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BAS70TW/ADW/CDW/SDW
表面装载肖特基二极管阵列
这些器件具有电气连接的隔离肖特基二极管
在住在一个非常小的SOT- 363的各种配置( SC70-6L )
4
5
6
2
1
3
特点
0.41V的最大正向电压@ 1.0毫安
最大漏电流为100nA @ 50V的
70V反向电压额定值
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
应用
轨至轨ESD保护
过高和过低的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
BAS70TW
三重隔离
SOT- 363
各个
CON连接gurations
(参见图
如下图)
BAS70ADW
共阳极
BAS70CDW
共阴极
BAS70SDW
系列
6
5
4
6
5
4
6
5
4
6
5
4
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
标识代码: 70T
标识代码: 70A
标识代码: 70℃
标识代码: 70S
最大额定值(每个二极管)
T
J
= 25 ° C除非另有说明
等级
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
非重复性峰值正向电流, T = 1秒,方波
总功率耗散(注1 )
工作结温范围
存储温度Range8
注1: FR- 5局1.0× 0.75× 0.062英寸
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
J
T
英镑
价值
70
70
200
0.6
225
-55到+125
-55到+125
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到环境
符号
R
thJA
价值
556
单位
° C / W
9/1/2009
第1页
www.panjit.com
BAS70TW/ADW/CDW/SDW
电气特性(每二极管)
TJ = 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压(注1 )
符号
V
BR
V
F
I
R
C
D
吨RR
条件
I
BR
= 100微安
I
F
= 1.0毫安
正向电压(注1 )
反向漏电流(注1 )
结电容
反向恢复时间
(参见图1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
70
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
0.41
0.75
1.0
单位
V
V
nA
pF
ns
V
R
= 50 V
为0 Vdc偏置, F = 1兆赫
I
F
= 10毫安,我
R
= 10毫安
R
L
= 100欧姆;
测量我
RREC
= 1毫安
-
-
-
-
1.25
-
100
2.0
5
注1 :持续时间短( <300us )测试脉冲,以尽量减少自热
820
+10 V
2 .0 k
100 H
I
F
0 .1 F
0 .1 F
?
DUT
5 0
ü TP ü吨
P ü LS ê
摹简岭至R
5 0
在P ü吨
S A M P李体中
S·C金正日LO S·C O·P ê
注意事项: 1. 2.0kΩ可变电阻调整为正向电流(I
F
)至10mA
2.输入脉冲被调整到我
R(峰)
等于10mA的电流
图1.反向恢复时间等效测试电路
9/1/2009
第2页
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BAS70TW/ADW/CDW/SDW
典型特性曲线(每二极管)
100
T
J
=125
o
C
100
正向电流I
F
(MA )
Reve酒店RSE Curre NT,我
R
(
m
A)
10
T
J
=125
o
C
1
0.1
T
J
=75
o
C
10
T
J
=75 C
T
J
=25 C
o
o
1
T
J
=-40
o
C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
正向电压,V
F
(V)
0.01
0.001
0
20
T
J
=25
o
C
40
60
80
反向电压,V
R
(V)
图2典型正向特性
图3是典型的反向特性
1.4
1.2
电容C (PF )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
反向电压,V
R
(V)
图4典型的反向特性
9/1/2009
第3页
www.panjit.com
BAS70TW/ADW/CDW/SDW
封装布局,并建议焊盘尺寸
订购信息
BAS70xxx T / R7 - 每卷7"卷轴, 3K单位
BAS70xxx T / R13 - 每卷13"卷轴, 10K单位
版权所有强茂国际2009年公司
该通知通报BULLETIN本docum耳鼻喉提出被认为是准确和可靠。规范并通知通报BULLETIN
本文如有更改,恕不另行通知。关于潘日新米碟刹任何保证,声明或担保
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统S 。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
9/1/2009
第4页
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BAS70TW/ADW/CDW/SDW
表面装载肖特基二极管阵列
这些器件具有电气连接的隔离肖特基二极管
在住在一个非常小的SOT- 363的各种配置( SC70-6L )
4
5
6
2
1
3
特点
0.41V的最大正向电压@ 1.0毫安
最大漏电流为100nA @ 50V的
70V反向电压额定值
此外,在无铅电镀可用( 100 %雾锡完成)
应用
轨至轨ESD保护
过高和过低的切换控制
手机及配件
视频游戏机连接器端口
BAS70TW
5
4
SOT- 363
各个
CON连接gurations
(参见图
如下图)
三重隔离
BAS70ADW
共阳极
共阴极
BAS70CDW
6
5
4
BAS70SDW
系列
6
6
5
4
6
5
4
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
标识代码:
A70
标识代码:
A72
标识代码:
A73
标识代码:
A74
最大额定值(每个二极管)
T
J
= 25 ° C除非另有说明
等级
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
非重复性峰值正向电流, T = 1秒,方波
总功率耗散(注1 )
工作结温范围
存储温度范围
注1: FR- 5局1.0× 0.75× 0.062英寸
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
J
T
英镑
价值
70
70
200
0.6
225
-55到+125
-55到+125
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到环境
符号
R
thJA
价值
556
单位
° C / W
3/23/2005
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BAS70TW/ADW/CDW/SDW
电气特性(每二极管)
TJ = 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压(注1 )
符号
V
BR
V
F
I
R
C
D
吨RR
条件
I
BR
= 100微安
I
F
= 1.0毫安
正向电压(注1 )
反向漏电流(注1 )
结电容
反向恢复时间
(参见图1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
70
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
0.41
0.75
1.0
单位
V
V
nA
pF
ns
V
R
= 50 V
为0 Vdc偏置, F = 1兆赫
I
F
= 10毫安,我
R
= 10毫安
R
L
= 100欧姆;
测量我
RREC
= 1毫安
-
-
-
-
1.25
-
100
2.0
5
注1 :持续时间短( <300us )测试脉冲,以尽量减少自热
820
+10 V
2 .0 k
100 H
0 .1 F
I
F
0 .1 F
?
DUT
5 0
ü TP ü吨
P ü LS ê
摹简岭至R
5 0
在P ü吨
S A M P李体中
S·C金正日LO S·C O·P ê
注意事项: 1. 2.0kΩ可变电阻调整为正向电流(I
F
)至10mA
2.输入脉冲被调整到我
R(峰)
等于10mA的电流
图1.反向恢复时间等效测试电路
3/23/2005
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典型特性曲线(每二极管)
100
100.000
T
J
= 125°C
正向电流I
F
(MA )
10.000
T
J
= 125°C
10
反向电流,I
R
( UA)
1.000
T
J
= 75°C
0.100
1
T
J
= 75°C
0.010
T
J
= 25°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
FORW ARD V压。 V
F
(V)
T
J
= 25°C
0.001
0
20
40
60
80
已经重新RS电子电压,V
R
(V)
图。 2.典型的正向特性
图。 3.典型的反向特性
1.40
1.20
T
J
= 25°C
电容C ( pF的
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
0
10
20
30
40
50
60
反向电压, V
R
(V)
图。 4.典型电容
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封装布局,并建议焊盘尺寸
订购信息
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BAS70xxx T / R13 - 每卷13"卷轴, 10K单位
版权所有强茂国际, 2005年公司
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适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS70CDW
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    -
    -
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电话:13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人:张
地址:广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
BAS70CDW
强茂
22+
6920
SOT23
公司现货,原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BAS70CDW
PANJIT
16+
63000
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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