【SMD型肖特基势垒（双）二极管BAS70系列二极管SOT-23+0.12.9-0.1+0.10.4-】,IC型号BAS70-07,BAS70-07 PDF资料,BAS70-07经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

肖特基势垒（双）二极管

BAS70系列

二极管

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

低正向电流

高的击穿电压

保护环

小型塑料SMD封装

低电容二极管。

1

2

+0.1

1.3

-0.1

特点

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻

符号

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

英镑

T

j

T

AMB

R

日J-一

-65

tp

1 s;

TP < 10毫秒

-65

0.5

条件

民

最大

70

100

+150

150

+150

500

K / W

单位

V

mA

电极特T A = 25

P ARAM ETER

正向电压

S YM BOL

V

F

条件

I

F

= 1米

I

F

= 10m的

I

F

= 15μm的

反向电压漏电流

载流子寿命添（K rakauer米ethod ）

二极管电容

记

1. P ulse测试：吨

p

= 300

s; = 0.02

C

d

I

R

V

R

= 50 V ;注1

V

R

= 70 V ;注1

I

F

= 5m的

F = 1M的赫兹; V

R

= 0;

米斧

410

750

1

100

10

100

2

单位

mV

V

nA

A

ps

pF

记号

TYPE

记号

BAS70

73*

BAS70-04

74*

BAS70-05

75*

BAS70-06

76*

BAS70-07

77p

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

肖特基势垒（双）二极管

BAS70-07

二极管

单位：mm

特点

低正向电压

高的击穿电压

保护环

小型塑料SMD封装

低电容二极管。

绝对最大额定值大= 25

参数

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻

符号

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

英镑

T

j

T

AMB

R

日J-一

-65

t

p

1 s;

t

p

＆ LT ; 10毫秒

-65

0.5

测试条件

民

最大

70

100

+150

150

+150

500

K / W

单位

V

mA

A

电气特性TA = 25

参数

符号

测试条件

I

F

= 1毫安

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

反向电流

载流子寿命（克拉考尔法）

二极管电容

记

1.脉冲测试：吨

p

= 300毫秒; △= 0.02 。

I

R

C

d

V

R

= 50 V ;注意1

V

R

= 70 V ;注意1

I

F

= 5毫安

F = 1兆赫; V

R

= 0

民

最大

410

750

1

100

10

100

2

单位

mV

V

nA

A

ps

pF

记号

77

www.kexin.com.cn

1

BAS70系列;

1PS7xSB70系列

通用肖特基二极管

版本09 - 2010年1月13日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

通用肖特基二极管小表面贴装器件（ SMD ）塑料

包。

表1中。

产品概述

包

恩智浦

1PS76SB70

1PS79SB70

BAS70

BAS70H

BAS70L

BAS70W

BAS70-04

BAS70-04W

BAS70-05

BAS70-05W

BAS70-06

BAS70-06W

BAS70-07

BAS70-07S

BAS70-07V

BAS70VV

BAS70XY

SOD323

SOD523

SOT23

SOD123F

SOD882

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT143B

SOT363

SOT666

SOT363

JEITA

SC-76

SC-79

-

SC-70

-

SC-70

-

SC-70

-

SC-70

-

SC-88

-

SC-88

单二极管

双系列

双共阴极

双共阳极

双隔离

三重隔离

四倍; 2系列

CON组fi guration

类型编号

1.2产品特点

高开关速度

高的击穿电压

低漏电流

低电容

1.3应用

超高速开关

电压钳位

恩智浦半导体

BAS70系列; 1PS7xSB70系列

通用肖特基二极管

1.4快速参考数据

表2中。

符号

每二极管

I

F

V

F

V

R

[1]

快速参考数据

参数

正向电流

正向电压

反向电压

I

F

= 1毫安

[1]

条件

民

-

典型值

-

最大

70

410

70

单位

mA

mV

V

脉冲测试：吨

p

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

2.管脚信息

表3中。

针

1

2

钉扎

描述

阴极

阳极

[1]

简化的轮廓

符号

BAS70H ; 1PS76SB70 ; 1PS79SB70

1

001aab540

2

sym001

2

BAS70L

1

2

阴极

阳极

[1]

