SMD型
肖特基势垒（双）二极管
BAS70系列
二极管
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低正向电流
高的击穿电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
R
日J-一
-65
tp
1 s;
TP < 10毫秒
-65
0.5
条件
民
最大
70
70
70
100
+150
150
+150
500
K / W
单位
V
mA
mA
mA
电极特T A = 25
P ARAM ETER
正向电压
S YM BOL
V
F
条件
I
F
= 1米
I
F
= 10m的
I
F
= 15μm的
反向电压漏电流
载流子寿命添 （K rakauer米ethod ）
二极管电容
记
1. P ulse测试：吨
p
= 300
s; = 0.02
C
d
I
R
V
R
= 50 V ;注1
V
R
= 70 V ;注1
I
F
= 5m的
F = 1M的赫兹; V
R
= 0;
米斧
410
750
1
100
10
100
2
单位
mV
mV
V
nA
A
ps
pF
记号
TYPE
记号
BAS70
73*
BAS70-04
74*
BAS70-05
75*
BAS70-06
76*
BAS70-07
77p
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
BAS70/-04/-05/-06
公司Bauelemente
表面贴装肖特基势垒二极管
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-23
A
L
·
·
·
低导通电压
低正向电压 - 0.75V （最大值） @ I F = 10毫安
非常低电容 - 不到2.0pF @ 0V
对于高速开关应用中，电路保护
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
顶视图
B·S
机械数据
V
G
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见下面图表
重量： 0.008克（约）
安装位置：任意
1
2
3
J
K
J
D
H
K
L
S
V
单位：mm外形尺寸
3
3
3
3
1
2
1
2
1
2
1
2
BAS70标志： K73 ， BE ， 73
BAS70-04标志： K74 ， 74
BAS70-05标志： K75 ， 75
BAS70-06标志： K76 ， 76
最大额定值
（T J = 150℃除非另有说明）
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作结存储温度范围
正向连续电流
单正向电流
t
v
10 m
符号
VR
PF
225
1.8
TJ ， TSTG
I
FM
- 55 + 150
70
100
mW
mW/5C
O
O
价值
70
单位
伏
5C
O
mA
mA
I
FSM
电动
特征
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（IR = 10
A)
总电容（ VR = 0 V ， F = 1.0兆赫）
反向漏电流（ VR = 50 V ）
（ VR = 70 V）
正向电压（ IF = 1.0 MADC ）
正向电压（ IF = 10 MADC ）
正向电压（ IF = 15 MADC ）
符号
V（ BR ）R
CT
IR
VF
VF
VF
民
70
—
—
—
—
—
—
最大
—
2.0
0.1
10
410
750
1.0
单位
伏
pF
μAdc
MVDC
MVDC
VDC
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第1页2
BAS70 / -04 / -05 / -06
表面贴装肖特基二极管
特点
低导通电压
快速开关
PN结保护环的瞬态和ESD保护。
BAS70
3
BAS70-04
3
BAS70-05
3
BAS70-06
3
SOT- 23塑料包装
BAS70标识代码：
73
BAS70-04标识代码：
74
BAS70-05标识代码：
75
BAS70-06标识代码：
76
1
2
1
2
1
2
1
2
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌电流@ tp<1s
功耗
热阻结到环境空气
工作结温范围
存储温度范围
1)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
θ
JA
T
J
T
S
价值
70
200
1)
600
1)
200
1)
430
1)
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
mW
K / W
O
C
C
O
设备上的玻璃基板
特点在T
a
= 25
O
C
参数
正向电压
在我
F
=1mA
在我
F
=15mA
漏电流
在V
R
=50V
反向击穿电压
测试了10μA
反向恢复时间
从我
F
=通过我10毫安
R
= 10mA至我
R
=1mA
电容
在VR = 0V ， F = 1MHz的
符号
V
F
V
F
I
R
V
（ BR ）R
t
rr
C
合计
分钟。
马克斯。
410
1000
单位
mV
mV
nA
V
ns
pF
-
-
-
70
-
-
100
-
5
2
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 19/10/2005
BAS70/–04/–05/–06
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85507
第1版， 01 -APR- 99
恩智浦半导体
BAS70系列; 1PS7xSB70系列
通用肖特基二极管
1.4快速参考数据
表2中。
符号
每二极管
I
F
V
F
V
R
[1]
快速参考数据
参数
正向电流
正向电压
反向电压
I
F
= 1毫安
[1]
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
70
410
70
单位
mA
mV
V
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
BAS70H ; 1PS76SB70 ; 1PS79SB70
1
1
001aab540
2
sym001
2
BAS70L
1
2
阴极
阳极
[1]
1
1
2
2
sym001
透明
顶视图
BAS70 ; BAS70W
1
2
3
阳极
没有连接
阴极
1
2
006aaa144
3
1
3
2
北卡罗来纳州
006aaa436
BAS70-04 ; BAS70-04W
1
2
3
阳极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管1） ，
阳极（二极管2 ）
1
2
006aaa144
3
1
3
2
006aaa437
BAS70_1PS7XSB70_SER_9
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本09 - 2010年1月13日
2 20
恩智浦半导体
BAS70系列; 1PS7xSB70系列
通用肖特基二极管
