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BAS381...BAS383
威世德律风根
肖特基势垒二极管
特点
D
对综合保护环
静电放电
D
D
D
D
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
96 12315
应用
通用和开关
肖特基二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
测试条件
TYPE
BAS381
BAS382
BAS383
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
T
j
T
英镑
价值
40
50
60
500
150
30
125
–65...+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°
C
°
C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
结温
存储温度范围
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
t
p
=1s
最大热阻
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
电气特性
测试条件
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
=V
RMAX
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
TYPE
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值
最大
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
反向电流
二极管电容
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS381...BAS383
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
14
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
V
R
= 60 V
12
10
8
6
4
2
0
25
15794
1000
100
T
j
= 150°C
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0.01
50
75
100
125
150
15796
R
thJA
=
540K/W
P
R
-limit
@100%V
R
P
R
-limit
@80%V
R
I
F
- 正向电流（ A）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功耗对比
结温
1000.0
V
R
= V
RRM
图3.正向电流与正向电压
2.0
1.8
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
15797
f=1MHz
I
R
- 反向电流（
m
A )
100.0
10.0
1.0
0.1
25
15795
50
75
100
125
150
1.0
10.0
100.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
BAS381...BAS383
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12072
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
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3 (4)
BAS381...BAS383
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612315
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MicroMELF玻璃外壳
重量：
约。 12毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
BAS381
BAS382
BAS383
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS381 - TR3或BAS381 -TR
BAS382 - TR3或BAS382 -TR
BAS383 - TR3或BAS383 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
BAS381
BAS382
BAS383
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
www.vishay.com
1
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
14
1000
P - 反向功率耗散（MW ）
R
V
R
= 60
V
I
F
- 正向电流（ A）
12
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
4
100
T
j
=150 °C
10
T
j
= 25 °C
P
R
- 100 ％的上限
V
R
R
R
1
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.01
0
15796
0.5
1
1.5
2.0
15794
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
1000
2.0
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
10
1
0.1
25
15795
0
50
75
100
125
150
15797
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（ ° C）
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
0.71
1.3
1.27
0.152
9.9
25
0.355
10
2.5
95 10329
24
图5.董事会的R
thJA
定义（单位mm）
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
1 （ 0.039 ）表面计划
35
LA （ 0 。
ss 05
3
玻璃柜
MicroMELF
2.0 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
> 2.5 （R 0.098 ）
玻璃
ISO方法E
再溢流焊接
1.2 (0.047)
1.4 (0.055)
波峰焊
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
2.4 (0.094)
文件
编号：
6.560-5007.01-4
牧师11 ， 07.Feb.2005
9612072
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
1.0 (0.039)
2.8 (0.110)
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
表面计划
0.6
(0.024)
0.9 (0.035)
G
＆ LT ;
1.
)
www.vishay.com
3
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
BAS381 ， BAS382 ， BAS383
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
9612315
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MicroMELF
重量：
约。 12毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
BAS381
BAS382
BAS383
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS381 - TR3或BAS381 -TR
BAS382 - TR3或BAS382 -TR
BAS383 - TR3或BAS383 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS381
BAS382
BAS383
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85503
2.0版本， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BAS381 ， BAS382 ， BAS383
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
分钟。
典型值。
马克斯。
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
12
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
100
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 25 °C
1
0.1
0.01
0
15796
0.5
1
1.5
2.0
15794
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.最大。反向功耗对比
结温
1000
图3.正向电流与正向电压
2.0
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
=
V
RRM
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
25
15795
0
50
75
100
125
150
15797
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（ ° C）
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85503
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
2.0版本， 23 10年7月
BAS381 ， BAS382 ， BAS383
威世半导体
0.71
0.152
1.3
1.27
25
0.355
10
2.5
95 10329
24
图5.董事会的R
thJA
定义（单位mm）
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MicroMELF
阴极indification
1 (0.039)
表面计划
表面计划
9.9
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
＆ LT ;
1.
