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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第534页 > BAS70W
BAS70W/-04/-05/-06
SCHOKKTY二极管
SOT-323
特点
低导通电压
快速开关
也可以在无铅版本
BAS70W标志: K73
BAS70W -04标: K74
BAS70W -05标: K75
BAS70W -06标: K76
最大额定值@T
A
=25
符号
V
R
I
F
P
D
T
J
T
英镑
直流电压
正向连续电流
功耗
结温
储存温度
参数
价值
70
70
200
125
-55-150
单位
V
mA
mW
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
反向击穿电压
反向电压
前锋
二极管
电压
电容
漏电流
符号
V
( BR )R
I
R
V
F
C
D
t
rr
TEST
I
R
= 10A
V
R
=50V
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1xI
R
,
R
L
=100
条件
70
100
410
1000
2
5
最大
单位
V
nA
mV
pF
nS
尊恢复时间
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
BAS70W/-04/-05/-06
典型特征
2 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
BAS70W系列
表面贴装肖特基二极管
电压
特点
.004(.10)MIN.
70伏
当前
0.2 Ampers
SOT-323
单位:英寸(毫米)
开关速度快
表面贴装型封装非常适合自动插入
电气相同标准的JEDEC
高导体
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.056(1.40)
.047(1.20)
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.006(.15)
.002(.05)
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
终端:每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性
约。重量: 0.008克
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.008(.20)
绝对额定值
参数
反向电压
峰值反向电压
平均整流电流在温度= 25
O
C
非重复性峰值正向浪涌电流在t = 1.0秒
符号
V
R
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
价值
70
70
0.2
0.6
单位
V
V
A
A
热特性
参数
标识代码
功耗
热阻,结到环境
结温
储存温度在温度= 25
O
C
线路图
单身
符号
-
P
吨吨
R
θ
J A
T
J
T
S T摹
-
B A S 70W
A 70
BAS70AW
A 72
225
556
150
B A S 70C W
A 73
.044(1.1)
.035(0.9)
B A S 70S W
A 74
.087(2.2)
.078(2.0)
单位
-
mW
O
C / W
O
C
C
-
-55到150
单身
共阳极
O
常见
阳极
常见
阴极
系列
共阴极
系列
Fig.14
Fig.15
Fig.16
Fig.17
PAGE 。 1
REV.0.1-FEB.24.2009
BAS70W系列
电气特性
参数
反向击穿电压
反向电流
符号
V
( BR )
I
R
V
F
C
J
I
R
= 10微安
V
R
=70 V
V
R
=50 V
I
F
=1.0mA
I
F
=10mA
I
F
=15mA
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
测试条件
分钟。
70
--
典型值。
--
--
马克斯。
--
1.0
0.1
0.41
0.75
1.00
2.0
单位
V
uA
正向电压
--
--
V
最大结电容
--
--
pF
电气特性曲线
100
100
正向电流毫安
10
反向电流,U一
10
T
J
=125 C
O
1.0
T
J
=75 C
O
0.1
1.0
T
A
=25 C
O
0.01
T
J
=25 C
O
0.1
0
0
0.4
0.6
0.8
0
10
20
30
40
正向电压,伏
反向电压,伏
图。 1 ,典型正向特性
图。 2 ,典型的反向特性
结电容, pF的
平均正向电流,毫安
1.2
400
300
0.8
200
0.4
100
0
0
10
20
30
40
0
50
100
150
200
反向电压,伏
环境温度(
O
C)
图。 3典型结电容
图。 4正向电流降额
REV.0.1-FEB.24.2009
PAGE 。 2
BAS70W系列
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.1-FEB.24.2009
PAGE 。 3
BAS70W / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD保护
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4和5)
机械数据
案例: SOT- 323
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料,
注5. UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
极性:见下面图表
标识信息:请参阅第2页
订购信息:见第2页
重量: 0.006克(近似值)
顶视图
BAS70W
BAS70W-04
BAS70W-05
BAS70W-06
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
F
I
FSM
价值
70
49
70
100
单位
V
V
mA
mA
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注1 )
非重复峰值正向浪涌电流
@ t
p
& LT ;
1.0s
热特性
特征
功率耗散(注1 )
热阻结到环境空气(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
T
英镑
价值
