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分立半导体
数据表
lfpage
M3D121
BAS86
肖特基二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据10月1日
2000 5月25日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
特点
低正向电压
高的击穿电压
保护环
密闭小型SMD
封装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
阴极用灰色带表示。
MAM190
BAS86
描述
平面肖特基势垒二极管与
对综合保护环
静电放电。
这表面贴装二极管
封装在一个密闭
SOD80C玻璃SMD封装
镀锡的金属圆盘在每一端。它
适用于“自动布局”
同样地,它可以承受
浸焊。
手册, halfpage
k
a
Fig.1简化外形( SOD80C ) ,引脚配置和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
I
F( AV )
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
连续反向电压
连续正向电流
平均正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
见图2
t
p
1秒;
δ ≤
0.5
t
p
= 10毫秒
条件
65
65
分钟。
马克斯。
50
200
200
500
5
+150
125
+125
V
mA
mA
mA
A
°C
°C
°C
单位
2000 5月25日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
I
R
t
rr
C
d
1.脉冲测试:吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SOD80标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
反向电流
反向恢复时间
二极管电容
V
R
= 40 V ;见图4 ;注1
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
R
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图6
F = 1兆赫; V
R
= 1V ;见图5
300
380
450
600
900
5
4
8
条件
马克斯。
BAS86
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
ns
pF
价值
320
单位
K / W
2000 5月25日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
图形数据
BAS86
MRA540
250
手册, halfpage
I F ( AV)
(MA )
200
10
3
手册, halfpage
IF
(MA )
10
2
(1) (2) (3)
MLD357
150
10
100
(1)
(2) (3)
1
50
0
0
50
100
TAMB ( C)
o
150
10
1
0
0.4
0.8
VF ( V)
1.2
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.3
图2降额曲线。
正向电流为正向功能
电压;典型值。
MGC686
10
5
手册, halfpage
IR
( nA的)
4
10
MGC687
(1)
手册, halfpage
12
Cd
(PF )
(2)
8
10
3
10
2
10
(3)
1
10
1
4
0
0
10
20
30
40
VR ( V)
50
0
10
20
30
40
VR ( V)
50
(1) T
AMB
= 85
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
F = 1兆赫。
Fig.4
反向电流反向的函数
电压;典型值。
Fig.5
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2000 5月25日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基二极管
BAS86
手册, halfpage
I
F
的dI F
dt
10% t
Qr
90%
IR
tf
MRC129 - 1
图6反向恢复的定义。
2000 5月25日
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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