SMD型
肖特基二极管
BAS70T;BAS70-04T
BAS70-05T;BAS70-06T
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
二极管
单位：mm
+0.01
0.1
-0.01
2
1
+0.15
1.6
-0.15
低导通电压
快速开关
超小型表面贴装封装
也可以在无铅版本
3
+0.25
0.3
-0.05
+0.05
0.8
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
0.55
特点
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
D C V LTA克é
F RW一个道中0：N锡ü 美 ④此吨
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
UNC蒂奥NAND S到岭GE牛逼EMPE岭恩重
S YM B○升
V
RRM
V
RW M
V
R
T
J ,
T
s TG
伏鲁é
70
70
150
-5 5 + 1 5 0
加利IT
V
mA
mW
电极特T A = 25
PARAM ETER
反向击穿电压
反向电压
前锋
二极管
电压
漏电流
SYM BOL
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
d
t
rr
条件
I
R
=10
A
米
70
100
410
1000
2
5
pF
ns
米斧
单位
V
nA
mV
V
R
=50 V
I
F
= 1米
I
F
= 15μm的
电容
V
R
= 0中，f = 1M赫兹
I
F
=I
R
= 10m的
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100
反向恢复恬ê
记号
TYPE
记号
BAS70T
7C
BAS70-04T
7D
BAS70-05T
7E
BAS70-06T
7F
www.kexin.com.cn
1
BAS70T/-04T/-05T/06T
公司Bauelemente
电压70 V， 70毫安
肖特基势垒整流器器
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
SOT-523
暗淡
民
1.50
0.78
0.80
0.28
0.90
0.00
0.10
0.35
0.49
1.50
最大
1.70
0.82
0.82
0.32
1.10
0.10
0.20
0.41
0.51
1.70
特点
低导通电压
快速开关
S
A
L
3
顶视图
A
3.
B
C
D
G
H
J
K
L
S
2
1
B
1.
2.
D
G
C
H
K
J
单位：mm外形尺寸
BAS70T标记： 7C
BAS70-04T标记： 7D
BAS70-05T标记： 7E
BAS70-06T标记： 7F
最大额定值和电气特性
评分25
°
C环境温度，除非另有规定。
类型编号
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ T =
1.0s
功耗
热阻结到环境空气
储存温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
I
FSM
P
D
R
θJA
T
英镑
值
70
70
100
150
833
-65~125
单位
V
mA
A
mW
℃/W
℃
最大额定值和电气特性
评分25
°
C环境温度，除非另有规定。
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
正向电压
二极管电容
尊恢复时间
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
D
t
rr
测试条件
I
R
= 10A
V
R
=50V
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
= 0中，f = 1MHz的
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1xI
R
,
R
L
=100
民
70
最大
100
410
1000
2
5
单位
V
nA
mV
pF
nS
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2002年修订版A
第1页2
BAS70T/-04T/-05T/06T
公司Bauelemente
电压70 V， 70毫安
肖特基势垒整流器器
收视率和特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月， 2002年修订版A
第2页2
BAS7 0T / -04T / -05T / -06T
肖特基二极管
SOT-523
特点
低导通电压
快速开关
BAS70T标记： 7C
BAS70-04T标记： 7D
BAS70-05T标记： 7E
BAS70-06T标记： 7F
最大额定值@T
A
=25℃
参数
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0S
功耗
热阻结到环境空气
储存温度
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
I
FSM
P
D
R
θJA
T
英镑
范围
70
70
100
150
833
-65-125
单位
V
mA
A
mW
℃/W
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
反向击穿电压
反向电压
前锋
二极管
电压
电容
漏电流
符号
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
D
t
rr
TEST
I
R
= 10A
V
R
=50V
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
= 0中，f = 1MHz的
条件
民
70
100
410
1000
2
5
最大
单位
V
nA
mV
pF
nS
尊恢复时间
I
F
=I
R
=10mA,I
rr
=0.1xI
R
,
R
L
=100Ω
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
BAS7 0T / -04T / -05T / -06T
典型特征
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BAS70T
BAS70-04T
BAS70-05T
BAS70-06T
150mWatt ， 70Volt
肖特基二极管
特点
超小型表面贴装封装
低导通电压
快速开关
PN结保护环瞬态andESD保护
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
MCC
产品型号
BAS70T
BAS70-04T
BAS70-05T
BAS70-06T
设备
记号
7C
7D
7E
7F
针
CON组fi guration
图1
图2
科幻gure 3
图4
TYPE
单身
双
双
双
SOT-523
A
D
最大额定值
阻断电压DC
正向连续电流
非重复性峰值正向电流t<1s
总功率耗散@ T
A
= 25°C
存储温度范围
结温
V
R
I
F
I
FSM
P
D
T
英镑
T
j
70V
70mA
100mA
150mW
-55 ° C至150℃
-55 ° C至150℃
E
B
C
G
H
J
K
尺寸
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
评级
正向电压
反向电流
反向击穿
电压
总电容
反向恢复
时间
符号
V
F
I
R
V
（ BR ）
C
T
t
rr
马克斯。
410mV
1000mV
100nA
>70V
2pF
5nS
笔记
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
= 50V
I
R
=10uA
在测
1.0MHz的，V
R
=0V
I
F
=I
R
= 10毫安;
Irr=0.1*I
R
R
L
= 100Ω
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
记
www.mccsemi.com
修订版：A
1第3
2011/01/01
BAS70T / -04T / -05T / -06T
I
F
，正向电流（mA）
100
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
MCC
微型商业组件
TM
10
1.0
T
A
= 0C
0.1
0
0.2
0.4
T
A
= -40C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
10000
T
A
= 125C
1000
T
A
= 75C
100
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