200
625
-55到+125
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
°C
电气特性
特征
反向击穿电压(注2 )
正向电压
反向电流(注2 )
总电容
反向恢复时间
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
T
t
rr
70
最大
410
1000
100
2.0
5.0
单位
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10μA
t
p
<300μs ,我
F
= 1.0毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 15毫安
t
p
< 300μS ,V
R
= 50V
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安,
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100Ω
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0627 ( 2006年27周, )和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0627顷建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
BAS70W / -04 / -05 / -06
文件编号: DS30113牧师13 - 2
1第3
www.diodes.com
2008年7月
Diodes公司
BAS70W / -04 / -05 / -06
I
F
,正向电流(mA)
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
I
R
,瞬时反向电流( NA)
100
10,000
1,000
10
100
10
1.0
1
T
A
= 0C
0.1
0
T
A
= -40C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2 1.4 1.6
V
F
,正向电压( V)
图。 1典型正向特性
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
,瞬时反向电压( V)
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
250
P
D
,功耗(毫瓦)
0
35
20
30
40
25
10
15
V
R
,采用直流反接电压( V)
图。 3总电容与反向电压
5
C
T
,总电容(PF )
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
200
150
100
50
0
0
40
80
160
120
200
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 4功率降额曲线,总包
订购信息
产品型号
BAS70W-7-F
BAS70W-04-7-F
BAS70W-05-7-F
BAS70W-06-7-F
注意事项:
(注5 & 6 )
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KXX =产品型号标识代码
K73 = BAS70W
K74 = BAS70W -04
K75 = BAS70W -05
K76 = BAS70W -06
YM =日期代码标
Y =年(例如: N = 2002)
M =月(例如: 9 =九月)
2008
V
JUN
6
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
2011
Y
SEP
9
2012
Z
2013
A
十月
O
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
2008年7月
Diodes公司
KXX
日期代码的关键
YEAR
2002
CODE
N
MONTH
CODE
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
2006
T
APR
4
2007
U
五月
5
BAS70W / -04 / -05 / -06
文件编号: DS30113牧师13 - 2
2 3
www.diodes.com
YM
BAS70W / -04 / -05 / -06
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
G
H
K
M
J
D
F
L
SOT-323
暗淡
最大
典型值
A
0.25
0.40
0.30
B
1.15
1.35
1.30
C
2.00
2.20
2.10
D
-
-
0.65
F
0.30
0.40 0.425
G
1.20
1.40
1.30
H
1.80
2.20
2.15
J
0.0
0.10
0.05
K
0.90
1.00
1.00
L
0.25
0.40
0.30
M
0.10
0.18
0.11
-
α
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值(单位:mm)
Z
2.8
X
0.7
Y
0.9
C
1.9
E
1.0
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BAS70W / -04 / -05 / -06
文件编号: DS30113牧师13 - 2
3 3
www.diodes.com
2008年7月
Diodes公司
BAS70J / BAS70W
BAS70-04W / BAS70-05W / BAS70-06W
小信号肖特基二极管
特点和优点
n
NC
K
NC
A
K1
A
K
A
K2
K2
n
n
n
非常小的传导损耗
开关损耗极小
低正向压降
表面安装器件
A
K1
BAS70W
描述
肖特基势垒二极管封装无论是在
SOT- 323和SOD- 323小型SMD封装。
单,双二极管不同的钉扎的
可用。
K
A2
A1
A1
K
A2
A2
K1
BAS70-06W
K2
A2
K1
K2
A1
A1
BAS70-05W
SOT-323
BAS70-04W
A
76
K
BAS70J
SOD-323
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
P
合计
T
英镑
Tj
T
L
连续正向电流
浪涌不重复正向电流
功率耗散(注1 )
环境温度Tamb = 25°C
最大存储温度范围
最大工作结温*
