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HiRel它
硅肖特基二极管
特点
HiRel它
离散和微波半导体
通用二极管,高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
密封微波包装
欧空局正在申请资格
BAS 40
T1
ESD :电子
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件,观察处理注意事项!
TYPE
BAS40 -T1 ( QL )
记号
-
订购代码
见下文
引脚配置
T1
( QL )质量等级: P:专业品质,订货代码: Q62702A1176
H:高相对质量,
S:空间品质,
订货代码:要求
订货代码:要求
(见
章订购说明
订购的例子)
表1
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
1)
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
结温
热阻结案件
1)
最大额定值
符号
限值
40
120
170
250
-
55 + 150
-
65 + 150
+ 250
150
100
单位
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
英镑
T
SOL
T
j
R
日(J -C )
t
10毫秒,占空比= 10
%
半导体集团
1
草案A03 1998-04-01
BAS 40
电气特性
表2
参数
反向电流1 ,
V
R
= 40 V
反向电流2 ,
V
R
= 30 V
正向电压1 ,
I
F1
= 1毫安
正向电压2 ,
I
F2
= 10毫安
正向电压3 ,
I
F3
= 40毫安
微分正向电阻
2)
I
F2
= 10毫安,
I
F3
= 15毫安
2)
DC特性
at
T
A
= 25
°
C除非另有说明
符号
分钟。
限值
典型值。
-
-
0.33
0.45
0.7
10
马克斯。
10
1
0.39
0.54
0.85
11.5
m
A
m
A
V
V
V
W
-
-
0.29
0.42
0.68
7.5
单位
I
R1
I
R2
V
F1
V
F2
V
F3
R
FD
R
FD
D
V
F
-W
= --------------------
3
5
10
AC特性
at
T
A
= 25
°
C除非另有说明
符号
分钟。
限值
典型值。
2.9
马克斯。
5.0
pF
2.2
单位
表3
参数
总电容,
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
C
T
半导体集团
2
草案A03 1998-04-01
BAS 40
为了说明
全部类型的变体,包括变型和质量水平必须由订购者指定。
HiRel它
离散和微波半导体的订货代码指定设备
家人和质量水平而已。
订购方式:
订购代码: QE
BAS40- ( X) ( QL )
( X) :包装变
( QL ) :质量水平
订购示例:
订货代码: Q62702A1176
BAS40 -T1 P
对于BAS40在T1包装;专业的质量水平
进一步资料
请参阅我们的WWW-页:
二维离散和射频半导体(小信号半导体)
www.siemens.de/semiconductor/products/35/35.htm
HiRel它
离散和微波半导体
www.siemens.de/semiconductor/products/35/353.htm
也请联系我们的营销部门:
电话: + 89 6362 4480
传真: + 89 6362 5568
电子邮件: martin.wimmers@hl.siemens.de
半导体集团
3
草案A03 1998-04-01
BAS 40
图1
符号
T1套餐
毫米波
分钟。
马克斯。
1.45
1.35
0.40
0.50
0.30
0.10
-
0.60
1.30
1.15
-
0.10
-
0.06
5.50
0.40
A
B
C
D
E
F
G
H
半导体集团
4
草案A03 1998-04-01
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