1

2

sym001

透明

顶视图

BAS70 ; BAS70W

1

2

3

阳极

没有连接

阴极

1

2

006aaa144

3

1

3

2

北卡罗来纳州

006aaa436

BAS70-04 ; BAS70-04W

1

2

3

阳极（二极管1 ）

阴极（二极管2 ）

阴极（二极管1），

阳极（二极管2 ）

1

2

006aaa144

3

1

3

2

006aaa437

BAS70_1PS7XSB70_SER_9

产品数据表

版本09 - 2010年1月13日

2 20

恩智浦半导体

BAS70系列; 1PS7xSB70系列

通用肖特基二极管

钉扎

- 续

描述

阳极（二极管1 ）

阳极（二极管2 ）

阴极（二极管1），

阴极（二极管2 ）

1

2

006aaa144

表3中。

针

1

2

3

简化的轮廓

符号

BAS70-05 ; BAS70-05W

3

1

3

2

006aaa438

BAS70-06 ; BAS70-06W

1

2

3

阴极（二极管1 ）

阴极（二极管2 ）

阳极（二极管1），

阳极（二极管2 ）

1

2

006aaa144

3

1

3

2

006aaa439

BAS70-07

1

2

3

4

阴极（二极管1 ）

阴极（二极管2 ）

阳极（二极管2 ）

阳极（二极管1 ）

1

2

1

2

006aaa434

4

3

4

3

BAS70-07S ; BAS70-07V

1

2

3

4

5

6

BAS70VV

1

2

3

4

5

6

阳极（二极管1 ）

阳极（二极管2 ）

阳极（二极管3 ）

阴极（二极管3 ）

1

2

3

sym046

阳极（二极管1 ）

没有连接

阴极（二极管2 ）

阳极（二极管2 ）

没有连接

阴极（二极管1 ）

1

2

3

001aab555

6

5

4

6

5

4

2

3

006aaa440

6

5

4

6

5

4

阴极（二极管2 ）

阴极（二极管1 ）

1

2

3

BAS70_1PS7XSB70_SER_9

产品数据表

版本09 - 2010年1月13日

3 20

恩智浦半导体

BAS70系列; 1PS7xSB70系列

通用肖特基二极管

钉扎

- 续

描述

阳极（二极管1 ）

阴极（二极管2 ）

阳极（二极管3）

阴极（二极管4 ）

阳极（二极管4 ）

阴极（二极管3 ）

阴极（二极管1），

阳极（二极管2 ）

1

2

3

006aaa256

表3中。

针

BAS70XY

1

2

3

4

5

6

简化的轮廓

符号

6

5

4

6

5

4

1

2

3

[1]

标记栏显示的阴极。

3.订购信息

表4 。

订购信息

包

名字

1PS76SB70

1PS79SB70

BAS70

BAS70H

BAS70L

BAS70W

BAS70-04

BAS70-04W

BAS70-05

BAS70-05W

BAS70-06

BAS70-06W

BAS70-07

BAS70-07S

BAS70-07V

BAS70VV

BAS70XY

SC-76

SC-79

-

SC-70

-

SC-70

-

SC-70

-

SC-70

-

SC-88

-

SC-88

描述

塑料表面贴装封装; 2引线

塑料表面贴装封装; 3引线

塑料表面贴装封装; 2引线

无铅超小型塑料封装; 2接线端子;

机身1.0

×

0.6

×

0.5 mm

塑料表面贴装封装; 3引线

塑料表面贴装封装; 4引线

塑料表面贴装封装; 6引线

VERSION

SOD323

SOD523

SOT23

SOD123F

SOD882

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT143B

SOT363

SOT666

SOT363

类型编号

BAS70_1PS7XSB70_SER_9

产品数据表

版本09 - 2010年1月13日

4 20

恩智浦半导体

BAS70系列; 1PS7xSB70系列

通用肖特基二极管

4.标记

表5 。

标记代码

标识代码

[1]

S2

G

73*

AH

S8

73*

74*

75*

类型编号

BAS70-05W

BAS70-06

BAS70-06W

BAS70-07

BAS70-07S

BAS70-07V

BAS70VV

BAS70XY

-

标识代码

[1]

75*

76*

77*

77

N1

70*

-

类型编号

1PS76SB70

1PS79SB70

BAS70

BAS70H

BAS70L

BAS70W

BAS70-04

BAS70-04W

BAS70-05

[1]