在10秒最高温度为焊接
TP = 10毫秒
SOD-323
SOT-323
- 65 + 150
150
260
°C
°C
°C
参数
反向重复峰值电压
价值
70
70
1
230
单位
V
mA
A
mW
注1 :
为双二极管, Ptot的是两个二极管的总损耗。
* :
dPtot
1
& LT ;
热失控条件对自己的散热器二极管
DTJ
RTH
(
j
a
)
1/5
2000年5月 - 埃德: 4B
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W / BAS70-05W / BAS70-06W
热阻
符号
R
号(j -a)的
结到环境( * )
参数
SOD-323
SOT-323
( * )装在环氧树脂板,采用推荐的焊盘布局。
价值
550
单位
° C / W
° C / W
静态电气特性
(每二极管)
符号
V
BR
V
F
*
I
R
**
脉冲测试:
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
* TP = 380μs ,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
70
典型值。
马克斯。
单位
V
I
R
= 10A
I
F
= 1毫安
V
R
= 50V
410
100
mV
nA
动态特性
符号
C
τ*
TJ = 25°C
F = 1MHz的
测试条件
V
R
= 0V
分钟。
典型值。
马克斯。
2
100
单位
pF
ps
TJ = 25°C
I
F
= 5毫安
克拉考尔法
*有效载流子寿命。
2/5
BAS70-05W / BAS70-06W
图。 1 :
正向压降与前进
电流。
IFM ( A)
7E-2
Tj=100°C
典型值
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W /
图。 2 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+1
Tj=100°C
1E-2
Tj=25°C
最大值
1E+0
1E-1
Tj=25°C
1E-3
Tj=25°C
典型值
1E-2
VFM ( V)
1E-4
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VR ( V)
1E-3
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
图。 3 :
反向漏电流与结
温度(典型值)。
IR( μA )
5E+2
VR=70V
图。 4 :
结电容与反向
电压施加(典型值)。
C( pF)的
2.0
1.0
F=1MHz
Tj=25°C
1E+2
1E+1
1E+0
1E-1
TJ ( ° C)
1E-2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
VR ( V)
10
100
图。 5 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(环氧
FR4
推荐
PAD
布局,
S(Cu)=35m).
图。 6 :
热阻结到环境
相对于在每个铅(环氧铜表面
印刷电路板FR4,铜厚度:
35m).
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
600
P=0.2W
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
δ
= 0.5
550
500
450
T
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
400
350
tp
单脉冲
TP (多个)
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
S(铜)(毫米)
300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.01
1E-3
1E-2
1E+1
1E+2
3/5
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W / BAS70-05W / BAS70-06W
包装机械数据
SOT-323
尺寸
A
REF 。
A1
D
MILLIMETERS
分钟。
典型值。马克斯。分钟。
1.1
0.1
0.4
2.0
1.25
0.65
1.8
0.1
0
2.1
0.2
2.4
0.3
30°
2.2
0.031
0.0
0.010
0.8
0.0
0.25
0.1
1.8
1.15
英寸
典型值。马克斯。
0.043
0.004
0.016
0.010
A
A1
b
c
b
0.26 0.004
D
E
e
H
E
0.071 0.079 0.086
0.026
0.071 0.083 0.094
0.004 0.008 0.012
0
30°
L
1.35 0.045 0.049 0.053
H
θ
c
L
θ
e
4/5
BAS70-05W / BAS70-06W
包装机械数据
SOD-323
BAS70J / BAS70W / BAS70-04W /
H
b
E
A1
尺寸
REF 。
A
A1
0
0.25
0.1
1.52
1.11
2.3
0.1
0.1
b
c
D
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
1.17
0.1
0.44
0.25
1.8
1.45
2.7
0.46
0.41
0
0.01
0.004
0.06
0.044
0.09
0.004
0.004
英寸
分钟。
马克斯。
0.046
0.004
0.017
0.01
0.071
0.057
0.106
0.02
0.016
D
A
c
Q1
E
H
L
Q1
L
订货型号
BAS70W
BAS70-04W
BAS70-05W
BAS70-06W
BAS70J
n
记号
D28
D31
D30
D29
76
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOD-323
重量
0.006g
0.006g
0.006g
0.006g
0.005g
基地数量
3000
3000
3000
3000
3000
配送方式
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
5/5
BAS70W / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和
ESD保护
超小型表面贴装封装
SOT-323
A
