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BAS81...BAS83
威世德律风根
肖特基势垒二极管
特点
D
对静态显示的综合保护环
收费
D
D
D
D
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
94 9371
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
测试条件
TYPE
BAS81
BAS82
BAS83
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
T
j
T
英镑
价值
40
50
60
500
150
30
125
–65...+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°
C
°
C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
结温
存储温度范围
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
t
p
=1s
最大热阻
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
测试条件
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
=V
RMAX
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
TYPE
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值
最大
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
反向电流
二极管电容
文档编号85509
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS81...BAS83
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
14
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
V
R
= 60 V
12
10
8
6
4
2
0
25
15794
1000
100
T
j
= 150°C
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0.01
50
75
100
125
150
15796
R
thJA
=
540K/W
P
R
-limit
@100%V
R
P
R
-limit
@80%V
R
I
F
- 正向电流（ A）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
1000.0
V
R
= V
RRM
图3.正向电流与正向电压
2.0
1.8
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
15797
f=1MHz
I
R
- 反向电流（
m
A )
100.0
10.0
1.0
0.1
25
15795
50
75
100
125
150
1.0
10.0
100.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85509
第3版， 01日至4月99
BAS81...BAS83
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12070
文档编号85509
第3版， 01 -APR- 99
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3 (4)
BAS81...BAS83
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85509
第3版， 01日至4月99
BAS81 /八十三分之八十二
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9371
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MiniMELF玻璃的情况下SOD80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS81
BAS82
BAS83
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS81 - GS18或BAS81 - GS08
BAS82 - GS18或BAS82 - GS08
BAS83 - GS18或BAS83 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
BAS81
BAS82
BAS83
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85509
修订版1.7 ， 15 -MAR -06
www.vishay.com
1
BAS81 /八十三分之八十二
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
14
1000
P - 反向功率耗散（MW ）
R
V
R
= 60
V
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
4
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
12
P
R
- 100 ％的上限
V
R
R
R
10
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
1
0.1
25
15795
50
75
100
125
150
15794
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
文档编号85509
修订版1.7 ， 15 -MAR -06
BAS81 /八十三分之八十二
威世半导体
1000
2.0
100
T
j
=150 °C
10
T
j
= 25 °C
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
F
- 正向电流（ A）
1
0.1
0.01
0
15796
0
0.5
1
1.5
2.0
15797
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
V
R
- 反向
电压
(V)
图4.二极管电容与反向电压
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
0.47最大。 （ 0.019 ）
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
1.25 （ 0.049 ）分
2.0 （ 0.079 ）分
5.0 （ 0.197 ）参考
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录7 - 日期： 07.February.2005
96 12070
文档编号85509
修订版1.7 ， 15 -MAR -06
www.vishay.com
3
BAS81 /八十三分之八十二
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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4
文档编号85509
修订版1.7 ， 15 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
BAS81 /八十三分之八十二
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例： MiniMELF玻璃柜（ SOD- 80 ）
重量：约。 30毫克
阴极带颜色：黑色
绝对最大额定值
参数
反向电压
测试条件
部分
B A S 81
B A S 82
B A S 83
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 1 s
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明）
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
热特性
参数
交界处的环境
结温
Stroage温度范围
测试条件
在PC板
50毫米X 50毫米X 1.6毫米
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明）
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
-65到+150
单位
K / W
o
o
C
C
电气特性
参数
正向电压
I
F
=0.1
mA
I
F
=1
mA
I
F
=15
mA
反向电流
二极管电容
V
R
=V
R最大。
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
I
R
C
D
V
F
测试条件
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
696
典型特征
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明）
单位：mm包装尺寸（英寸）
697
BAS81 ， BAS82 ， BAS83
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS81
BAS82
BAS83
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS81 - GS18或BAS81 - GS08
BAS82 - GS18或BAS82 - GS08
BAS83 - GS18或BAS83 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS81
BAS82
BAS83
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85509
修订版1.8 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BAS81 ， BAS82 ， BAS83
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
分钟。
典型值。
马克斯。
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
15794
1000
I
R
- 反向电流（ μA ）
12
V
R
=
V
RRM
100
10
1
50
75
100
125
150
15795
0.1
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功耗对比
结温
图2.反向电流与结温
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85509
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.8 ， 23 10年7月
BAS81 ， BAS82 ， BAS83
威世半导体
1000
2.0
100
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 25 °C
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
F
- 正向电流（mA ）
1
0.1
0.01
0
15796
0
0.5
1
1.5
2.0
15797
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号85509
修订版1.8 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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3
2 （ 0.079 ）分钟。
法律免责声明
www.vishay.com
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
BAS81 ， BAS82 ， BAS83
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
