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BAR 18
BAS70-04 06
小信号肖特基二极管
K
北卡罗来纳州
A
A1
K2
K1
A2
BAR18
BAS70-04
K
A1
A
K1
A2
K2
描述
低导通和高击穿电压的二极管IN-
往往超快开关和UHF探测器
混合微电路。
BAS70-05
SOT-23
(塑胶)
BAS70-06
绝对额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F
P
合计
T
英镑
Tj
T
L
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
功率耗散(注1 )
最大存储温度范围
最大工作结温*
在10秒最高温度为焊接
环境温度Tamb = 25°C
价值
70
70
250
- 65 + 150
150
260
单位
V
mA
mW
°C
°C
°C
注1 :
为双二极管, Ptot的是两个二极管的总损耗
* :
dPtot
1
热失控条件对自己的散热器二极管
& LT ;
DTJ
RTH
(
j
a
)
热阻
符号
R
号(j -a)的
参数
结到环境( * )
价值
500
单位
° C / W
( * )装在环氧树脂板推荐焊盘布局。
2001年12月 - 埃德: 3A
1/4
BAR 18 / 06 BAS70-04
电气特性
静态特性
符号
V
BR
V
F
*
I
R
**
脉冲测试:
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
I
R
= 10A
I
F
= 1毫安
V
R
= 50V
分钟。
70
典型值。
马克斯。
单位
V
410
200
mV
nA
* TP = 380μs ,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
动态特性
符号
C
τ*
测试条件
TJ = 25°C V
R
= 0V
TJ = 25°C
I
F
= 5毫安
F = 1MHz的
克拉考尔法
分钟。
典型值。
马克斯。
2
100
单位
pF
ps
*有效载流子寿命。
图。 1-1 :
正向压降与前进
电流(低电平)。
IFM ( A)
2.0E-2
1.8E-2
1.6E-2
1.4E-2
1.2E-2
1.0E-2
8.0E-3
6.0E-3
4.0E-3
2.0E-3
0.0E+0
0.0
图。 1-2 :
正向压降与前进
电流(高电平) 。
IFM ( A)
7E-2
Tj=100°C
典型值
Tj=100°C
典型值
1E-2
Tj=25°C
最大值
Tj=25°C
最大值
Tj=25°C
典型值
1E-3
Tj=25°C
典型值
VFM ( V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VFM ( V)
1E-4
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
2/4
BAR 18 / 06 BAS70-04
图。 2 :
反向漏电流与反向
电压施加(典型值)。
IR( μA )
1E+1
Tj=100°C
图。 3 :
反向漏电流与结
温度(典型值)的
IR( μA )
5E+2
1E+2
VR=70V
1E+0
1E+1
1E-1
Tj=25°C
1E+0
1E-1
1E-2
VR ( V)
1E-3
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
TJ ( ° C)
1E-2
0
25
50
75
100
125
150
图。 4 :
结电容与反向电压
应用(典型值) 。
C( pF)的
2.0
1.0
F=1MHz
Tj=25°C
图。 5 :
热阻抗的相对变化
结点到环境与脉冲持续时间(氧化铝工艺
基板10毫米* 8毫米* 0.5mm)的。
第i个第(j-一) / Rth的第(j-一)
1.00
δ
= 0.5
δ
= 0.2
0.10
δ
= 0.1
T
0.1
VR ( V)
1
10
100
单脉冲
TP (多个)
1E-2
1E-1
1E+0
δ
= TP / T
tp
0.01
1E-3
1E+1
1E+2
图。 6 :
热阻结到环境ver-
各牵头下SUS铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,铜厚度为35μm ) 。
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
350
300
250
200
S(铜)(平方毫米)
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
P=0.25W
3/4
BAR 18 / 06 BAS70-04
包装机械数据
SOT23 (塑胶)
E
A
尺寸
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
A
A1
0.89
0
0.3
0.085
2.75
0.85
1.7
1.2
2.1
0.35
0.6典型。
0.65
英寸
分钟。
0.035
0
0.012
0.003
0.108
0.033
0.067
0.047
0.083
0.014
e
B
e1
D
马克斯。
1.4
0.1
0.51
0.18
3.04
1.05
2.1
1.6
2.75
马克斯。
0.055
0.004
0.02
0.007
0.12
0.041
0.083
0.063
0.108
0.026
S
A1
B
c
D
L
e
e1
E
H
L
c
H
0.024 TYP 。
S
足迹尺寸
0.9
0.035
0.9
0.035
1.1
0.043
2.35
0.92
1.9
0.075
1.45
0.037
mm
0.9
0.035
订货型号
BAR18
BAS70-04
BAS70-05
BAS70-06
s
记号
D76
D96
D97
D98
1.1
0.043
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