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
J
L
M
0.30
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 323 ,模压塑料
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:参见图
标记:参见图
安装位置:任意
约。重量: 0.006克
E
顶视图
B
C
0.65标称
D
G
H
J
K
L
M
尺寸:mm
BAS70W标志: K73
BAS70W -04标: K74
BAS70W -05标: K75
BAS70W -06标: K76
最大额定值和电气特性,单二极管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注1 )
非重复性峰值正向浪涌电流@ T
p
& LT ;
1.0s
功率耗散(注1 )
热阻结到环境空气(注1 )
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
F
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
BAS70W
70
49
70
100
200
625
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
K / W
°C
°C
电气额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR )R
V
FM
I
RM
C
j
t
rr
70
最大
410
1000
100
2.0
5.0
单位
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 1.0毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 15毫安
t
p
< 300μS ,V
R
= 50V
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安,
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
特征
反向击穿电压(注2 )
正向电压
峰值反向电流
结电容
反向恢复时间
注意事项:
1.有效的规定,终端被保持在环境温度下进行。
2.测试期间<3000ms 。
DS30113修订版A- 2
1 1
BAS70W / -04 / -05 / -06
硅肖特基二极管
q
q
q
q
BAS 70W
通用二极管
高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
TYPE
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-A1068
Q62702-A1069
Q62702-A1070
引脚配置
1
2
3
A1
A1
C1
C2
A2
C2
记号
1)
BAS 70-04W
BAS 70-05W
BAS 70-06W
C1 / A2 74S
C1 / C2 75s的
A1 / A2 76S
SOT-323
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌,
t
10毫秒
总功耗
T
S
91
°C
工作温度范围
存储温度范围
热阻
结到环境
1)
结焊接点
符号
70
70
100
250
– 55 … + 150
– 55 … + 150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
英镑
R
日JA
R
日JS
455
235
K / W
K / W
1 )包安装在环氧树脂PCB 40毫米×40 x 1.5毫米/ 1厘米
2
铜。
半导体集团
1
10.94
BAS 70W
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
击穿电压
I
( BR )
= 10
A
正向电压
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
V
R
= 50 V
V
R
= 70 V
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
载流子寿命
I
F
= 25毫安
微分正向电阻
I
F
= 10毫安,
f
= 10千赫
串联电感
价值
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR )
70
375
705
880
1.5
34
2
V
mV
300
600
750
410
750
1000
A
0.1
10
pF
2
ps
100
nH
V
F
I
R
C
T
τ
r
f
L
S
半导体集团
2
BAS 70W
正向电流
I
F
=
f
(
V
F
)
反向电流
I
R
=
f
(
V
R
)
二极管电容
C
T
=
f
(
V
R
)
微分正向电阻
R
F
=
f
(
I
F
)
半导体集团
3
BAS 70W
允许的脉冲负载
I
F
=
f
(
T
A
;
T
S
*)
*包装安装在环氧
允许负载
R
thjs
=
f
(
t
p
)
允许的脉冲负载
I
FMAX
/
I
FDC
=
f
(
t
p
)
半导体集团
4
分立半导体
数据表
OOK , halfpage
M3D102
BAS70W系列
肖特基势垒(双)二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据3月19日
1999年03月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
特点
低正向电压
高的击穿电压
保护环
非常小的SMD封装
低电容。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
阻塞二极管。
手册, 2列
BAS70W系列
钉扎
BAS70
W
1
2
3
a
1
北卡罗来纳州
k
1
-04W
a
1
k
2
k
1
, a
2
-05W
a
1
a
2
k
1
, k
2
-06W
k
1
k
2
a
1
, a
2
Fig.3
3
1
2
MLC358
3
BAS70-04W二极管
配置(符号)。
3
描述
平面肖特基势垒二极管。单身
二极管( BAS70W )和双二极管
用不同的钉扎( BAS70-04W ;
-05W ; -06W )可供选择。
该二极管被封装在一个
SOT323非常小的塑料SMD
封装。
记号
类型编号
BAS70W
BAS70-04W
BAS70-05W
BAS70-06W
1.