94 9371
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MiniMELF SOD- 80
重量：
约。 31毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
BAS81
BAS82
BAS83
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS81 - GS18或BAS81 - GS08
BAS82 - GS18或BAS82 - GS08
BAS83 - GS18或BAS83 - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS81
BAS82
BAS83
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85509
修订版1.8 ， 23 10年7月
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1
BAS81 ， BAS82 ， BAS83
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
分钟。
典型值。
马克斯。
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
15794
1000
I
R
- 反向电流（ μA ）
12
V
R
=
V
RRM
100
10
1
50
75
100
125
150
15795
0.1
25
50
75
100
125
150
T
j
- 结温（ ° C）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.最大。反向功耗对比
结温
图2.反向电流与结温
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BAS81 ， BAS82 ， BAS83
威世半导体
1000
2.0
100
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 25 °C
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
F
- 正向电流（mA ）
1
0.1
0.01
0
15796
0
0.5
1
1.5
2.0
15797
0.1
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MiniMELF SOD- 80
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
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MiniMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
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启示录
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修订版1.3 12 -JAN- 07
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继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
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除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
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修订： 11 -MAR- 11
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1
BAS81...BAS83
威世德律风根
肖特基势垒二极管
特点
D
对静态显示的综合保护环
收费
D
D
D
D
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
94 9371
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
测试条件
TYPE
BAS81
BAS82
BAS83
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
T
j
T
英镑
价值
40
50
60
500
150
30
125
–65...+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°
C
°
C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
结温
存储温度范围
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
t
p
=1s
最大热阻
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
测试条件
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
=V
RMAX
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
TYPE
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值
最大
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
反向电流
二极管电容
文档编号85509
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS81...BAS83
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
14
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
V
R
= 60 V
12
10
8
6
4
2
0
25
15794
1000
100
T
j
= 150°C
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0.01
50
75
100
125
150
15796
R
thJA
=
540K/W
P
R
-limit
@100%V
R
P
R
-limit
@80%V
R
I
F
- 正向电流（ A）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
1000.0
V
R
= V
RRM
图3.正向电流与正向电压
2.0
1.8
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
15797
f=1MHz
I
R
- 反向电流（
m
A )
100.0
10.0
1.0
0.1
25
15795
50
75
100
125
150
1.0
10.0
100.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
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2 (4)
文档编号85509
第3版， 01日至4月99
BAS81...BAS83
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12070
文档编号85509
第3版， 01 -APR- 99
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BAS81...BAS83
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85509
第3版， 01日至4月99
分立半导体
数据表
lfpage
M3D121
BAS81 ; BAS82 ; BAS83
肖特基势垒二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据09月30日
1998年6月24日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
特点
低正向电压
高的击穿电压
保护环
密闭小型SMD
包
低电容二极管。
手册， halfpage
BAS81 ; BAS82 ; BAS83
描述
平面肖特基势垒二极管与
对综合保护环
静电放电。这种表面
装二极管被封装在一个
密封SOD80C玻璃
SMD封装，镀锡金属
光盘在各端。它适合于
“自动布局” ，因此它
能承受浸泡焊接。
k
a
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
阴极用灰色带表示。
MAM190
Fig.1简化外形（ SOD80C ） ，引脚配置和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
R
BAS81
BAS82
BAS83
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
= 1 s
参数
连续反向电压
65
40
50
60
30
150
500
+150
125
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
1998年6月24日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
见图2
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD80标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
;见图3
F = 1兆赫; V
R
= 2 V ;见图4
条件
BAS81 ; BAS82 ; BAS83
马克斯。
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
条件
价值
320
单位
K / W
1998年6月24日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
图形数据
MGC690
BAS81 ; BAS82 ; BAS83
10
2
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
10
4
手册， halfpage
IR
（ nA的）
10
3
(1) (2) (3)
10
2
MGC689
(1)
(2)
10
1
1
(3)
(1) (2) (3)
10
1
10
2
10
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VF （ V）
0
20
40
VR （ V）
60
(1) T
AMB
= 85
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
(1) T
AMB
= 85
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.2
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.3
反向电流反向的函数
电压;典型值。
2.0
Cd
（PF ）
1.5
MGC688
1.0
0.5
0
0
15
30
45
VR （ V）
60
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1998年6月24日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒二极管
包装外形
密封玻璃表面贴装封装; 2连接器
BAS81 ; BAS82 ; BAS83
SOD80C
k
(1)
a
D
L
H
L
外形尺寸（mm是原始尺寸）
0
单位
mm
D
1.60
1.45
H
3.7
3.3
L
0.3
1
规模
2 mm
记
1.带标记表示阴极。
概要
VERSION
SOD80C
参考文献：
IEC
100H01
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-06-20
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
1998年6月24日
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