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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第877页 > BAS70-07P6FILM
BAS70
低电容,低串联电感和电阻肖特基二极管
特点
BAS70ZFILM
(单)
SOD-123
非常低的导通损耗
开关损耗极小
低正向和反向恢复时间
表面安装器件
低电容二极管
低电阻和电感
BAS70JFILM
(单)
SOD-323
BAS70KFILM
(单)
SOD-523
描述
该BAS70系列采用70 V肖特基势垒
二极管封装在SOD- 123 , SOD- 323 , SOD-
523 , SOT -23 , SOT- 323 , SOT- 323-6L或SOT- 666 。
这些二极管是特别适合于信号
检测和温度补偿在射频
应用程序。
BAS70FILM
(单)
BAS70-04FILM
(系列)
BAS70-05FILM
(共阴极)
BAS70-06FILM
(共阳极)
SOT-23
BAS70WFILM
(单)
BAS70-04WFILM
(系列)
BAS70-05WFILM
(共阴极)
BAS70-06WFILM
(共阳极)
SOT-323
BAS70-08SFILM
( 3并联二极管)
表1中。
设备简介
符号
I
F
V
RRM
C(最大值)
T
j
(最大)
价值
70毫安
70 V
2 pF的
150 °C
SOT-323-6L
BAS70-07P6FILM
( 2并联二极管)
SOT-666
BAS70-09P6FILM
( 2对面二极管)
在顶视图配置
2009年10月
文档ID 12563第2版
1/14
www.st.com
14
特征
BAS70
1
特征
表2中。
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
T
英镑
T
j
T
L
绝对额定值(在T限值
j
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
浪涌不重复正向电流T
p
= 10 ms的正弦
存储温度范围
最大工作结温
最大焊接温度
价值
70
70
1
- 65 + 150
150
260
单位
V
mA
A
°C
°C
°C
表3中。
符号
热学参数
参数
SOD- 123 , SOT -23
价值
500
550
600
° C / W
单位
R
号(j -a)的
结到环境
(1)
SOT- 323 , SOD- 323
SOD- 523 , SOT- 666
与推荐焊盘布局1.环氧树脂印刷电路板
表4 。
符号
I
R(1)
静态电气特性
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V
V
R
= 70 V
I
F
= 1毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
100
10
410
750
1000
mV
单位
nA
A
V
F(2)
正向电压降
T
j
= 25 °C
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
表5 。
符号
C
R
F
L
S
动态特性
参数
二极管电容
微分先行
阻力
串联电感
测试条件
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时, F = 100 MHz的
30
1.5
分钟。
典型值。
马克斯。
2
单位
pF
Ω
nH
2/14
文档ID 12563第2版
BAS70
特征
图1 。
正向平均功耗如图2所示。
与平均正向电流
I
F( AV )
(A)
0.08
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
平均正向电流随
环境温度( δ = 1)
P( W)的
0.14
0.12
0.10
0.07
0.06
0.05
0.08
0.04
0.06
0.04
0.02
I
F( AV )
(A)
0.00
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.03
T
T
0.02
0.01
0.00
d
= TP / T
0.07
0.08
tp
0.09
0.10
d
= TP / T
0
25
tp
T
AMB
(°C)
50
75
100
125
150
网络连接gure 3 。
反向漏电流对
反向施加电压
(典型值)
图4中。
反向漏电流对
结温
(典型值)
I
R
(A)
1.E+02
TJ = 150℃
1.E+02
I
R
(A)
V
R
=50 V
1.E+01
1.E+01
1.E+00
TJ = 85°C
1.E+00
1.E-01
1.E-01
1.E-02
TJ = 25°C
1.E-03
0
10
20
30
40
V
R
(V)
50
60
70
T
j
(°C)
1.E-02
0
25
50
75
100
125
150
图5中。
结电容与
反向施加电压
(典型值)
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
TJ = 25°C
图6 。
正向压降随
正向电流(典型值)
C( pF)的
10.0
I
FM
(MA )
1.E+02
TJ = 150℃
1.E+01
1.0
TJ = -40°C
1.E+00
Tj=85°C
0.1
0.1
1.0
V
R
(V)
10.0
100.0
V
FM
(V)
1.E-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
文档ID 12563第2版
3/14
特征
BAS70
图7 。
正向压降随
正向电流(典型值)
网络连接gure 8 。
微分正向电阻
与正向电流
(典型值)
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
1.E+02
I
FM
(MA )
1000
TJ = 125°C
R
F
(
Ω
)
TJ = 25°C
1.E+01
100
1.E+00
V
FM
(V)
1.E-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
0.1
I
F
(MA )
1.0
10.0
图9 。
热相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
热图10.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOT-23
1000
Z
号(j -a)的
( ° C / W)
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOT- 323-6L
单脉冲
SOT-323-6L
100
0.10
Aluminesubstrate
10 ×8× 0.5毫米
10
1.E-02
t
P
(s)
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
ALLUMINIUM氧化物基板10 ×8× 0.5毫米SOT- 23
0.01
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t
P
(s)
1.E+02
热图11.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
1.00
热图12.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOT-666
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
单脉冲
SOD-323
0.10
EpoxyFR4
S
CU
=2.25 mm
e
CU
=35 m
0.10
环氧FR4
e
CU
=35 m
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 323
0.01
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t
P
(s)
1.E+02
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOT- 666
0.01
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t
P
(s)
1.E+01
4/14
文档ID 12563第2版
BAS70
订购信息计划
热图13.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOD-523
图14.热阻抗交界处
环境与铜表面
各牵头下
R
号(j -a)的
( ° C / W)
600
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 323
550
EpoxyFR4
e
CU
=35 m
0.10
500
450
0.01
400
350
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 523
0.00
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t
P
(s)
1.E+01
300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S
CU
(mm)
45
50
2
订购信息计划
图15.订购信息计划
BAS70
信号肖特基二极管
V
RRM
= 70 V
CON组fi guration
不信=单二极管
04 =二极管系列
05 =常见的正极
06 =共阳极
07 = 2并联二极管
08 = 3并联二极管
09 = 2对面二极管
空白= SOT- 23
J = SOD- 323
W = SOT- 323
K = SOD- 523
P6 = SOT- 666
S = SOT323-6L
Z = SOD- 123
填料
电影=磁带和卷轴
xx
XX电影
文档ID 12563第2版
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