= - :香港制造。
= T:在马来西亚。
记号
CODE
(1)
73
74
75
76
Fig.2
1
1
顶视图
2
MBC870
1
2
MLC359
Fig.1
简化的轮廓
( SOT323 )和引脚
配置。
Fig.4
BAS70-05W二极管
配置(符号)。
3
2
北卡罗来纳州
MLC357
3
1
2
MLC360
BAS70W单个二极管
配置(符号)。
Fig.5
BAS70-06W二极管
配置(符号)。
1999年03月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
& LT ;
10毫秒
参数
条件
BAS70W系列
分钟。
马克斯。
单位
65
65
70
70
70
100
+150
150
+150
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图6
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
I
R
τ
C
d
1.脉冲测试:吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
1.参考SOT323标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
625
单位
K / W
反向电流
载流子寿命(克拉考尔法)
二极管电容
V
R
= 50 V ;注意1 ;见图7
V
R
= 70 V ;注意1 ;见图7
I
F
= 5毫安
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图9
410
750
1
100
10
100
2
mV
mV
V
nA
A
ps
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1999年03月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
图形数据
MRA803
BAS70W系列
10
2
IF
(MA )
10
10
2
IR
(A)
10
(1)
MRA805
1
1
10
1
10
1
(1)
10
2
(2)
(3)
10
2
(2) (3) (4)
10
3
0
20
40
60
VR ( V)
(1) T
AMB
= 125
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
80
0
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ( V)
1
(1)
(2)
(3)
(4)
T
AMB
= 125
°C.
T
AMB
= 85
°C.
T
AMB
= 25
°C.
T
AMB
=
40 °C.
Fig.6
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.7
反向电流反向的函数
电压;典型值。
10
3
rdiff进行
MRA802
2
Cd
(PF )
1.5
MRA804
10
2
1
10
0.5
1
10
1
0
1
10
IF (MA )
10
2
0
20
40
60
VR ( V)
80
F = 10千赫。
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
微分正向电阻为一个函数
的正向电流;典型值。
Fig.9
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年03月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒(双)二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BAS70W系列
SOT323
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
c
1
e1
e
bp
2
w
M
B
Lp
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.4
0.3
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.23
0.13
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT323
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-70
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年03月26日
5
SPICE模型: BAS70W BAS70W -04 BAS70W -05 BAS70W -06
无铅绿色
BAS70W / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD保护
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4和5)
B C
A
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
G
H
K
M
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
机械数据
案例: SOT- 323
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料,
注5. UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
极性:见下面图表
标记:见下面的图表&第3页
重量: 0.006克(近似值)
J
D
E
L
0.65标称
E
G
H
J
K
L
M
a
顶视图
尺寸:mm
BAS70W标志: K73
BAS70W -04标: K74
BAS70W -05标: K75
BAS70W -06标: K76
最大额定值和电气特性,单二极管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注1 )
非重复性峰值正向浪涌电流@ T
p
& LT ;
1.0s
功率耗散(注1 )
热阻结到环境空气(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
F
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
T
t
rr
70
最大
410
1000
100
2.0
5.0
单位
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 1.0毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 15毫安
t
p
< 300μS ,V
R
= 50V
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安,
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
价值
70
49
70
100
200
625
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
电气额定值
特征
反向击穿电压(注2 )
正向电压
反向电流(注2 )
总电容
反向恢复时间
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0609 (第9周, 2006年)和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0609顷建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30113牧师11 - 2
1第3
www.diodes.com
BAS70W / -04 / -05 / -06
Diodes公司
I
F
,正向电流(mA)
100
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
10
1.0
T
A
= 0C
0.1
0
0.2
0.4
T
A
= -40C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
,正向电压( V)
图。 1典型正向特性
I
R
,瞬时反向电流( NA)
10000
T
A
= 125C
1000
T
A
= 75C
100
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
1
T
A
= -40C
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
,反向电压(V)的
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
250
注1
F = 1.0MHz的
P
d
,功耗(毫瓦)
40
C
T
,总电容(PF )
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 4功率降额曲线,总包
V
R
,反向电压(V)的
图。 3典型电容
DS30113牧师11 - 2
2 3
www.diodes.com
BAS70W / -04 / -05 / -06
订购信息
设备
BAS70W-7-F
BAS70W-04-7-F
BAS70W-05-7-F
BAS70W-06-7-F
注意事项:
(注5和6)
包装
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
与日期代码0609 (第9周, 2006年)和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0609顷建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pd
f.
