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分立半导体

数据表

AGE

M3D088

M3D071

BAS70系列

肖特基势垒（双）二极管

产品speci fi cation

取代1996年的数据10月1日

1999年6月01

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

特点

低正向电流

高的击穿电压

保护环

小型塑料SMD封装

低电容二极管。

应用

超高速开关

电压钳位

保护电路。

描述

平面肖特基势垒二极管的

综合保护环应力

保护。单二极管和双

二极管不同的钉扎

可用。

顶视图

BAS70系列

钉扎

描述

针

BAS70

（参见图1b ）

1

2

3

4

a

1

北卡罗来纳州

k

1

SOT23

BAS70-04

（参见图1c ）

a

1

k

2

k

1

, a

2

BAS70-05

（参见图1d ）

a

1

a

2

k

1

, k

2

BAS70-06

（参见图1e ）

k

1

k

2

a

1

, a

2

SOT143B

BAS70-07

（见图2）

k

1

k

2

a

2

a

1

手册， 2列

3

手册， 2列

3

2

MGC485

1

1

2

。 BAS70-04

手册， 2列

MGC482

3

2

MGC484

二极管BAS70 ， BAS70-04 ，

BAS70-05和BAS70-06是

封装在一个小型SOT23封装

塑料SMD封装。该BAS70-07

被封装在一个SOT143B小

塑料SMD封装。

记号

一。简化外形SOT23封装。

1

。 BAS70-05 。

手册， 2列

3

2

北卡罗来纳州

MGC483

手册， 2列

3

2

MGC486

1

1

类型编号

BAS70

BAS70-04

BAS70-05

BAS70-06

BAS70-07

记

记号

CODE

(1)

73p

74p

75p

76p

77p

B 。 BAS70单二极管。

。 BAS70-06 。

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

1.

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

手册， halfpage

4

3

4

3

1

1

顶视图

2

2

MAM194

图2简体外形（ SOT143B ） BAS70-07和符号。

1999年6月01

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

每二极管

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

英镑

T

j

T

AMB

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

t

p

≤

1 s;

δ ≤

0.5

t

p

＆ LT ;

10毫秒

65

65

参数

条件

BAS70系列

分钟。

马克斯。

单位

70

70

70

100

+150

150

+150

V

mA

mA

mA

°C

°C

°C

电气特性

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

每二极管

V

F

正向电压

看科幻G.3

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

I

R

τ

C

d

记

1.脉冲测试：吨

p

= 300

s; δ

= 0.02.

热特性

符号

R

日J-一

记

1.参考SOT23或SOT143B标准安装条件。

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

500

单位

K / W

反向电流

载流子寿命（克拉考尔

法）

二极管电容

V

R

= 50 V ;注意1 ;见图4

V

R

= 70 V ;注意1 ;见图4

I

F

= 5毫安

F = 1兆赫; V

R

= 0;见图6

410

750

1

100

10

100

2

mV

mV

V

nA

A

ps

pF

参数

条件

马克斯。

单位

1999年6月01

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

图形数据

10

2

IF

（MA ）

10

1

1

10

1

10

1

(1)

10

2

(2) (3) (4)

10

3

0

20

40

MRA803

BAS70系列

10

2

IR

(A)

10

(1)

MRA805

(2)

(3)

10

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

VF （ V）

1

60

VR （ V）

80

(1)

(2)

(3)

(4)

T

AMB

= 125

°C.

T

AMB

= 85

°C.

T

AMB

= 25

°C.

T

AMB

=

40 °C.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 85

°C.

(3) T

AMB

= 25

°C.

Fig.3

正向电流为正向功能

电压;典型值。

Fig.4

反向电流反向的函数

电压;典型值。

10

3

RDIF

()

10

2

MGL762

2

Cd

（PF ）

1.5

MRA804

1

10

0.5

1

10

1

0

1

10

IF （MA ）

10

2

0

20

40

60

VR （ V）

80

F = 10千赫。

F = 1兆赫。

Fig.5

微分正向电阻为一个函数

的正向电流;典型值。

Fig.6

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

1999年6月01

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

包装纲要

塑料表面贴装封装; 3引线

BAS70系列

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年6月01

5

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