BAS40W/-04/-05/-06
表面贴装肖特基二极管
特点
·
·
·
·
低正向压降
快速开关
超小型表面贴装封装
PN结保护环的瞬态和ESD
保护
SOT-323
暗淡
A
C
B C
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
A
B
C
D
E
G
H
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 323 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：见下面图表
标记：见下面的图表3 &Page
重0.006克数（大约）
B
G
H
K
E
0.65标称
J
K
L
M
a
J
D
F
L
顶视图
尺寸：mm
BAS40W标志： K43
BAS40W -04标： K44
BAS40W -05标： K45
BAS40W -06标： K46
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流
功率耗散（注1 ）
热阻结到环境空气（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
@ T = 1.0S
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FM
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
T
英镑
价值
40
28
200
600
200
625
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向击穿电压（注2 ）
正向电压（注2）
泄漏电流（注2）
总电容
反向恢复时间
注意事项：
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
C
T
t
rr
民
40
最大
380
1000
200
5.0
5.0
单位
V
mV
mV
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10毫安
I
F
= 1.0毫安，T
p
< 300毫秒
I
F
= 40毫安，T
p
< 300毫秒
V
R
= 30V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安，
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100W
1.装置安装在FR4印刷电路板与推荐的焊盘布局，可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
DS30114牧师8 - 2
1第3
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BAS40W/-04/-05/-06
订购信息
（注3）
设备
BAS40W-7
BAS40W-04-7
BAS40W-05-7
BAS40W-06-7
注意事项：
包装
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页图）
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2000
L
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
三月
3
2003
P
APR
4
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
JUL
7
2006
T
八月
8
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30114牧师8 - 2
YM
3 3
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BAS40W/-04/-05/-06
BAS40W/-04/-05/-06
肖特基二极管
SOT-323
特点
低正向电压
快速开关
尺寸以英寸（毫米）
BAS40W标记： 43
BAS40W -06标记： 46
BAS40W -05标记： 45
BAS40W -04标记： 44
最大额定值@T
A
=25℃
参数
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
功耗
热阻。结到环境空气
结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
200
150
833
125
-65-125
mA
mW
℃/W
℃
℃
40
V
范围
单位
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
前锋
电压
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
C
D
t
rr
TEST
I
R
= 10
μ
A
V
R
=30V
I
F
=1mA
I
F
=40mA
二极管电容
反向恢复时间
V
R
=0,f=1MHz
I
rr
= 1mA时，我
R
=I
F
=10mA
R
L
=100
条件
民
40
200
380
1000
5
5
最大
单位
V
nA
mV
pF
nS
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
BAS40W/-04/-05/-06
肖特基二极管
SOT-323
特点
低正向电压
快速开关
BAS40W标记： 43
BAS40W -06标记： 46
BAS40W -05标记： 45
BAS40W -04标记： 44
最大额定值@T
A
=25℃
参数
峰值重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
正向连续电流
功耗
热阻。结到环境空气
结温
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
200
150
833
125
-65-125
mA
mW
℃/W
℃
℃
40
V
范围
单位
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
反向击穿电压
反向电压漏电流
前锋
电压
符号
V
（ BR ）
I
R
V
F
C
D
t
rr
TEST
I
R
= 10
μ
A
V
R
=30V
I
F
=1mA
I
F
=40mA
V
R
=0,f=1MHz
I
rr
= 1mA时，我
R
=I
F
=10mA
R
L
=100
条件
民
40
200
380
1000
5
5
最大
单位
V
nA
mV
二极管电容
反向恢复时间
pF
nS
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
QQ：2881677436 复制