* = - ：香港制造

* = P ：香港制造

* = T：在马来西亚

* = W ：中国制造

5.极限值

表6 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

每二极管

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

j

T

AMB

T

英镑

[1]

参数

反向电压

正向电流

正向重复峰值

当前

非重复性峰值正向

当前

结温

环境温度

储存温度

条件

民

-

最大

70

100

150

+150

单位

V

mA

°C

t

p

≤

1 s;

δ ≤

0.5

t

p

≤

10毫秒

[1]

-

65

T

j

= 25

°C

前激增。

BAS70_1PS7XSB70_SER_9

产品数据表

版本09 - 2010年1月13日

5 20

BL

银河电子

表面贴装肖特基二极管

特点

低导通电压。

快速切换。

产品规格

BAS70/-04/-05/-06

Pb

LEAD -FREE

BAS70

BAS70-04

PN结保护环的瞬态和

ESD保护。

超小型表面贴装封装。

此外，在无铅版本。

BAS70-05

BAS70-06

应用

高速开关应用。

电路保护。

电压钳位。

SOT-23

订购信息

型号

BAS70

BAS70-04

BAS70-05

BAS70-06

记号

73

74

75

76

封装代码

SOT-23

最大额定值

除非另有规定@ TA = 25 ℃

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

采用直流反接电压

RMS反向电压

正向连续电流

非重复峰值正向浪涌电流

@t

p

<1.0s

功耗

热阻，结到环境空气

工作结温范围

存储温度范围

符号

V

RRM

V

RWM

V

R

V

R（ RMS ）

I

F

I

FSM

P

d

R

θJA

T

j

T

英镑

范围

70

49

70

100

200

625

-55到+125

-65到+150

单位

V

mA

mW

℃/W

℃

文件编号： BL / SSSKC030

Rev.A的

www.galaxycn.com

1

BL

银河电子

表面贴装肖特基二极管

产品规格

BAS70/-04/-05/-06

电气特性

除非另有规定@ TA = 25 ℃

特征

反向击穿电压

正向电压

反向漏电流

结电容

反向恢复时间

符号

V

（ BR ）R

V

F

I

R

C

j

t

rr

民

70

-

最大

-

410

1000

100

2.0

5.0

单位

V

mV

nA

pF

ns

测试条件

I

（ BR ）

= 10μA

t

P

<300μs,I

F

=1.0mA

t

P

<300μs,I

F

=15mA

t

P

<300μs,V

R

=50V

V

R

=0V,f=1.0MHz

I

F

=I

R

= 10mA至

I

R

=1.0mA,R

L

=100

典型特征

除非另有规定@ TA = 25 ℃

文件编号： BL / SSSKC030

Rev.A的

www.galaxycn.com

2

BL

银河电子

表面贴装肖特基二极管

包装外形

塑料表面贴装封装

产品规格

BAS70/-04/-05/-06

SOT-23

A

E

SOT-23

暗淡

A

B

C

D

J

民

2.85

1.25

0.37

0.35

1.85

0.02

2.35

最大

2.95

1.35

0.43

0.48

1.95

0.1

2.45

K

B

1.0Typical

D

G

E

G

H

C

J

K

0.1Typical

尺寸：mm

焊接足迹

单位：mm

包装信息

设备

BAS70/-04/-05/-06

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

文件编号： BL / SSSKC030

Rev.A的

www.galaxycn.com

3

BAS70 ... / BAS170W

硅肖特基二极管

通用二极管，高速开关

电路保护

电压钳位

高电平检测和混合

1

BAS170W

BAS70-02L

BAS70-02W

BAS70

BAS70-04

BAS70-04T

BAS70-04W

3

BAS70-04S

BAS70-05

BAS70-05W

3

6

5

4

D 3

D 4

D 1

D 2

2

D 1

D 2

D 1

D 2

1

2

1

2

1

2

3

1

2

BAS70-06

BAS70-06W

3

BAS70-07

BAS70-07W

4

3

D 1

D 2

D 1

D 2

1

2

1

2

TYPE

BAS170W

BAS70

BAS70-02L*

BAS70-02W

BAS70-04

BAS70-04S

BAS70-04T

BAS70-04W

BAS70-05

BAS70-05W

BAS70-06

BAS70-06W

BAS70-07

BAS70-07W

包

SOD323

SOT23

TSLP-2-1

SCD80

SOT23

SOT363

SC75

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT143

SOT343

CON组fi guration

单身

单一的，无引线

单身

系列

双系列

系列

共阴极

