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BAT41
肖特基二极管
DO-35
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
特点
对于一般用途的应用
该二极管featutres低导通电压
马克斯。
.079 (2.0)
最大。 0.150 （3.8）
和高击穿电压。该装置
由一个PN结保护环
对过大的电压，如电 -
静电放电。
同类型指定LL41 。
阴极
标志
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
该二极管也可在MiniMELF情况
马克斯。
.020 (0.52)
机械数据
尺寸以英寸（毫米）
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
= 25 °C
重复峰值正向电流
在T
p
< 1秒， @ < 0.5 ，T
AMB
= 25 °C
正向电流浪涌
在T
p
= 10毫秒，T
AMB
= 25 °C
功耗，T
AMB
= 25 °C
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
价值
100
100
1)
350
1)
750
1)
400
1)
125
-65到+125
-65到+150
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I
SFM
P
合计
T
j
T
AMB
T
S
有效的提供，导致在从情况下的距离为4mm的被保持在环境温度。
4/98
BAT41
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
测试条件
反向击穿电压
100测试
A
/ 300
s
脉冲
正向电压
脉冲测试吨
p
= 300
s
在我
F
= 1毫安
在我
F
= 200毫安
漏电流
脉冲测试吨
p
= 300
s
在V
R
= 50 V ，在T
j
= 25 °C
在V
R
= 50 V ，在T
j
= 100 °C
电容
在V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间
从我
F
= 10毫安，为我
R
= 10 mA至我
R
= 1毫安
R
L
= 100欧姆
热阻
结到环境空气
1)
符号
V
（ BR ）R
分钟。
100
典型值。
110
马克斯。
–
单位
V
V
F
V
F
–
–
0.40
–
0.45
1.0
V
V
I
R
I
R
C
合计
t
rr
–
–
–
–
–
–
2
5
100
20
–
–
nA
A
pF
ns
R
thJA
–
–
300
1)
K / W
有效的提供，导致在从情况下的距离为4mm的被保持在环境温度。
BAT 41
小信号肖特基二极管
描述
通用金属硅二极管特色
非常低的导通电压和快速切换。
该器件集成了防EX-
cessive电压如静电放电。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
T
L
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流*
重复峰值正向电流*
浪涌不重复正向电流*
功耗*
储存和结温范围
在10秒的4毫米最大无铅焊接温度的
从案例
T
a
= 25
°C
t
p
≤
1s
δ ≤
0.5
t
p
≤
10ms
T
a
= 95°C
DO 35
（玻璃）
价值
100
100
350
750
100
- 65 + 150
- 65 + 125
230
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
热阻
符号
R
号（j -a）的
结到环境*
测试条件
价值
300
单位
° C / W
电气特性
静态特性
符号
V
BR
V
F
* *
I
R
* *
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
测试条件
I
R
= 100A
I
F
= 1毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 50V
分钟。
100
0.4
0.45
1
0.1
20
A
典型值。
马克斯。
单位
V
V
动态特性
符号
C
T
j
= 25°C
测试条件
V
R
= 1V
F = 1MHz的
分钟。
典型值。
2
马克斯。
单位
pF
*在无限的散热器采用4mm引线长度
* *脉冲测试：吨
p
≤
300s
φ <
2%.
