BAS70-02V
威世半导体
小信号肖特基二极管，单
特点
这些二极管具有极低的导通
电压和快速切换。
这些设备由一个PN保护
防止过度结保护环
电压，例如静电放电。
节省空间的SOD- 523封装
铅（Pb） -free组件
按照以组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
e3
1
1
2
2
18554
机械数据
案例：
SOD- 523塑料外壳
模塑料阻燃性等级：
符合UL 94 V -0
终端：
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒。在终端
重量：
约。 1.6毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAS70-02V
订购代码
BAS70-02V - GS18或BAS70-02V - GS08
X
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
T
AMB
= 25 °C
t
p
< 1秒，T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
测试条件
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
P
合计
价值
70
200
600
200
单位
V
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的焊接点
结温
存储温度范围
测试条件
符号
R
thjs
T
j
T
S
价值
100
125
- 55 + 125
单位
K / W
°C
°C
文档编号85652
修订版1.3 ， 29军， 05
www.vishay.com
1
BAS70-02V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85652
修订版1.3 ， 29军， 05
www.vishay.com
3
BAS70-02V
威世半导体
小信号肖特基二极管，单
特点
这些二极管具有极低的导通
电压和快速切换。
这些设备由一个PN保护
防止过度结保护环
电压，例如静电放电。
节省空间的SOD- 523封装
铅（Pb） -free组件
按照以组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
e3
1
1
2
2
18554
机械数据
案例：
SOD- 523塑料外壳
模塑料阻燃性等级：
符合UL 94 V -0
终端：
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒。在终端
重量：
约。 1.6毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAS70-02V
订购代码
BAS70-02V - GS18或BAS70-02V - GS08
X
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
T
AMB
= 25 °C
t
p
< 1秒，T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
测试条件
符号
V
RRM
I
F
I
FSM
P
合计
价值
70
200
600
200
单位
V
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的焊接点
结温
存储温度范围
测试条件
符号
R
thjs
T
j
T
S
价值
100
125
- 55 + 125
单位
K / W
°C
°C
文档编号85652
修订版1.3 ， 29军， 05
www.vishay.com
1
BAS70-02V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85652
修订版1.3 ， 29军， 05
www.vishay.com
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