35
gl
(0
as
.0
s
53
)
*
2 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
> R2.5 （ 0.098 ）
玻璃
*
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
再溢流焊接
2.4 (0.094)
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
WAVE
焊接
2.8 (0.110)
0.9 (0.035)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
1 (0.039)
创建 - 日期： 26.July.1996
启示录13 - 日期： 07.June.2006
文件编号： 6.560-5007.01-4
96 12072
文档编号85503
2.0版本， 23 10年7月
1.4 (0.055)
0.6 (0.024)
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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3
法律免责声明
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日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
BAS381 ， BAS382 ， BAS383
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
9612315
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MicroMELF
重量：
约。 12毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
BAS381
BAS382
BAS383
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS381 - TR3或BAS381 -TR
BAS382 - TR3或BAS382 -TR
BAS383 - TR3或BAS383 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS381
BAS382
BAS383
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85503
2.0版本， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
BAS381 ， BAS382 ， BAS383
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
分钟。
典型值。
马克斯。
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
14
V
R
= 60
V
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
12
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
P
R
极限
在100
V
V
P
R
- 限制
在100％的
%
R
R
4
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
100
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 25 °C
1
0.1
0.01
0
15796
0.5
1
1.5
2.0
15794
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.最大。反向功耗对比
结温
1000
图3.正向电流与正向电压
2.0
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
=
V
RRM
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
25
15795
0
50
75
100
125
150
15797
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（ ° C）
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85503
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
2.0版本， 23 10年7月
BAS381 ， BAS382 ， BAS383
威世半导体
0.71
0.152
1.3
1.27
25
0.355
10
2.5
95 10329
24
图5.董事会的R
thJA
定义（单位mm）
包装尺寸
以毫米（英寸）：
MicroMELF
阴极indification
1 (0.039)
表面计划
表面计划
9.9
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
＆ LT ;
1.
35
gl
(0
as
.0
s
53
)
*
2 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
> R2.5 （ 0.098 ）
玻璃
*
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
再溢流焊接
2.4 (0.094)
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
WAVE
焊接
2.8 (0.110)
0.9 (0.035)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
1 (0.039)
创建 - 日期： 26.July.1996
启示录13 - 日期： 07.June.2006
文件编号： 6.560-5007.01-4
96 12072
文档编号85503
2.0版本， 23 10年7月
1.4 (0.055)
0.6 (0.024)
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www.vishay.com
3
MiniMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
阴极indification
*
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
*差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
2.5 （ 0.098 ）最大。
1.25 （ 0.49 ）分。
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
5 （ 0.197 ）参考。
文件编号： 6.560-5005.01-4
启示录
8
- 日期： 07.June.2006
96 12070
文档编号： 84024
修订版1.3 12 -JAN- 07
如有技术问题，请联系： EMI-filter@vishay.com
2 （ 0.079 ）分钟。
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21
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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1
BAS381...BAS383
威世德律风根
肖特基势垒二极管
特点
D
对综合保护环
静电放电
D
D
D
D
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
96 12315
应用
通用和开关
肖特基二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向电压
g
测试条件
TYPE
BAS381
BAS382
BAS383
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
T
j
T
英镑
价值
40
50
60
500
150
30
125
–65...+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°
C
°
C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
结温
存储温度范围
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
t
p
=1s
最大热阻
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
320
单位
K / W
电气特性
测试条件
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=15mA
V
R
=V
RMAX
V
R
= 1V ， F = 1MHz的
TYPE
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值
最大
330
410
1
200
1.6
单位
mV
mV
V
nA
pF
反向电流
二极管电容
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BAS381...BAS383
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
14
P
R
- 反向功率耗散（MW ）
V
R
= 60 V
12
10
8
6
4
2
0
25
15794
1000
100
T
j
= 150°C
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0.01
50
75
100
125
150
15796
R
thJA
=
540K/W
P
R
-limit
@100%V
R
P
R
-limit
@80%V
R
I
F
- 正向电流（ A）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图1.最大。反向功耗对比
结温
1000.0
V
R
= V
RRM
图3.正向电流与正向电压
2.0
1.8
C
D
- 二极管电容（pF ）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
15797
f=1MHz
I
R
- 反向电流（
m
A )
100.0
10.0
1.0
0.1
25
15795
50
75
100
125
150
1.0
10.0
100.0
T
j
- 结温（
°C
)
V
R
- 反向电压（ V）
