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BAS70-07S / BAS70-08S

RF检波二极管

特点和优点

低电容二极管

低串联电感和电阻

表面贴装封装

描述

在SOT323-6L双重和三重肖特基二极管

封装。此二极管intented在射频所使用

应用用于信号检测和温度

补偿。

BAS70-07S原理图

SOT323-6L

BAS70-08S原理图

绝对额定值

（限制值）

符号

FRM

FSM

英镑

参数

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

浪涌不重复正向电流

功耗

存储温度范围

最高结温

最高温度焊接

= 10 ms的正弦

TA = 55°C

价值

250

- 65 + 150

150

260

单位

°C

2001年12月 - 埃德： 2A

1/4

BAS70-07S / BAS70-08S

热阻

符号

号（j -a）的

参数

结到环境的印刷电路板FR4

与推荐焊盘布局

价值

500

单位

° C / W

静态电气特性

（ TJ = 25°C另有规定）

符号

参数

正向电压降

测试条件

= 1毫安

= 10毫安

= 15毫安

反向漏电流

击穿电压

= 70 V

= 10 A

分钟。

典型值。

马克斯。

0.41

0.75

单位

电气特性

符号

参数

结电容

微分先行

阻力

串联电感

测试条件

= 0 V

= 10毫安

F = 1 MHz的

F = 100 MHz的

1.5

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

欧姆

2/4

BAS70-07S / BAS70-08S

图。 1 ：

正向压降与前进

电流（典型值）。

IFM （毫安）

1.E+02

图。 2 ：

反向漏电流与反向

电压施加（典型值）。

IR（ μA ）

1.E+02

TJ = 150℃

1.E+01

TJ = 85°C

1.E+00

Tj=150°C

Tj=125°C

1.E-01

TJ = 25°C

1.E+00

Tj=85°C

Tj=25°C

Tj=-40°C

1.E-02

VFM （ V）

VR （ V）

1.E-03

1.2

1.E-01

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

图。 3 ：

微分正向电阻与

正向电流（典型值）。

RF （

)

1000

F = 10kHz的

TJ = 25°C

图。 4 ：

结电容与反向

电压施加（典型值）。

C（ pF）的

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

F = 1MHz的

VOSC = 30mV的

RMS

TJ = 25°C

100

IF （MA ）

0.1

1.0

10.0

VR （ V）

图。 5 ：

热阻抗交界处变化

环境与脉冲持续时间（印刷电路

板，环氧FR4 ）。

第i个第（j-一）（ ℃/ W）的

1000.0

图。 6 ：

热阻结到环境

对每根引线下铜面（印

电路板，环氧FR4）。

Rth的第（j-一）

600

550

500

100.0

450

400

350

TP （多个）

10.0

1.E-02

300

S（平方毫米）

1.E+01

1.E+02

1.E-01

1.E+00

3/4

BAS70-07S / BAS70-08S

包装机械数据

SOT323-6L

尺寸

REF 。

MILLIMETERS

分钟。

0.8

0.15

0.1

1.8

1.15

1.8

0.1

马克斯。

1.1

0.1

0.3

0.18

2.2

1.35

2.4

0.4

英寸

分钟。

0.031

0.006

0.004

0.071

0.045

0.071

0.004

马克斯。

0.043

0.004

0.039

0.012

0.007

0.086

0.053

0.094

0.016

0.65典型。

0.025典型。

足迹尺寸（毫米）

0.3mm

1mm

2.9mm

1mm

0.35mm

记号

TYPE

BAS70-07S

BAS70-08S

记号

D32

包

SOT323-6L

重量

0.006g

基地数量

3000

配送方式

磁带&卷轴

D33

环氧会见UL94 ， V0

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