防过电压，这种保护环
静电放电。
案件的类型名称BAT42W到BAT43W
并在MiniMELF例类型
名称LL42到LL43 。
阴极
标志
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
这些二极管也可在SOD- 123
马克斯。
.020 (0.52)
机械数据
尺寸以英寸（毫米）
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
= 25 °C
重复峰值正向电流
在T
p
< 1秒，
δ
< 0.5 ，T
AMB
= 25 °C
浪涌正向电流在t
p
< 10毫秒，T
AMB
= 25 °C
功耗
1)
在T
AMB
= 65 °C
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
价值
30
200
1)
500
1)
4
1)
200
1)
125
-65到+125
-65到+150
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
j
T
AMB
T
S
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
4/98
BAT42 ， BAT43
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
反向击穿电压
100测试
A
脉冲
正向电压
脉冲测试吨
p
＆ LT ; 300
s, δ
＆ LT ; 2 ％
在我
F
= 200毫安
在我
F
= 10毫安
在我
F
= 50毫安
在我
F
= 2毫安
在我
F
= 15毫安
漏电流
脉冲测试吨
p
＆ LT ; 300
s, δ
＆ LT ; 2 ％
在V
R
= 25 V
在V
R
= 25 V ，T
j
= 100 °C
电容
在V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
从我
F
= 10通过I毫安
R
= 10 mA至我
R
= 1毫安，
R
L
= 100
检测效率
在r
L
= 15 kΩ的，C
L
= 300 pF的，
F = 45 MHz时， V
RF
= 2 V
热阻结到环境空气
1)
分钟。
30
典型值。
–
马克斯。
–
单位
V
V
（ BR ）R
BAT42
BAT42
BAT43
BAT43
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
–
–
–
0.26
–
–
–
–
–
–
1
0.4
0.65
0.33
0.45
V
V
V
V
V
I
R
I
R
C
合计
t
rr
–
–
–
–
–
–
7
–
0.5
100
–
5
A
A
pF
ns
η
v
80
–
–
%
R
thJA
–
–
0.3
1)
K /毫瓦
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
BAT 42
BAT 43
小信号肖特基二极管
描述
通用，金属硅二极管特色
非常低的导通电压快速切换。
这些器件集成了防
excessivevoltage如electrostaticdischarges 。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
L
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值电流Fordware
浪涌不重复正向电流*
功耗*
储存和结温范围
在从案例10秒，在4毫米用于焊接最高温度
T
a
= 25
°
C
t
p
≤
1s
δ ≤
0.5
t
p
= 10ms的
T
l
= 65
°
C
DO 35
（玻璃）
价值
30
200
500
4
200
- 65 + 150
- 65 + 125
230
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
热阻
符号
R
号（j -a）的
结到环境*
测试条件
价值
300
单位
°
C / W
*在无限的散热器采用4mm引线长度
1999年8月版： 1A
1/4
BAT 42 / BAT 43
包装机械数据
35 DO玻璃
尺寸
B
注1 C
A
B
ê注1
O
C
/
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.50
2.00
英寸
分钟。
0.120
0.060
0.500
马克斯。
0.177
0.079
A
B
O
D
/
注2
O
D
/
3.05
1.53
12.7
0.458
C
D
0.558
0.018
0.022
冷却方法：通过对流和传导
标记：清晰，环在阴极结束。
重量： 0.15克
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照
通过暗示，或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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意法半导体。
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BAT42/BAT43
威世半导体
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这些二极管具有极低的导通
e2
电压和反对exces-快速保护环
西伯电压，如静电释放
收费
这些二极管也可在SOD123可用
案件的类型名称BAT42W -V以
BAT43W -V和MiniMELF SOD80情况与
型号标识LL42到LL43 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每弹药带（52毫米磁带） ， 50 K /盒TAP / 10千
零件表
部分
BAT42
BAT43
/
订购代码
BAT42 - TR或BAT42 -TAP
BAT43 - TR或BAT43 -TAP
键入标记
BAT42
BAT43
备注
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
1)
测试条件
符号
V
RRM
价值
30
200
1)
500
1)
4
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
A
mW
T
AMB
= 25 °C
t
p
< 1秒，
δ
< 0.5 ，T
AMB
= 25 °C
t
p
< 10毫秒，T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 65 °C
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
文档编号85660
修订版1.5 ， 27 -FEB- 07
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1
BAT42/BAT43
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
125
- 65至+ 125
- 65 + 150
单位
K / W
°C
°C
°C
有效的提供，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
漏电流
1)
正向电压
1)
测试条件
I
R
= 100微安（脉冲）
V
R
= 25 V
V
R
= 25 V ，T
j
= 100 °C
I
F
= 200毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 15毫安
二极管电容
反向恢复时间
整改高效化
1)
部分
符号
V
（ BR ）
I
R
I
R
V
F
民
30
典型值。
最大
0.5
100
1000
400
650
单位
V
A
A
mV
mV
mV
mV
mV
pF
ns
%
BAT42
BAT42
BAT43
BAT43
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
t
rr
η
v
80
7
260
330
450
5
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时，我
R
= 10毫安，
i
R
= 1毫安，R
L
= 100
Ω
R
L
= 15 kΩ的，C
L
= 300 pF的，
F = 45 MHz时， V
RF
= 2 V
脉冲测试吨
p
< 300微秒，T
p
/ T < 0.02
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
250
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
125 °C
- 40 °C
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
10
1
25 °C
0.1
0.01
0
18442
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
18443
200
400
600
800
1000 1200
V
F
- 正向
电压
（毫伏）
图1.容许功耗与环境温度
图2.典型的反向特性
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2
文档编号85660
修订版1.5 ， 27 -FEB- 07
BAT42/BAT43
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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4
文档编号85660
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日前，Vishay
放弃
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或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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