共阳极

对平行

L

S

（ NH）

1.8

0.4

0.6

1.8

1.6

1.4

1.8

1.4

1.8

1.4

2

1.8

记号

7

73s

F

73

74s

75s

76s

77s

*初步

1

Feb-03-2003

BAS70 ... / BAS170W

最大额定值

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

V

R

I

F

I

FSM

P

合计

价值

单位

二极管的反向电压

正向电流

正向电流浪涌

总功耗

BAS70-02L,

T

S

117 °C

107 °C

48 °C

97 °C

t

70

100

V

mA

10ms

mW

250

T

j

T

op

T

英镑

符号

R

thjs

BAS70-02W,

T

S

BAS70-07W,

T

S

结温

工作温度范围

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BAS70 ， BAS70-07

BAS70-02L

BAS70-02W

BAS70-04 ， BAS70-06

BAS70-04S / W， BAS70-06W

BAS70-04T

BAS70-05

BAS70-05W

BAS70-07W

BAS170W

1

为

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

BAS70-05W,

T

S

BAS70-05,

T

S

BAS70-04T,

T

S

91 °C

90 °C

114 °C

22 °C

BAS70-04S / W / -06W ， BAS170W ，

T

S

BAS70-04 ， BAS70-06 ，

T

S

BAS70 ， BAS70-07 ，

T

S

72 °C

150

-55 ... 125

-55 ... 150

°C

价值

单位

K / W

310

130

170

410

210

235

510

240

145

190

Feb-03-2003

BAS70 ... / BAS170W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

DC特性

典型值。

马克斯。

单位

击穿电压

I

（ BR ）

= 10 A

V

（ BR ）

I

R

V

F

70

-

0.1

V

A

mV

反向电流

V

R

= 50 V

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

I

F

= 10毫安

300

600

750

V

F

375

705

880

-

410

750

1000

20

AC特性

二极管电容

V

R

= 0 ,

f

= 1兆赫

I

F

= 10毫安，

f

= 10千赫

I

F

= 25毫安

正向电阻

载流子寿命

C

T

r

f

-

1.5

34

-

2

-

100

pF

rr

1

V

F

是最低和最高之间的差

V

F

在一个多重二极管组件。

3

Feb-03-2003

正向电压匹配

1)

-

ps

BAS70 ... / BAS170W

二极管电容

C

T

=

f

= 1MHz的

BAS 70W / 170W BAS

f

= 10千赫

EHB00044

2.0

C

T

pF

10

3

r

f

BAS 70W / 170W BAS

1.5

10

2

1.0

10

1

0.5

0.0

0

20

40

60

V

R

80

10

0

0.1

1

T

A

=参数

BAS 70W / 170W BAS

T

A

=参数

EHB00043

10

2

10

2

BAS 70W / 170W BAS

Ι

R

A

10

1

T

A

= 150 C

Ι

F

mA

10

1

10

0

85 C

10

0

10

-1

10

-2

25 C

10

-1

10

-3

0

20

40

60

V

R

80

10

-2

0.0

0.5

4

反向电流

I

R

=

(

V

R

)

正向电流

I

F

=

(V

F

)

T

A

= -40 C

25 C

85 C

150 C

(V

R

)

正向电阻

r

f

=

(I

F

)

EHB00045

10

100毫安

Ι

F

EHB00042

1.0

V

F

1.5

Feb-03-2003

BAS70 ... / BAS170W

正向电流

I

F

=

BAS70 ， BAS70-07

80

mA

BAS70-02L

80

mA

60

I

F

40

I

F

50

40

30

20

10

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

0

15

30

45

60

T

S

BAS70-02W

80

mA

BAS70-04 ， BAS70-06

80

mA

60

I

F

40

I

F

50

40

30

20

10

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

0

15

30

45

60

T

S

5

正向电流

I

F

=

(T

S

)

正向电流

I

F

=

(T

S

)

正向电流

I

F

=

(T

S

)