重量
0.01g
0.01g
0.01g
0.01g
基地数量
3000
3000
3000
3000
配送方式
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
环氧符合UL94 , V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权记在生命支持设备或系统中的关键组件,不含任何明示
意法半导体的批准的。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2001意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
4/4
BAS70
低电容,低串联电感和电阻肖特基二极管
特点
BAS70ZFILM
(单)
SOD-123
非常低的导通损耗
开关损耗极小
低正向和反向恢复时间
表面安装器件
低电容二极管
低电阻和电感
BAS70JFILM
(单)
SOD-323
BAS70KFILM
(单)
SOD-523
描述
该BAS70系列采用70 V肖特基势垒
二极管封装在SOD- 123 , SOD- 323 , SOD-
523 , SOT -23 , SOT- 323 , SOT- 323-6L或SOT- 666 。
这些二极管是特别适合于信号
检测和温度补偿在射频
应用程序。
BAS70FILM
(单)
BAS70-04FILM
(系列)
BAS70-05FILM
(共阴极)
BAS70-06FILM
(共阳极)
SOT-23
BAS70WFILM
(单)
BAS70-04WFILM
(系列)
BAS70-05WFILM
(共阴极)
BAS70-06WFILM
(共阳极)
SOT-323
BAS70-08SFILM
( 3并联二极管)
表1中。
设备简介
符号
I
F
V
RRM
C(最大值)
T
j
(最大)
价值
70毫安
70 V
2 pF的
150 °C
SOT-323-6L
BAS70-07P6FILM
( 2并联二极管)
SOT-666
BAS70-09P6FILM
( 2对面二极管)
在顶视图配置
2009年10月
文档ID 12563第2版
1/14
www.st.com
14
特征
BAS70
1
特征
表2中。
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
T
英镑
T
j
T
L
绝对额定值(在T限值
j
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
反向重复峰值电压
连续正向电流
浪涌不重复正向电流T
p
= 10 ms的正弦
存储温度范围
最大工作结温
最大焊接温度
价值
70
70
1
- 65 + 150
150
260
单位
V
mA
A
°C
°C
°C
表3中。
符号
热学参数
参数
SOD- 123 , SOT -23
价值
500
550
600
° C / W
单位
R
号(j -a)的
结到环境
(1)
SOT- 323 , SOD- 323
SOD- 523 , SOT- 666
与推荐焊盘布局1.环氧树脂印刷电路板
表4 。
符号
I
R(1)
静态电气特性
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25 °C
V
R
= 50 V
V
R
= 70 V
I
F
= 1毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
100
10
410
750
1000
mV
单位
nA
A
V
F(2)
正向电压降
T
j
= 25 °C
I
F
= 10毫安
I
F
= 15毫安
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
表5 。
符号
C
R
F
L
S
动态特性
参数
二极管电容
微分先行
阻力
串联电感
测试条件
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
F
= 10 mA时, F = 100 MHz的
30
1.5
分钟。
典型值。
马克斯。
2
单位
pF
Ω
nH
2/14
文档ID 12563第2版
BAS70
特征
图1 。
正向平均功耗如图2所示。
与平均正向电流
I
F( AV )
(A)
0.08
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
平均正向电流随
环境温度( δ = 1)
P( W)的
0.14
0.12
0.10
0.07
0.06
0.05
0.08
0.04
0.06
0.04
0.02
I
F( AV )
(A)
0.00
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.03
T
T
0.02
0.01
0.00
d
= TP / T
0.07
0.08
tp
0.09
0.10
d
= TP / T
0
25
tp
T
AMB
(°C)
50
75
100
125
150
网络连接gure 3 。
反向漏电流对
反向施加电压
(典型值)
图4中。
反向漏电流对
结温
(典型值)
I
R
(A)
1.E+02
TJ = 150℃
1.E+02
I
R
(A)
V
R
=50 V
1.E+01
1.E+01
1.E+00
TJ = 85°C
1.E+00
1.E-01
1.E-01
1.E-02
TJ = 25°C
1.E-03
0
10
20
30
40
V
R
(V)
50
60
70
T
j
(°C)
1.E-02
0
25
50
75
100
125
150
图5中。
结电容与
反向施加电压
(典型值)
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
TJ = 25°C
图6 。
正向压降随
正向电流(典型值)
C( pF)的
10.0
I
FM
(MA )
1.E+02
TJ = 150℃
1.E+01
1.0
TJ = -40°C
1.E+00
Tj=85°C
0.1
0.1
1.0
V
R
(V)
10.0