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
S2
G
73*
AH
S8
73*
74*
74*
75*
类型编号
BAS70-05W
BAS70-06
BAS70-06W
BAS70-07
BAS70-07S
BAS70-07V
BAS70VV
BAS70XY
-
标识代码
[1]
75*
76*
76*
77*
77*
77
N1
70*
-
类型编号
1PS76SB70
1PS79SB70
BAS70
BAS70H
BAS70L
BAS70W
BAS70-04
BAS70-04W
BAS70-05
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
-
最大
70
70
70
100
150
+150
+150
单位
V
mA
mA
mA
°C
°C
°C
t
p
≤
1 s;
δ ≤
0.5
t
p
≤
10毫秒
[1]
-
-
-
65
65
T
j
= 25
°C
前激增。
BAS70_1PS7XSB70_SER_9
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本09 - 2010年1月13日
5 20
飞利浦半导体
产品speci fi cation
肖特基势垒（双）二极管
特点
低正向电流
高的击穿电压
保护环
小型塑料SMD封装
低电容二极管。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路。
描述
平面肖特基势垒二极管的
综合保护环应力
保护。单二极管和双
二极管不同的钉扎
可用。
顶视图
BAS70系列
钉扎
描述
针
BAS70
（参见图1b ）
1
2
3
4
a
1
北卡罗来纳州
k
1
SOT23
BAS70-04
（参见图1c ）
a
1
k
2
k
1
, a
2
BAS70-05
（参见图1d ）
a
1
a
2
k
1
, k
2
BAS70-06
（参见图1e ）
k
1
k
2
a
1
, a
2
SOT143B
BAS70-07
（见图2）
k
1
k
2
a
2
a
1
手册， 2列
3
手册， 2列
3
2
MGC485
1
1
2
。 BAS70-04
手册， 2列
MGC482
3
2
MGC484
二极管BAS70 ， BAS70-04 ，
BAS70-05和BAS70-06是
封装在一个小型SOT23封装
塑料SMD封装。该BAS70-07
被封装在一个SOT143B小
塑料SMD封装。
记号
一。简化外形SOT23封装。
1
。 BAS70-05 。
手册， 2列
3
2
北卡罗来纳州
MGC483
手册， 2列
3
2
MGC486
1
1
类型编号
BAS70
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
BAS70-07
记
记号
CODE
(1)
73p
74p
75p
76p
77p
B 。 BAS70单二极管。
。 BAS70-06 。
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
1.
= - ：香港制造。
= T：在马来西亚。
手册， halfpage
4
3
4
3
1
1
顶视图
2
2
MAM194
图2简体外形（ SOT143B ） BAS70-07和符号。
1999年6月01
2
BAS70 ...- 04 ...- 05 ...- 06
肖特基二极管
表面贴装肖特基势垒单/双二极管
肖特基势垒Einzel- / Doppel - Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2004-04-09
功耗
Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
310毫瓦
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
2.5
最大
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
1.9
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
每个二极管/二极管亲
功耗 - Verlustleistung
马克斯。平均正向电流（ DC ）
Dauergrenzstrom
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
峰值正向浪涌电流T
p
#
1 s
Stostrom - Grenzwert
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
P
合计
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BAS70-series
310毫瓦
1
)
200毫安
1
)
300毫安
1
)
500毫安
70 V
150
/
C
- 55…+ 150
/
C
特性（T
j
= 25
/
C)
正向电压 - Durchlaspannung
2
)
漏电流 - Sperrstrom
2
)
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 50 V
V
F
V
F
I
R
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
< 410毫伏
< 1000毫伏
< 100 nA的
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
1
1
肖特基二极管
BAS70 ...- 04 ...- 05 ...- 06
特性（T
j
= 25
/
C)
马克斯。结电容 - 马克斯。 Sperrschichtkapazitt
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间 - Sperrverzug
I
F
= 10毫安尤伯杯/经过我
R
= 10毫安双/到我
R
= 1毫安
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
概要 - Gehuse
3
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
C
T
t
rr
R
THA
2 pF的
＆ LT ; 5纳秒
400 K / W
3
)
穿针 - Anschlubelegung
单二极管 - Einzeldiode
标记 - Stempelung
BAS70 = 73
1 = 2 =北卡罗来纳州3 = K
1
3
2
双二极管，串联。
Doppeldiode ， Reihenschaltung
2
BAS70-04 = 74
1
3
1 = A 2 = K2 3 = K1 / A2
双二极管，共阴极
Doppeldiode ， gemeins 。 Katode
BAS70-05 = 75
1
3
2
1 = A 2 = A 3 = K1 / K2
双二极管，共阳极
Doppeldiode ， gemeins 。阳极
BAS70-06 = 76
1
2
1 = K 2 = K 2 3 = A1 / A2
3
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
QQ：2881677436 复制