75

90 105 120

°C

150

T

S

(T

S

)

75

90 105 120

°C

150

T

S

Feb-03-2003

分立半导体

数据表

AGE

M3D088

M3D071

BAS70系列

肖特基势垒（双）二极管

产品speci fi cation

取代1996年的数据10月1日

1999年6月01

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

特点

低正向电流

高的击穿电压

保护环

小型塑料SMD封装

低电容二极管。

应用

超高速开关

电压钳位

保护电路。

描述

平面肖特基势垒二极管的

综合保护环应力

保护。单二极管和双

二极管不同的钉扎

可用。

顶视图

BAS70系列

钉扎

描述

针

BAS70

（参见图1b ）

1

2

3

4

a

1

北卡罗来纳州

k

1

SOT23

BAS70-04

（参见图1c ）

a

1

k

2

k

1

, a

2

BAS70-05

（参见图1d ）

a

1

a

2

k

1

, k

2

BAS70-06

（参见图1e ）

k

1

k

2

a

1

, a

2

SOT143B

BAS70-07

（见图2）

k

1

k

2

a

2

a

1

手册， 2列

3

手册， 2列

3

2

MGC485

1

2

。 BAS70-04

手册， 2列

MGC482

3

2

MGC484

二极管BAS70 ， BAS70-04 ，

BAS70-05和BAS70-06是

封装在一个小型SOT23封装

塑料SMD封装。该BAS70-07

被封装在一个SOT143B小

塑料SMD封装。

记号

一。简化外形SOT23封装。

1

。 BAS70-05 。

手册， 2列

3

2

北卡罗来纳州

MGC483

手册， 2列

3

2

MGC486

1

类型编号

BAS70

BAS70-04

BAS70-05

BAS70-06

BAS70-07

记

记号

CODE

(1)

73p

74p

75p

76p

77p

B 。 BAS70单二极管。

。 BAS70-06 。

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

1.

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

手册， halfpage

4

3

4

3

1

顶视图

2

MAM194

图2简体外形（ SOT143B ） BAS70-07和符号。

1999年6月01

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

每二极管

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

英镑

T

j

T

AMB

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

t

p

≤

1 s;

δ ≤

0.5

t

p

＆ LT ;

10毫秒

65

参数

条件

BAS70系列

分钟。

马克斯。

单位

70

100

+150

150

+150

V

mA

°C

电气特性

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

每二极管

V

F

正向电压

看科幻G.3

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

I

R

τ

C

d

记

1.脉冲测试：吨

p

= 300

s; δ

= 0.02.

热特性

符号

R

日J-一

记

1.参考SOT23或SOT143B标准安装条件。

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

价值

500

单位

K / W

反向电流

载流子寿命（克拉考尔

法）

二极管电容

V

R

= 50 V ;注意1 ;见图4

V

R

= 70 V ;注意1 ;见图4

I

F

= 5毫安

F = 1兆赫; V

R

= 0;见图6

410

750

1

100

10

100

2

mV

V

nA

A

ps

pF

参数

条件

马克斯。

单位

1999年6月01

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

图形数据

10

2

IF

（MA ）

10

1

10

1

10

1

(1)

10

2

(2) (3) (4)

10

3

0

20

40

MRA803

BAS70系列

10

2

IR

(A)

10

(1)

MRA805

(2)

(3)

10

2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

VF （ V）

1

60

VR （ V）

80

(1)

(2)

(3)

(4)

T

AMB

= 125

°C.

T

AMB

= 85

°C.

T

AMB

= 25

°C.

T

AMB

=

40 °C.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 85

°C.

(3) T

AMB

= 25

°C.