1999年8月版： 1A
1/4
BAT 41
图1.正向电流与正向
在不同温度下的电压（典型
值）。
图2.正向电流与正向
电压（典型值）。
图3.反向电流与结
温度。
图4.反向电流与连续
反向电压（典型值）。
2/4
BAT 41
图5.电容C与反
施加的电压V
R
（典型值）。
3/4
BAT 41
包装机械数据
35 DO玻璃
尺寸
REF 。
B
注1 C
A
B
ê注1
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.50
2.00
0.558
3.05
1.53
12.7
0.458
英寸
分钟。
0.120
0.060
0.500
0.018
0.022
马克斯。
0.177
0.079
/
O
C
A
B
C
D
/
O
D
注2
O
D
/
冷却方法：通过对流和传导
标记：清晰，环在阴极结束。
重量： 0.15克
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照
通过暗示，或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面许可，意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
4/4
BAT41
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用。
该二极管具有极低的导通电压和高击穿
电压。这个装置是由一个PN结保护环
对过大的电压，例如静电放电
该二极管也可在MiniMELF例类型
指定LL41 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
=25
o
C
重复峰值正向电流
在tp<1s ， @
＆ LT ;
0.5, T
AMB
=25
o
C
浪涌正向电流在t
p
= 10毫秒，T
AMB
=25
o
C
在T功耗
AMB
=25
o
C
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
j
T
AMB
T
S
价值
100
100
350
750
400
300
(1)
单位
伏
mA
mA
mA
mW
o
(1)
(1)
(1)
(1)
C / W
o
125
-65到+125
-65到+150
C
C
C
o
o
电气特性
(T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
反向击穿电压
漏电流
(2)
正向电压
电容
反向恢复时间
(2)
(2)
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
合计
t
rr
测试条件
I
R
=100
uA
V
R
= 50V ，T
j
=25 C
V
R
= 50V ，T
j
=100
O
C
I
F
=1mA
I
F
=200mA
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA,
I
rr
= 1毫安，R
L
=100
O
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
典型值。
110
-
-
0.40
-
2
5
马克斯。
-
100
20
0.45
1.0
-
-
单位
伏
nA
uA
伏特
pF
ns
注意事项：
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
2.脉冲检验，t
p
=300uS
678
收视率和特性曲线
679
BAT41
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用。
该二极管具有极低的导通电压和高击穿
电压。这个装置是由一个PN结保护环
对过大的电压，例如静电放电
该二极管也可在MiniMELF例类型
指定LL41 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
=25
o
C
重复峰值正向电流
在tp<1s ， @
＆ LT ;
0.5, T
AMB
=25
o
C
浪涌正向电流在t
p
= 10毫秒，T
AMB
=25
o
C
在T功耗
AMB
=25
o
C
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
j
T
AMB
T
S
价值
100
100
350
750
400
300
(1)
单位
伏
mA
mA
mA
mW
o
(1)
(1)
(1)
(1)
C / W
o
125
-65到+125
-65到+150
C
C
C
o
o
电气特性
(T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
反向击穿电压
漏电流
(2)
正向电压
电容
反向恢复时间
(2)
(2)
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
合计
t
rr
测试条件
I
R
=100
uA
V
R
= 50V ，T
j
=25 C
V
R
= 50V ，T
j
=100
O
C
I
F
=1mA
I
F
=200mA
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA,
I
rr
= 1毫安，R
L
=100
O
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
典型值。
110
-
-
0.40
-
2
5
马克斯。
-
100
20
0.45
1.0
-
-
单位
伏
nA
uA
伏特
pF
ns
注意事项：
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
2.脉冲检验，t
p
=300uS
678
收视率和特性曲线
679
BAT41
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用。
该二极管具有极低的导通电压和高击穿
电压。这个装置是由一个PN结保护环
对过大的电压，例如静电放电
该二极管也可在MiniMELF例类型
指定LL41 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流在T
AMB
=25
o
C
重复峰值正向电流
在tp<1s ， @
＆ LT ;
0.5, T
AMB
=25
o
C
浪涌正向电流在t
p
= 10毫秒，T
AMB
=25
o
C
在T功耗
AMB
=25
o
C
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
j
T
AMB
T
S
价值
100
100
350
750
400
300
(1)
单位
伏
mA
mA
mA
mW
o
(1)
(1)
(1)
(1)
C / W
o
125
-65到+125
-65到+150
C
C
C
o
o
电气特性
(T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
反向击穿电压
漏电流
(2)
正向电压
电容
反向恢复时间
(2)
(2)
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
合计
t
rr
测试条件
I
R
=100
uA
V
R
= 50V ，T
j
=25 C
V
R
= 50V ，T
j
=100
O
C
I
F
=1mA
I
F
=200mA
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
I
F
= 10毫安，我
R
=10mA,
I
rr
= 1毫安，R
L
=100
O
分钟。
100
-
-
-
-
-
-
典型值。
110
-
-
0.40
-
2
5
马克斯。
-
100
20
0.45
1.0
-
-
单位
伏
nA
uA
伏特
pF
ns
注意事项：
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
2.脉冲检验，t
p
=300uS
678
收视率和特性曲线
679
BAT41
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
和高击穿电压。该装置
由一个PN结保护环
对过大的电压，如
静电放电
这个二极管也是一个MiniMELF可用
例类型指定LL41
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
94 9367
机械数据
案例：
DO-35
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
BAT41
/
订购代码
BAT41 - TR或BAT41 -TAP
键入标记
BAT41
备注
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
价值
100
100
1)
350
1)
750
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒，
δ
＆ LT ; 0.5
t
p
= 10毫秒
T
AMB
= 65 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85659
修订版1.6 ， 12 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BAT41
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
125
- 65至+ 125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
2)