标识信息
KXX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
三月
3
2005
S
KXX =产品型号标识代码(见第1页)
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
YM
2006
T
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
2008
V
JUL
7
2009
W
八月
8
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险,并会
同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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3 3
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BAS70W / -04 / -05 / -06
SPICE模型: BAS70W BAS70W -04 BAS70W -05 BAS70W -06
无铅绿色
BAS70W / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD保护
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4和5)
B C
A
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
G
H
K
M
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
机械数据
案例: SOT- 323
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料,
注5. UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
极性:见下面图表
标记:见下面的图表&第3页
重量: 0.006克(近似值)
J
D
E
L
0.65标称
E
G
H
J
K
L
M
a
顶视图
尺寸:mm
BAS70W标志: K73
BAS70W -04标: K74
BAS70W -05标: K75
BAS70W -06标: K76
最大额定值和电气特性,单二极管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注1 )
非重复性峰值正向浪涌电流@ T
p
& LT ;
1.0s
功率耗散(注1 )
热阻结到环境空气(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
F
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR )R
V
F
I
R
C
T
t
rr
70
最大
410
1000
100
2.0
5.0
单位
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 1.0毫安
t
p
<300μs ,我
F
= 15毫安
t
p
< 300μS ,V
R
= 50V
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安,
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
价值
70
49
70
100
200
625
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
电气额定值
特征
反向击穿电压(注2 )
正向电压
反向电流(注2 )
总电容
反向恢复时间
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0609 (第9周, 2006年)和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0609顷建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30113牧师11 - 2
1第3
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BAS70W / -04 / -05 / -06
Diodes公司
I
F
,正向电流(mA)
100
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
10
1.0
T
A
= 0C
0.1
0
0.2
0.4
T
A
= -40C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
,正向电压( V)
图。 1典型正向特性
I
R
,瞬时反向电流( NA)
10000
T
A
= 125C
1000
T
A
= 75C
100
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
1
T
A
= -40C
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
,反向电压(V)的
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
250
注1
F = 1.0MHz的
P
d
,功耗(毫瓦)
40
C
T
,总电容(PF )
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 4功率降额曲线,总包
V
R
,反向电压(V)的
图。 3典型电容
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2 3
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BAS70W / -04 / -05 / -06
订购信息
设备
BAS70W-7-F
BAS70W-04-7-F
BAS70W-05-7-F
BAS70W-06-7-F
注意事项:
(注5和6)
包装
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
与日期代码0609 (第9周, 2006年)和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0609顷建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pd
f.
标识信息
KXX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
三月
3
2005
S
KXX =产品型号标识代码(见第1页)
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
YM
2006
T
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
2008
V
JUL
7
2009
W
八月
8
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险,并会
同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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BAS70W / -04 / -05 / -06
数据表
BAS70W/AW/CW/SW
表面贴装肖特基二极管
电压
特点
开关速度快
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
70伏
当前
0.2 Ampers
SOT-323
单位:英寸(毫米)
电气相同标准的JEDEC
高导体
正常和无铅产品可供选择:
正常情况: 80 95 %的锡, 5 20 %的Pb
无铅: 98.5 %以上的Sn
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
约。重量: 0.0052克
标记: A70 , A72 , A73 , A74
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.078(.20)
绝对额定值
参数
反向电压
峰值反向电压
平均整流电流在温度= 25
O
C
非重复性峰值正向浪涌电流在t = 1.0秒
符号
V
R
V
RRM
I
O
I
FSM
价值
70
70
0.2
0.6
单位
V
V
A
A
热特性
参数
功耗
热阻,结到环境
结温
储存温度在温度= 25
O
C
线路图
符号
P
合计
JA
T
J
TI
英镑
单身
B A S 70W
BAS70AW
225
556
150
-55到150
常见
阳极
共阳极
B A S 70C W
.044(1.1)
.035(0.9)
B A S 70S W
.087(2.2)
.078(2.0)
表面贴装型封装非常适合自动插入
.004(.10)MIN.