Fig.3

正向电流为正向功能

电压;典型值。

Fig.4

反向电流反向的函数

电压;典型值。

10

3

RDIF

()

10

2

MGL762

2

Cd

（PF ）

1.5

MRA804

1

10

0.5

1

10

1

0

1

10

IF （MA ）

10

2

0

20

40

60

VR （ V）

80

F = 10千赫。

F = 1兆赫。

Fig.5

微分正向电阻为一个函数

的正向电流;典型值。

Fig.6

二极管电容反向的函数

电压;典型值。

1999年6月01

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

肖特基势垒（双）二极管

包装纲要

塑料表面贴装封装; 3引线

BAS70系列

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年6月01

5

BAS70-07

小信号肖特基二极管

特点和优点

非常小的传导损耗

开关损耗极小

低正向压降

低热阻

极快的开关

表面贴装器件

描述

低的导通和高击穿电压的二极管

适用于

超快的开关和超高频探测器混合MI-

CRO电路。包装SOT -143 ，该设备是

用于表面安装。它的双不知疲倦

吊灯二极管配置使得它非常跨

十分有趣的应用场合的高集成度

搜查。

绝对额定值

（限制值）

符号

V

RRM

I

F

I

FSM

P

合计

T

英镑

Tj

TL

参数

反向重复峰值电压

连续正向电流

浪涌不重复正向电流

功率耗散（注1 ）

存储温度范围

最大工作结温*

在10秒最高温度为焊接

TP = 10ms的

T

AMB

= 25°C

价值

70

15

1

310

- 65 + 150

150

260

单位

V

mA

A

mW

°C

A2

A1

K2

K1

A1

A2

K1

K2

SOT-143

注1 ：

Ptot的是两个二极管的总损耗。

* :

dPtot

1

＆ LT ;

热失控条件对自己的散热器二极管

RTH

(

j

a

)