漏电流
2)
正向电压
2)
二极管电容
2)
测试条件
I
R
= 100 A
V
R
= 50 V ，T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V ，T
j
= 100 °C
I
F
= 1毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
（ BR ）
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
分钟。
100
典型值。
110
马克斯。
100
20
单位
V
nA
A
mV
mV
pF
400
2
450
1000
脉冲测试，T
p
= 300 s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
250
I
R
- 反向漏电流（ NA）
100000
T
j
= 125 °C
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
10000
100 °C
75 °C
50 °C
1000
100
25 °C
50
10
1
0
0
20225
50
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
150
20226
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.容许功耗与环境温度
图2.典型的反向特性
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85659
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.6 ， 12 - 8 - 10
BAT41
威世半导体
1000
100
T
j
= 125
°
C
10
1
- 40 °C
0.1
0.01
0
18641
5.0
4.5
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（mA ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
°C
200
400
600
800
1000
1200
20227
V
F
- 前进
电压
（毫伏）
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图4.典型电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-35
阴极鉴定
0.55 。 （ 0.022 ）最大
26 （ 1.024 ）分钟。
3.9 （ 0.154 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85659
修订版1.6 ， 12 - 8 - 10
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1.7 (0.067)
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3
1.5 (0.059)
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
BAT41
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
和高击穿电压。该装置
由一个PN结保护环
对过大的电压，如
静电放电
这个二极管也是一个MiniMELF可用
例类型指定LL41
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
94 9367
机械数据
案例：
DO-35
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
BAT41
/
订购代码
BAT41 - TR或BAT41 -TAP
键入标记
BAT41
备注
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
RRM
I
F
价值
100
100
1)
350
1)
750
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
t
p
< 1秒，
δ
＆ LT ; 0.5
t
p
= 10毫秒
T
AMB
= 65 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85659
修订版1.6 ， 12 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
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1
BAT41
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
125
- 65至+ 125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
2)
漏电流
2)
正向电压
2)
二极管电容
2)
测试条件
I
R
= 100 A
V
R
= 50 V ，T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V ，T
j
= 100 °C
I
F
= 1毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
（ BR ）
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
分钟。
100
典型值。
110
马克斯。
100
20
单位
V
nA
A
mV
mV
pF
400
2
450
1000
脉冲测试，T
p
= 300 s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
250
I
R
- 反向漏电流（ NA）
100000
T
j
= 125 °C
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
10000
100 °C
75 °C
50 °C
1000
100
25 °C
50
10
1
0
0
20225
50
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
150
20226
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.容许功耗与环境温度
图2.典型的反向特性
www.vishay.com
2
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修订版1.6 ， 12 - 8 - 10
BAT41
威世半导体
1000
100
T
j
= 125
°
C
10
1
- 40 °C
0.1
0.01
0
18641
5.0
4.5
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（mA ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
°C
200
400
600
800
1000
1200
20227
V
F
- 前进
电压
（毫伏）
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图4.典型电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-35
阴极鉴定
0.55 。 （ 0.022 ）最大
26 （ 1.024 ）分钟。
3.9 （ 0.154 ）最大。
26 （ 1.024 ）分钟。
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85659
修订版1.6 ， 12 - 8 - 10
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1.7 (0.067)
www.vishay.com
3
1.5 (0.059)
DO35
威世半导体
DO35
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极鉴定
0.55最大。 （ 0.022 ）
1.7 (0.067)
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号84001
修订版1.3 ， 12 -FEB -07
www.vishay.com
1
1.5 (0.059)
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
DO35
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
2
文档编号84001
修订版1.3 ， 12 -FEB -07
BAT41
V
RRM
: 100V
产品特点：
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压和高
击穿电压。此装置由一个受保护的
防过电压PN结保护环，
如静电放电
这个二极管也可在MiniMELF情况
同类型指定LL41
无铅/符合RoHS免费
肖特基二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
（评级为
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
重复峰值正向电流在TP < 1S
正向浪涌电流在TP = 10毫秒，
功耗