1
T
A
= -40C
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
，反向电压（V）的
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
250
F = 1.0MHz的
P
d
，功耗（毫瓦）
40
C
T
，总电容（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
200
150
100
50
0
0
100
200
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型电容
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4功率降额曲线，总包
引脚配置 - 顶视图
图1
修订版：A
www.mccsemi.com
2 3
图2
科幻gure 3
图4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
SPICE模型： BAS70T BAS70-04T BAS70-05T BAS70-06T
BAS70T / -04T / -05T / -06T
LEAD -FREE
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和
ESD保护
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注3 ）
G
H
K
M
B C
A
SOT-523
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
民
0.15
0.75
1.45
0.90
1.50
0.00
0.60
0.10
0.10
0.45
0°
最大
0.30
0.85
1.75
1.10
1.70
0.10
0.80
0.30
0.20
0.65
8°
典型值
0.22
0.80
1.60
0.50
1.00
1.60
0.05
0.75
0.22
0.12
0.50
机械数据
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 每MIL -STD- 202 ，
方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火
合金引线框架42 ） 。
极性：见下面图表
标记：见下面的图表&第2页
订购信息，请参阅第2页
重量： 0.002克（近似值）
J
D
L
M
N
a
尺寸：mm
BAS70T标记： 7C
BAS70-04T标记： 7D
BAS70-05T标记： 7E
BAS70-06T标记： 7F
最大额定值和电气特性，单二极管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
非重复性峰值正向浪涌电流@ T
p
＆ LT ;
1.0s
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
民
70
—
—
最大
—
410
1000
100
2.0
5.0
单位
—
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
t
p
<300μs ，我
F
= 1.0毫安
t
p
<300μs ，我
F
= 15毫安
t
p
< 300μS ，V
R
= 50V
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10mA至我
R
= 1.0毫安，
内部收益率= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
价值
70
49
70
100
150
833
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
电气额定值
特征
反向击穿电压（注2 ）
正向电压
泄漏电流（注2）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
t
rr
1.装置安装在FR- 4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
DS30261牧师9 - 2
1第3
www.diodes.com
BAS70T / -04T / -05T / -06T
Diodes公司
I
F
，正向电流（mA）
100
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 25C
10
1.0
T
A
= 0C
0.1
0
0.2
0.4
T
A
= -40C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
10000
T
A
= 125C
1000
T
A
= 75C
100
10
T
A
= 25C
T
A
= 0C
1
T
A
= -40C
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
，反向电压（V）的
图。 2典型的反向特性
1.8
1.6
250
F = 1.0MHz的
P
d
，功耗（毫瓦）
40
C
T
，总电容（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
200
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型电容
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4功率降额曲线，总包
DS30261牧师9 - 2
2 3
www.diodes.com
BAS70T / -04T / -05T / -06T
订购信息
（注4 ）
设备
BAS70T-7-F
BAS70-04T-7-F
BAS70-05T-7-F
BAS70-06T-7-F
注意事项：
包装
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装：去我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
三月
3
2005
S
APR
4
XX =产品型号标识代码（见第1页，如7C = BAS70T ）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
五月
5
2007
U
JUN
6
2008
V
JUL
7
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
2012
Z
NOV
N
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30261牧师9 - 2
3 3
www.diodes.com
BAS70T / -04T / -05T / -06T
产品speci fi cation
BAS70T;BAS70-04T
BAS70-05T;BAS70-06T
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
单位：mm
+0.01
0.1
-0.01
2
1
+0.15
1.6
-0.15
低导通电压
快速开关
超小型表面贴装封装
也可以在无铅版本
3
+0.25
0.3
-0.05
+0.05
0.8
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
0.55
特点
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
D C V LTA克é
F RW一个道中0：N锡ü 美 ④此吨
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
UNC蒂奥NAND S到岭GE牛逼EMPE岭恩重
S YM B○升
V
RRM
V
RW M
V
R
T
J ,
T
s TG
伏鲁é
70
70
150
-5 5 + 1 5 0
加利IT
V
mA
mW
电极特T A = 25
PARAM ETER
反向击穿电压
反向电压
前锋
二极管
电压
漏电流
SYM BOL
V
（ BR ）R
I
R
V
F
C
d
t
rr
条件
I
R
=10
A
米
70
100
410
1000
2
5
pF
ns
米斧
单位
V
nA
mV
V
R
=50 V
I
F
= 1米
I
F
= 15μm的
电容
V
R
= 0中，f = 1M赫兹
I
F
=I
R
= 10m的
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100
反向恢复恬ê
记号
TYPE
记号
BAS70T
7C
BAS70-04T
7D
BAS70-05T
7E
BAS70-06T
7F
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