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BAS79A...BAS79D
硅开关二极管
切换应用程序
高的击穿电压
共阴极
4
总功耗，
T
S
= 114 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻




3
2
2, 4
1
3
EHA00005
1
VPS05163
TYPE
BAS79A
BAS79B
BAS79C
BAS79D
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
记号
BAS 79A
BAS 79B
BAS 79C
BAS 79D
1 = A1
1 = A1
1 = A1
1 = A1
引脚配置
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
包
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
BAS
79A
50
50
BAS
79B
100
100
1
1
10
1.2
BAS
79C
200
200
BAS
79D
400
400
单位
V
A
正向电流浪涌，T = 1秒
W
°C
150
-65 ... 150

30
K / W
1
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
击穿电压
I
（ BR ）
= 100 A
BAS79A
BAS79B
BAS79C
BAS79D
正向电压
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
反向电流
V
R
=
V
RMAX
反向电流
V
R
=
V
RMAX
,
T
A
= 150 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
t
rr
,
-
1
-
C
D
-
10
-
单位
马克斯。
V
典型值。
V
（ BR ）
50
100
200
400
V
F
-
-
I
R
I
R
-
-
-
-
-
-
1.6
2
1
50
-
-
-
-
-
-
-
-
A
pF
s
反向恢复时间测试电路
DUT
t
r
10%
t
p
t
Ι
F
示波器
90%
V
R
2



脉冲发生器：
t
p
= 10s,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ，
R
i
= 50

I
F
= 200毫安，
I
R
= 200毫安，
R
L
= 100
在测
I
R
= 200毫安
Ι
F
t
rr
t
Ι
R
= 20毫安
EHN00021
示波器：
R
= 50 ,
t
r
= 0.35ns ，
C
1pF
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
正向电流
I
F
=
f
(
T
S
)
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
T
A
= 25°C
10
1
BAS 79A .... D
EHB00050
1200
mA
1000
900
800
Ι
F
A
10
0
I
F
700
600
500
400
300
200
100
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
-1
10
-2
10
-3
0
1
V
V
F
2
T
S
反向电流
I
R
=
f
(
T
A
)
V
R
=
V
RMAX
10
5
nA
BAS 79A .... D
EHB00051
Ι
R
10
4
5
典型值。
最大
10
3
5
10
2
5
10
1
0
50
100
T
A
C
150
3
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
硅开关二极管
切换应用程序
高的击穿电压
共阴极
4
总功耗，
T
S
= 114 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻




3
2
2, 4
1
3
EHA00005
1
VPS05163
TYPE
BAS79A
BAS79B
BAS79C
BAS79D
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
记号
BAS 79A
BAS 79B
BAS 79C
BAS 79D
1 = A1
1 = A1
1 = A1
1 = A1
引脚配置
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
2 = C1 / 2 3 = A2
包
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
4 = C1 / 2 SOT223
符号
V
R
V
RM
I
F
I
FM
I
FS
P
合计
T
j
T
英镑
BAS
79A
50
50
BAS
79B
100
100
1
1
10
1.2
BAS
79C
200
200
BAS
79D
400
400
单位
V
A
正向电流浪涌，T = 1秒
W
°C
150
-65 ... 150

30
K / W
1
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
击穿电压
I
（ BR ）
= 100 A
BAS79A
BAS79B
BAS79C
BAS79D
正向电压
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
反向电流
V
R
=
V
RMAX
反向电流
V
R
=
V
RMAX
,
T
A
= 150 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向恢复时间
t
rr
,
-
1
-
C
D
-
10
-
单位
马克斯。
V
典型值。
V
（ BR ）
50
100
200
400
V
F
-
-
I
R
I
R
-
-
-
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1.6
2
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50
-
-
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A
pF
s
反向恢复时间测试电路
DUT
t
r
10%
t
p
t
Ι
F
示波器
90%
V
R
2



脉冲发生器：
t
p
= 10s,
D
= 0.05,
t
r
= 0.6ns ，
R
i
= 50

I
F
= 200毫安，
I
R
= 200毫安，
R
L
= 100
在测
I
R
= 200毫安
Ι
F
t
rr
t
Ι
R
= 20毫安
EHN00021
示波器：
R
= 50 ,
t
r
= 0.35ns ，
C
1pF
Aug-20-2001
BAS79A...BAS79D
正向电流
I
F
=
f
(
T
S
)
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
T
A
= 25°C
10
1
BAS 79A .... D
EHB00050
1200
mA
1000
900
800
Ι
F
A
10
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F
700
600
500
400
300
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100
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15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
-1
10
-2
10
-3
0
1
V
V
F
2
T
S
反向电流
I
R
=
f
(
T
A
)
V
R
=
V
RMAX
10
5
nA
BAS 79A .... D
EHB00051
Ι
R
10
4
5
典型值。
最大
10
3
5
10
2
5
10
1
0
50
100
T
A
C
150
3
Aug-20-2001
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B37871R5101J021
BAT42WSS7
BA114EUS6R
BS62LV1027SCP55
B66208J1110T001
BTA08-700CWRG
BYY57-900
B41896C3398M
BU9833GUL-WE2
BS616LV4010DI
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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