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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第38页 > BAS79D
BAS79A...BAS79D
硅开关二极管
切换应用程序
高的击穿电压
共阴极
4
总功耗，
T
S
= 114 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻




3
2
2, 4
1
3
EHA00005
1
VPS05163
TYPE
BAS79A
BAS79B
BAS79C
BAS79D
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
记号
BAS 79A
BAS 79B
BAS 79C
BAS 79D
1 = A1
1 = A1
1 = A1
1 = A1
引脚配置
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
包
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
BAS
79A
50
50
BAS
79B
100
100
1
1
10
1.2
BAS
79C
200
200
BAS
79D
400
400
单位
V
A
正向电流浪涌，T = 1秒
W
°C
150
-65 ... 150

30
K / W
1
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
击穿电压
I
（ BR ）
= 100 A
BAS79A
BAS79B
BAS79C
BAS79D
正向电压
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
反向电流
V
R
=
V
RMAX
反向电流
V
R
=
V
RMAX
,
T
A
= 150 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
t
rr
,
-
1
-
C
D
-
10
-
单位
马克斯。
V
典型值。
V
（ BR ）
50
100
200
400
V
F
-
-
I
R
I
R
-
-
-
-
-
-
1.6
2
1
50
-
-
-
-
-
-
-
-
A
pF
s
反向恢复时间测试电路
DUT
t
r
10%
t
p
t
Ι
F
示波器
90%
V
R
2



脉冲发生器：
t
p
= 10s,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ，
R
i
= 50

I
F
= 200毫安，
I
R
= 200毫安，
R
L
= 100
在测
I
R
= 200毫安
Ι
F
t
rr
t
Ι
R
= 20毫安
EHN00021
示波器：
R
= 50 ,
t
r
= 0.35ns ，
C
1pF
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
正向电流
I
F
=
f
(
T
S
)
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
T
A
= 25°C
10
1
BAS 79A .... D
EHB00050
1200
mA
1000
900
800
Ι
F
A
10
0
I
F
700
600
500
400
300
200
100
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
-1
10
-2
10
-3
0
1
V
V
F
2
T
S
反向电流
I
R
=
f
(
T
A
)
V
R
=
V
RMAX
10
5
nA
BAS 79A .... D
EHB00051
Ι
R
10
4
5
典型值。
最大
10
3
5
10
2
5
10
1
0
50
100
T
A
C
150
3
Aug-20-2001
硅开关二极管
BAS 79
... BAS 79
q
切换应用程序
q
高的击穿电压
q
共阴极
TYPE
BAS 79
BAS 79 B
BAS 79
BAS 79
记号
BAS 79
BAS 79 B
BAS 79
BAS 79
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-A914
Q62702-A915
Q62702-A916
Q62702-A917
引脚配置
包
1)
SOT-223
最大额定值
参数
符号
BAS
79 A
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌，
t
= 1
s
总功耗，
T
S
= 114 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
1)
2)
值
BAS
BAS
79 B
79 C
100
100
1
1
10
1.2
150
– 65 … + 150
200
200
单位
BAS
79 D
400
400
A
V
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
50
50
W
C
R
日JA
R
日JS
≤
170
≤
30
K / W
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BAS 79
... BAS 79
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
I
（ BR ）
= 100
A
V
（ BR ）
BAS 79
BAS 79 B
BAS 79
BAS 79
V
F
–
–
I
R
–
–
–
–
1
50
–
–
1.6
2
A
值
典型值。
马克斯。
单位
V
50
100
200
400
–
–
–
–
–
–
–
–
正向电压
1)
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
反向电流
V
R
=
V
R最大
V
R
=
V
R最大
T
A
= 150 C
AC特性
二极管电容
V
R
= 0,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
I
F
= 200毫安，
I
R
= 200毫安，
R
L
= 100
在测
I
R
= 20毫安
反向恢复时间测试电路
C
D
t
rr
–
–
10
1
–
–
pF
s
脉冲发生器：
t
p
= 5
s,
D
= 0.05
t
r
= 0.6纳秒，
R
j
= 50
V
p
=
V
R
+
I
F
×
R
j
示波器：
R
= 50
t
r
= 0.35纳秒
C
≤
1 pF的
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BAS 79
... BAS 79
正向电流
I
F
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
T
A
= 25 C
反向电流
I
R
=
f
(T
A
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
3
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B43858C2107M003
BAV103-TP
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BQ20Z90DBT-V150
B556D
BLS7G2729LS-350P
B37931K1681K070
BYW29-150
BA6825FS
BL-PDT-UJS-C10
BR62256A-12L
B37872K1683K060
BCL453232-561K
BQ2148
BCWDLT1
B65843A0160B038
BS62LV2008DIG55
BUS-61559-570Y
B82472G4683M000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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SOT223
原装正品 钻石品质 假一赔十
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BAS79D
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电话：19520735817/13148740183
联系人：米小姐，黄小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
BAS79D
INFINEON
21+
6500
SOT-223
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BAS79D
INFINEON/英飞凌
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23000
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