100.0
V
FM
(V)
1.E-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
文档ID 12563第2版
3/14
特征
BAS70
图7 。
正向压降随
正向电流(典型值)
网络连接gure 8 。
微分正向电阻
与正向电流
(典型值)
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
1.E+02
I
FM
(MA )
1000
TJ = 125°C
R
F
(
Ω
)
TJ = 25°C
1.E+01
100
1.E+00
V
FM
(V)
1.E-01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10
0.1
I
F
(MA )
1.0
10.0
图9 。
热相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
热图10.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOT-23
1000
Z
号(j -a)的
( ° C / W)
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOT- 323-6L
单脉冲
SOT-323-6L
100
0.10
Aluminesubstrate
10 ×8× 0.5毫米
10
1.E-02
t
P
(s)
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
ALLUMINIUM氧化物基板10 ×8× 0.5毫米SOT- 23
0.01
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t
P
(s)
1.E+02
热图11.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
1.00
热图12.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOT-666
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
单脉冲
SOD-323
0.10
EpoxyFR4
S
CU
=2.25 mm
e
CU
=35 m
0.10
环氧FR4
e
CU
=35 m
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 323
0.01
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
t
P
(s)
1.E+02
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOT- 666
0.01
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t
P
(s)
1.E+01
4/14
文档ID 12563第2版
BAS70
订购信息计划
热图13.相对变化
阻抗结到环境
与脉冲持续时间
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.00
单脉冲
SOD-523
图14.热阻抗交界处
环境与铜表面
各牵头下
R
号(j -a)的
( ° C / W)
600
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 323
550
EpoxyFR4
e
CU
=35 m
0.10
500
450
0.01
400
350
印刷电路板, FR4环氧ê
CU
= 35微米SOD- 523
0.00
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t
P
(s)
1.E+01
300
0
5
10
15
20
25
30
35
40
S
CU
(mm)
45
50
2
订购信息计划
图15.订购信息计划
BAS70
信号肖特基二极管
V
RRM
= 70 V
CON组fi guration
不信=单二极管
04 =二极管系列
05 =常见的正极
06 =共阳极
07 = 2并联二极管
08 = 3并联二极管
09 = 2对面二极管
空白= SOT- 23
J = SOD- 323
W = SOT- 323
K = SOD- 523
P6 = SOT- 666
S = SOT323-6L
Z = SOD- 123
填料
电影=磁带和卷轴
xx
XX电影
文档ID 12563第2版
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BAS70-04FILM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BAS70-04FILM
STMicroelectronics
2431+
1000
SOT-23-3
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
BAS70-04FILM
ST(意法)
23+
700000
SOT-23-3
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BAS70-04FILM
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
BAS70-04FILM
ST
24+
98000
SOT23
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
BAS70-04FILM
ST(意法)
24+
7800
SOT-23-3
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BAS70-04FILM
ST
24+
30000
SOT23
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