单位
mW
O
C / W
O
C
C
O
常见
阴极
系列
单身
共阴极
系列
STAD-JUN.09.2004
PAGE 。 1
电气特性
PA R A M E TE
以往ê B R akdow Volage
s
e
t
永远式C urent
s
r
S YM BOL
V
( BR )
I
R
I = 10微安
R
V
R
=70 V
V
R
=50 V
I = 1 。为m的
F
0
I =一千万
F
I = 15米一
F
V
R
= 0V ,女1 M·H
Z
= 0
TESTC ondii
to
眯。
N
70
-
-
典型值。
-
-
-
-
M AX 。
-
-
1.
0
0.
1
0. 1
4
0. 5
7
1. 0
0
2.
0
ü NIS
t
V
uA
对于AR Volage
宽深
t
V
F
-
-
-
-
V
M AXI嗯Juncton apaciance
m
i
t
C
J
-
-
-
-
pF
电气特性曲线
100
100
正向电流毫安
10
反向电流,U一
10
T
A
=125 C
O
1.0
T
A
=75 C
O
0.1
1.0
T
A
=25 C
O
0.01
T
A
=25 C
O
0.1
0
0.4
0.6
0.8
0
0
10
20
30
40
正向电压,伏
反向电压,伏
图。 1 ,典型正向特性
图。 2 ,典型的反向特性
结电容, pF的
平均正向电流,毫安
1.2
400
0.8
300
200
0.4
100
0
0
10
20
30
40
0
50
100
150
O
200
反向电压,伏
环境温度( C)
图。 4正向电流降额
图。 3典型结电容
STAD-JUN.09.2004
PAGE 。 2
贴装焊盘布局
SOT-323
单位:英寸(毫米)
0.035(0.9)
0.025(0.65)
0.028(0.7)
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3.0K
法律声明
重要通知
该信息旨在产物,以促进顾客的评价,以明确地表征
该设备在应用程序。这些信息将帮助客户的技术专家确定该设备是
兼容和互换与其他供应商提出了类似的设备。本数据表中的信息被认为
是可靠的和准确的。此处的规格和信息如有变更,恕不另行通知。新产品
并改进产品和产品特性都在不断进行中。因此,工厂应
咨询的最新信息,并没有描述或规定的任何特别的特点。
版权所有潘日新国际公司2003
版权所有。严禁复制全部或部分未经著作权人事先书面同意
所有者。
本文档中提供的信息不构成任何报价或合同的一部分。提供的信息
认为是准确和可靠,如有变更,恕不预先通知。无责任将被接受
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工业或知识产权。
STAD-JUN.09.2004
0.075(1.9)
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厂家
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS70W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BAS70W
CJ/长电
1926+
28562
SOT-323
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BAS70W
CJ(长电/长晶)
25+
15568
SOT-323
全系列封装原装正品★肖特基二极管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800021960 复制
电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
BAS70W
2015+
10
公司现货库存,绝对原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAS70W
NXP
2019
79600
SOT323
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BAS70W
DIODES
2019
17500
SOT-323
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2433532182 复制

电话:0755-23607529/23603360/83258002
联系人:江先生
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
BAS70W
2015+
10
公司现货库存,绝对原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2433532182 复制

电话:755-83206150/83258002/83223169
联系人:蔡小姐
地址:新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
BAS70W
2015+
10
公司现货库存,绝对原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
BAS70W
NXP
24+
8000
SOT23-3
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BAS70W
NXP
24+
15000
SOT23-3
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
BAS70W
CJ/长电
24+
898000
SOT-323
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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