DTJ

热阻

符号

R

号（j -a）的

结到环境（ * ）

参数

价值

400

单位

° C / W

（ * ）装在环氧树脂板推荐焊盘布局。

1999年6月 - 埃德： 2A

1/4

BAS70-07

静态电气特性

符号

V

F

*

测试条件

正向电压降

测试条件

TJ = 25°C

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

V

BR

I

R

**

击穿电压

反向漏电流

TJ = 25°C

I

R

= 10

A

V

R

= 50 V

V

R

= 70 V

脉冲测试：

* TP = 380

s, δ

＆ LT ; 2 ％

** TP = 5毫秒，

δ

＆ LT ; 2 ％

分钟。

典型值。

马克斯。

410

750

1

单位

mV

V

70

200

10

nA

A

动态特性

（ TJ = 25 ° C）

符号

C

t

rr

τ

参数

结电容

反向恢复时间

有效的载流子寿命

测试条件

V

R

= 1 V

I

F

= 10毫安

I

R

= 10毫安

F = 1 MHz的

IRR = 1毫安

R

L

= 100

分钟。

典型值。

马克斯。

2

5

100

单位

pF

ns

ps

I

F

= 5毫安克拉考尔法

图1 ：

正向平均功耗与

平均正向电流。

PF （AV）（W）的

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

图2 ：

连续正向电流与环境

温度。

IF （MA ）

80

δ

= 0.1

δ

= 0.05

δ

= 0.2

δ

= 0.5

70

60

δ

=1

50

40

30

T

20

tp

IF （ AV ）（MA ）

0

10

20

30

40

50

δ

= TP / T

10

TAMB （ ° C）

0

25

50

75

100

125

150

60

70

80

0

2/4

BAS70-07

图3 ：

不重复浪涌峰值正向电流

相对于过载持续时间（最大值）。

图4 ：

热阻抗的相对变化

结点到环境与脉冲持续时间（氧化铝工艺

基板10毫米x10采用8mm x 0.5mm）的。

第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）

1.00

Ta=25°C

IM （ A）

0.30

0.25

Ta=50°C

δ

= 0.5

0.20

0.15

0.10

I

M

δ

= 0.2

0.10

Ta=100°C

δ

= 0.1

T

单脉冲

t

0.05

0.00

1E-3

δ

=0.5

T（ S）

1E-2

1E-1

1E+0

TP （多个）

0.01

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

δ

= TP / T

tp

1E+1

1E+2

图5 ：

反向漏电流与反向

电压施加（典型值）。

IR（ μA ）

Tj=100°C

图6 ：

反向漏电流与结

温度（典型值）。

IR（ μA ）

VR=70V

1E+1

1E+0

1E-1

1E+2

1E+1

1E+0

Tj=25°C

1E-2

VR （ V）

1E-3

0

5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70

1E-1

TJ （ ° C）

1E-2

0

25

50

75

100

125

图7 ：

结电容与反向

电压施加（典型值）。

C（ pF）的

F=1MHz

Tj=25°C

图8 ：

正向压降与前进

电流。

7E-2

IFM （ A）

Tj=100°C

典型值

2.0

1.0

1E-2

Tj=25°C

最大值

1E-3

Tj=25°C

典型值

VR （ V）

0.1

1

10

100

VFM （ V）

1E-4

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

3/4

BAS70-07

包装机械数据

SOT-143

尺寸

D

e1

C

REF 。

A

MILLIMETERS

分钟。

0.8

0.01

0.35

0.55

0.085

2.8

1.2

马克斯。

1.2

0.127

0.6

0.95

0.2

3.04

1.4

英寸

分钟。

0.0004

0.014

0.022

0.003

0.11

0.047

马克斯。

0.005

0.024

0.037

0.008

0.12

0.055

0.0314 0.0472

H

E

L

A1

b

b1

e2

b1

b

C

D

E

e1

A

1.90典型。

0.2典型。

2.1

2.64

0.55典型。

0.075典型。

0.008典型。

0.083

0.103

0.022典型。

e2

H

L

A1

足迹尺寸（毫米）

1.92

0.95

0.2

2.25

1.1

0.65

记号

TYPE

BAS70-07

记号

D99

包

SOT-143

重量

0.01g.

基地数量

3000

配送方式

磁带&卷轴

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以

暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有

更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。

未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件

认证时意法半导体。

ST的标志是意法半导体公司的注册商标。

公司意法半导体集团

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http://www.st.com

4/4

BAS70.../BAS170W

硅肖特基二极管

通用二极管，高速开关

电路保护

电压钳位

高电平检测和混合

BAS70-04S ：对于方位盘看

下面的包信息

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

BAS170W

BAS70-02L

BAS70-02W

BAS70

BAS70-04

BAS70-04W

!

BAS70-04S

BAS70-05

BAS70-05W

!

$

#

， "

＆ QUOT ;

, !

,

!

BAS70-06

BAS70-06W

!

BAS70-07

BAS70-07W

＆ QUOT ;

!

,

1

含有铅，

包可能是可根据特殊要求

1

2007-09-19

BAS70.../BAS170W

TYPE

BAS170W

BAS70

BAS70-02L

BAS70-02W

BAS70-04

BAS70-04S

BAS70-04W

BAS70-05

BAS70-05W

BAS70-06

BAS70-06W

BAS70-07

BAS70-07W

包

SOD323

SOT23

TSLP-2-1

SCD80

SOT23

SOT363

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT143

SOT343

CON组fi guration

单身

单一的，无引线

单身

系列

双系列

系列

共阴极

共阳极

对平行

L

S

（ NH）

1.8

0.4

0.6

1.8

1.6

1.4

1.8

1.4

1.8

1.4

2

1.8

记号

白色7

73s

F

73

74s

75s

76s

77s

最大额定值

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

二极管的反向电压

正向电流

非重复性峰值浪涌正向电流

t

≤

10ms

总功耗

BAS70 ， BAS70-07 ，

T

S

≤

72 °C

BAS70-02L,

T

S

≤

117 °C

BAS70-02W,

T

S

≤

107 °C

BAS70-04 ， BAS70-06 ，

T

S

≤

48 °C

BAS70-04S / W / -06W ， BAS170W ，

T

S

≤

97 °C

BAS70-05,

T

S

≤

22 °C

BAS70-05W,

T

S

≤

90 °C

BAS70-07W,

T

S

≤

114 °C

结温

工作温度范围

储存温度

T

j

T

op

T

英镑

P

合计

250

150

-55 ... 125

-55 ... 150

°C

mW

符号

V

R

I

F

I

FSM

价值

70

100

单位

V

mA

2

2007-09-19

BAS70.../BAS170W

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BAS70 ， BAS70-07

BAS70-02L,

BAS70-02W

BAS70-04 ， BAS70-06

BAS70-04S / W， BAS70-06W

BAS70-05

BAS70-05W

BAS70-07W

BAS170W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

DC特性

击穿电压

I

（ BR ）

= 10 A

V

（ BR ）

I

R

V

F

符号

R

thjs

价值

≤

310

≤

130

≤

170

≤

410

≤

210

≤

510

≤

240

≤

145

≤

190

单位

K / W

符号

分钟。

70

-

值

典型值。

-

马克斯。

-

0.1

单位

V

A

mV

反向电流

V

R

= 50 V

正向电压

I

F

= 1毫安

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

300

600

720

V

F

-

375

705

880

-

410

750

1000

20

正向电压匹配

2)