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
D
R
θ
JA
T
J
Ta
T
S
价值
100
100
(1)
350
(1)
750
(1)
单位
V
mA
mA
mA
W
° C / W
°C
°C
°C
400
(1)
300
(1)
125
-65至+ 125
-65到+ 150
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向击穿电压
反向电流
(2)
(2)
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
Cd
TRR
测试条件
I
R
= 100
A
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ，T
J
= 100
°C
I
F
= 1毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1mHz的
I
F
= 10毫安，我
R
= 10毫安，
IRR = 1毫安，R
L
= 100
民
100
-
-
-
-
-
-
典型值
110
-
-
0.4
-
2
5
最大
-
100
20
0.45
1.0
-
-
单位
V
nA
A
V
pF
ns
正向电压降
(2)
二极管电容
反向恢复时间
注意：
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
（ 2 ）脉冲测试， TP = 300μS
第1页1
启示录02 ： 2005年3月24日
BAT41
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压
和高击穿电压。该装置
e2
由一个PN结保护环
对过大的电压，例如静电
放电
这个二极管也可在MiniMELF情况
同类型指定LL41
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
BAT41
/
订购代码
BAT41 - TR或BAT41 -TAP
键入标记
BAT41
备注
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
T
AMB
= 25 °C
t
p
< 1秒，
δ
< 0.5 ，T
AMB
= 25 °C
t
p
= 10毫秒，T
AMB
25 °C
T
AMB
= 65 °C
符号
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
价值
100
100
1)
350
1)
750
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mA
mW
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85659
修订版1.5 ， 26 -FEB -07
www.vishay.com
1
BAT41
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
300
1)
125
- 65至+ 125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
2)
漏电流
2)
正向电压
2)
二极管电容
2)
测试条件
I
R
= 100 A
V
R
= 50 V ，T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V ，T
j
= 100 °C
I
F
= 1毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
（ BR ）
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
民
100
典型值。
110
最大
100
20
单位
V
nA
A
mV
mV
pF
400
2
450
1000
脉冲测试，T
p
= 300 s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
250
I
R
- 反向漏电流（ NA）
100000
T
j
= 125 °C
P
合计
- 功耗（MW ）
200
150
100
10000
100 °C
75 °C
50 °C
1000
100
25 °C
50
10
1
0
0
20225
50
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
150
20226
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.容许功耗与环境温度
图2.典型的反向特性
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文档编号85659
修订版1.5 ， 26 -FEB -07
BAT41
威世半导体
1000
100
T
j
= 125
°
C
10
1
- 40 °C
0.1
0.01
0
18641
5.0
4.5
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（mA ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
°C
200
400
600
800
1000
1200
20227
V
F
- 前进
电压
（毫伏）
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图4.典型电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO35
阴极鉴定
0.55最大。 （ 0.022 ）
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85659
修订版1.5 ， 26 -FEB -07
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
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3
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
BAT41
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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文档编号85659
修订版1.5 ， 26 -FEB -07
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
BAT41
小信号肖特基二极管
电压范围：
100
V
当前位置：
百毫安
特点
对于一般用途的应用
该二极管具有极低的导通电压
和快速切换。这些设备被保护
通过防过PN结保护环
电压，例如静电放电
DO - 35 （玻璃）
机械数据
案例： JEDEC DO - 35 ，玻璃柜
极性：颜色频带端为负极
重量：约。 0.13克
单位：毫米
绝对额定值
符号
连续反向电压
FORW ARD连续电流
重复峰值
正向电流
浪涌FORW ARD电流
POW ER耗散
价值
100
100
1)
350
1)
750
1)
100
1)
-55 ---+ 125
230
c-55
---+ 150
单位
V
mA
mA
mA
mW
V
RRM
@T
A
=25
tp≤1s,δ≤0.5
@tp≤10ms
@T
A
=95
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
J
T
L
T
英镑
结温
工作温度范围
存储温度范围
1)
在无限的散热器与
4mm
引线长度。
电气特性
符号
反向击穿电压
@I
R
= 100μ A，T
j
=25
FORW ARD电压
@ I
F
=1mA,T
j
=25
@ I
F
=200mA,T
j
=25
漏电流
VR=50V
@T
j
=25
@T
j
=100
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
BR
100
-
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
0.45
V
V
F
V
1.0
0.1
20
20
300
1)
I
R
C
J
R
θJA
A
pF
/W
-
-
-
结电容VR = 1V ， F = 1MHz的
热阻结到环境
2 ）脉冲测试tp<300 S，
<2%
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BAT41
小信号肖特基二极管
评级和Charactieristic曲线
图1 - 容许功耗VS.
环境
温度
图。 2 - 典型瞬时FORWORD
特征
1000
正向电流，
100
100
T
J
=125
微安
T
J
= 25
10
50
1
T
J
= -4 0
0.1
0
0.01
100
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
环境温度（
℃
)
正向电压， VOLT
图。 3 - 典型的反向特性
图4 - 典型结电容
1000
14
结电容， pF的
REBERSE漏电流，
M
ILLI安培
100
T
J
= 1 2 5
100
12
10
8
6
4
2
0
10
75
1
50
25
0 .1
0 .0 1
0
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
反向电压， VOLT
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