BAS86
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
这个二极管具有极低的导通电压。
该装置由一个PN结保护
e2
防过电压，这种保护环
静电放电。
金属对硅肖特基势垒装置，该装置是
由一个PN结保护环。
低正向压降和快速开关
使其非常适用于保护MOS器件， steer-
荷兰国际集团，偏置和耦合二极管快速切换
和低逻辑电平的应用
这个二极管也可在DO35例
类型名称BAT86 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9371
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃的情况下SOD80
重量：
约。 31毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
应用
应用程序，其中一个非常低的正向电压
需要
零件表
部分
BAS86
订购代码
BAS86 - GS18或BAS86 - GS08
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
正向连续电流
重复峰值正向电流
功耗
1)
1)
测试条件
T
AMB
= 25 °C
t
p
< 1秒，T
AMB
= 25 °C,
½ ≤
0.5
T
AMB
= 25 °C
符号
V
R
I
F
I
FRM
P
合计
价值
50
200
1)
500
1)
200
1)
单位
V
mA
mA
mW
有效的条件是电极被保持在环境温度
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
工作环境温度
范围
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
AMB
T
S
价值
300
1)
125
- 65至+ 125
- 65 + 150
单位
K / W
°C
°C
°C
有效的条件是电极被保持在环境温度
文档编号85511
修订版1.7 ， 03 -MAR -06
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威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85511
修订版1.7 ， 03 -MAR -06
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BAS86
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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日前，Vishay
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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