I

F

= 10毫安

1

为

2

V

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

F

是最低和最高之间的差

V

F

在一个多重二极管组件。

3

2007-09-19

BAS70.../BAS170W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

参数

分钟。

AC特性

二极管电容

V

R

= 0 ,

f

= 1兆赫

正向电阻

I

F

= 10毫安，

f

= 10千赫

载流子寿命

I

F

= 25毫安

τ

rr

-

100

ps

r

f

-

34

-

C

T

-

1.5

2

pF

典型值。

马克斯。

单位

4

2007-09-19

BAS70.../BAS170W

二极管电容

C

T

=

(V

R

)

f

= 1MHz的

BAS 70W / 170W BAS

EHB00044

正向电阻

r

f

=

(I

F

)

f

= 10千赫

10

4

2.0

C

T

pF

欧姆

1.5

10

3

1.0

r

f

10

2

0.5

0.0

0

20

40

60

V

R

80

10

1 -2

10

-1

10

0

10

1

mA

10

2

I

F

反向电流

I

R

=

(V

R

)

T

A

=参数

BAS 70W / 170W BAS

EHB00043

正向电流

I

F

=

(V

F

)

T

A

=参数

10

2

BAS 70W / 170W BAS

EHB00042

10

2

Ι

R

A

10

1

T

A

= 150 C

Ι

F

mA

10

1

10

0

85 C

10

0

10

-1

10

-2

25 C

10

-1

T

A

= -40 C

25 C

85 C

150 C

10

-3

0

20

40

60

V

R

80

10

-2

0.0

0.5

1.0

V

F

1.5

5

2007-09-19

产品speci fi cation

BAS70系列

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

低正向电流

高的击穿电压

保护环

小型塑料SMD封装

低电容二极管。

1

2

+0.1

1.3

-0.1

特点

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻

符号

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

英镑

T

j

T

AMB

R

日J-一

-65

tp

1 s;

TP < 10毫秒

-65

0.5

条件

民

最大

70

100

+150

150

+150

500

K / W

单位

V

mA

电极特T A = 25

P ARAM ETER

正向电压

S YM BOL

V

F

条件

I

F

= 1米

I

F

= 10m的

I

F

= 15μm的

反向电压漏电流

载流子寿命添（K rakauer米ethod ）

二极管电容

记

1. P ulse测试：吨

p

= 300

s; = 0.02

C

d

I

R

V

R

= 50 V ;注1

V

R

= 70 V ;注1

I

F

= 5m的

F = 1M的赫兹; V

R

= 0;

米斧

410

750

1

100

10

100

2

单位

mV

V

nA

A

ps

pF

记号

TYPE

记号

BAS70

73*

BAS70-04

74*

BAS70-05

75*

BAS70-06

76*

BAS70-07

77p

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

0-0.1

4008-318-123

1 1

产品speci fi cation

BAS70-07

单位：mm

特点

低正向电压

高的击穿电压

保护环

小型塑料SMD封装

低电容二极管。

绝对最大额定值大= 25

参数

连续反向电压

连续正向电流

重复峰值正向电流

非重复峰值正向电流

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻

符号

V

R

I

F

I

FRM

I

FSM

T

英镑

T

j

T

AMB

R

日J-一

-65

t

p

1 s;

t

p

＆ LT ; 10毫秒

-65

0.5

测试条件

民

最大

70

100

+150

150

+150

500

K / W

单位

V

mA

A

电气特性TA = 25

参数

符号

测试条件

I

F

= 1毫安

正向电压

V

F

I

F

= 10毫安

I

F

= 15毫安

反向电流

载流子寿命（克拉考尔法）

二极管电容

记

1.脉冲测试：吨

p

= 300毫秒; △= 0.02 。

I

R

C

d

V

R

= 50 V ;注意1

V

R

= 70 V ;注意1

I

F

= 5毫安

F = 1兆赫; V

R

= 0

民

最大

410

750

1

100

10

100

2

单位

mV

V

nA

A

ps

pF

记号

77

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1