SPICE模型： BAS70T BAS70-04T BAS70-05T BAS70-06T
BAS70T / -04T / -05T / -06T
LEAD -FREE
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和
ESD保护
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注3 ）
G
H
K
M
B C
A
SOT-523
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
民
0.15
0.75
1.45
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
0.45
0°
最大
0.30
0.85
1.75
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
0.65
8°
典型值
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
0.50
机械数据
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 每MIL -STD- 202 ，
方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
极性：见下面图表
标记：见下面的图表&第2页
订购信息，请参阅第2页
重量： 0.002克（近似值）
J
D
L
M
N
a
尺寸：mm
BAS70T标记： 7C
BAS70-04T标记： 7D
BAS70-05T标记： 7E
BAS70-06T标记： 7F
最大额定值和电气特性，单二极管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
非重复性峰值正向浪涌电流@ T
p
＆ LT ;
1.0s
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
民
70
—
—
最大
—
410
1000
100
2.0
5.0
单位
—
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
t
p
<300μs ，我
F
= 1.0毫安
t
p
<300μs ，我
F
= 15毫安
t
p
< 300μS ，V
R
= 50V
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安，
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
价值
70
49
70
100
150
833
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
电气额定值
特征
反向击穿电压（注2 ）
正向电压
泄漏电流（注2）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
t
rr
1.装置安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
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1第3
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BAS70T / -04T / -05T / -06T
Diodes公司
I
F
，正向电流（mA）
100
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
10
1.0
T
A
= 0C
0.1
0
0.2
0.4
T
A
= -40C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
10000
T
A
= 125C
1000
T
A
= 75C
100
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
1
T
A
= -40C
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
，反向电压（V）的
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
250
F = 1.0MHz的
P
d
，功耗（毫瓦）
40
C
T
，总电容（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型电容
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4功率降额曲线，总包
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2 3
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订购信息
（注4 ）
设备
BAS70T-7-F
BAS70-04T-7-F
BAS70-05T-7-F
BAS70-06T-7-F
注意事项：
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装：去我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
三月
3
2005
S
APR
4
XX =产品型号标识代码（见第1页，如7C = BAS70T ）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
五月
5
2007
U
JUN
6
2008
V
JUL
7
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
2012
Z
NOV
N
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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BAS70T / -04T / -05T / -06T
表面贴装肖特基二极管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD保护
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4和5）
机械数据
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成 - 每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
极性：见下面图表
标识信息：请参阅第2页
订购信息，请参阅第2页
重量： 0.002克（近似值）
顶视图
BAS70T
BAS70-04T
BAS70-05T
BAS70-06T
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
价值
70
49
70
100
单位
V
V
mA
mA
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
非重复峰值正向浪涌电流
（注1 ）
@ t
p
＆ LT ;
1.0s
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FSM
热特性
特征
功耗
热阻结到环境空气
工作温度范围
存储温度范围
（注1 ）
（注1 ）
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
T
英镑
价值
150
833
-55到+125
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
°C
电气特性
特征
反向击穿电压
正向电压
漏电流
总电容
反向恢复时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
（注2 ）
符号
V
（ BR ）R
V
F
（注2 ）
I
R
C
T
民
70
—
—
最大
—
410
1000
100
2.0
5.0
单位
—
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
=
10μA
t
p
<300s
,
I
F
=
1.0mA
t
p
<300s
,
I
F
=
15mA
t
p
< 300μS
,
V
R
= 50V
V
R
= 0V
,
F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至IR = 1.0毫安，
I
rr
= 0.1 x
I
R
, R
L
= 100Ω
t
rr
1.装置安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
5.产品使用日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
BAS70T / -04T / -05T / -06T
文件编号： DS30261牧师11 - 2
1第3
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2008年7月
Diodes公司
BAS70T / -04T / -05T / -06T
I
F
，正向电流（mA）
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
100
10,000
1,000
10
100
10
1.0
1
T
A
= 0C
0.1
0
T
A
= -40C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
0.1
0
70
10
20
30
40
50
60
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
C
T
，总电容（PF ）
P
D
，功耗（毫瓦）
250
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
35
20
25
40
10
15
30
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 3总电容与反向电压
5
200
150
100
50
0
0
200
80
120
160
40
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 4功率降额曲线，总包
订购信息
产品型号
BAS70T-7-F
BAS70-04T-7-F
BAS70-05T-7-F
BAS70-06T-7-F
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XX =产品型号标识代码
7C = BAS70T
7D = BAS70-04T
7E = BAS70-05T
7楼= BAS70-06T
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2008
V
JUN
6
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
2011
Y
SEP
9
2012
Z
2013
A
十月
O
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
2008年7月
Diodes公司
xx
YM
日期代码的关键
YEAR
2002
CODE
N
MONTH
CODE
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
2006
T
APR
4
2007
U
五月
5
BAS70T / -04T / -05T / -06T
文件编号： DS30261牧师11 - 2
2 3
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BAS70T / -04T / -05T / -06T
包装外形尺寸
A
B C
G
H
K
M
N
J
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
8°
0°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BAS70T / -04T / -05T / -06T
文件编号： DS30261牧师11 - 2
3 3
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2008年7月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