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
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FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
BAS381...BAS383
威世德律风根
尺寸（mm）
96 12072
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
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3 (4)
BAS381...BAS383
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响，以及其上的冲击
环境。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到已知的大气中
臭氧消耗物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户进行验证
应用程序由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的
申请时，买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，因
直接或间接的个人损害，伤害或死亡索赔等意外或相关
未经授权的使用。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85503
第3版， 01 -APR- 99
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612315
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MicroMELF玻璃外壳
重量：
约。 12毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
BAS381
BAS382
BAS383
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS381 - TR3或BAS381 -TR
BAS382 - TR3或BAS382 -TR
BAS383 - TR3或BAS383 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
BAS381
BAS382
BAS383
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
www.vishay.com
1
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
14
1000
P - 反向功率耗散（MW ）
R
V
R
= 60
V
I
F
- 正向电流（ A）
12
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
4
100
T
j
=150 °C
10
T
j
= 25 °C
P
R
- 100 ％的上限
V
R
R
R
1
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.01
0
15796
0.5
1
1.5
2.0
15794
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
1000
2.0
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
10
1
0.1
25
15795
0
50
75
100
125
150
15797
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（ ° C）
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
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2
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
0.71
1.3
1.27
0.152
9.9
25
0.355
10
2.5
95 10329
24
图5.董事会的R
thJA
定义（单位mm）
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
1 （ 0.039 ）表面计划
35
LA （ 0 。
ss 05
3
玻璃柜
MicroMELF
2.0 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
> 2.5 （R 0.098 ）
玻璃
ISO方法E
再溢流焊接
1.2 (0.047)
1.4 (0.055)
波峰焊
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
2.4 (0.094)
文件
编号：
6.560-5007.01-4
牧师11 ， 07.Feb.2005
9612072
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
1.0 (0.039)
2.8 (0.110)
文档编号85503
修订版1.9 ， 07 -MAR -06
表面计划
0.6
(0.024)
0.9 (0.035)
G
＆ LT ;
1.
)
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BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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文档编号85503
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法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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BAS381 /三百八十三分之三百八十二
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
极低的开关时间
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612315
应用
通用开关和肖特基势垒
二极管
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流，低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器，用于笔记本电脑
机械数据
案例：
MicroMELF玻璃外壳
重量：
约。 12毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒TR3 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /箱TR / 2.5
零件表
部分
BAS381
BAS382
BAS383
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 50 V
V
R
= 60 V
订购代码
BAS381 - TR3或BAS381 -TR
BAS382 - TR3或BAS382 -TR
BAS383 - TR3或BAS383 -TR
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
BAS381
BAS382
BAS383
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
40
50
60
500
150
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
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威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
反向电流
二极管电容
V
R
= V
RMAX
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
C
D
民
典型值。
最大
330
410
1000
200
1.6
单位
mV
mV
mV
nA
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
14
1000
P - 反向功率耗散（MW ）
R
V
R
= 60
V
I
F
- 正向电流（ A）
12
R
thJA
= 540 K / W
10
8
6
4
100
T
j
=150 °C
10
T
j
= 25 °C
P
R
- 100 ％的上限
V
R
R
R
1
P
R
- 在极限
80
%
V
R
2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.01
0
15796
0.5
1
1.5
2.0
15794
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.最大。反向功率耗散与结
温度
图3.正向电流与正向电压
1000
2.0
C
D
- 二极管电容（pF ）
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ μA ）
100
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
10
1
0.1
25
15795
0
50
75
100
125
150
15797
0.1
1
10
100
T
j
- 结温（ ° C）
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.反向电流与结温
图4.二极管电容与反向电压
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1.27
0.152
9.9
25
0.355
10
2.5
95 10329
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图5.董事会的R
thJA
定义（单位mm）
单位：mm包装尺寸（英寸）
阴极indification
1 （ 0.039 ）表面计划
35
LA （ 0 。
ss 05
3
玻璃柜
MicroMELF
2.0 (0.079)
1.8 (0.071)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
> 2.5 （R 0.098 ）
玻璃
ISO方法E
再溢流焊接
1.2 (0.047)
1.4 (0.055)
波峰焊
0.8 (0.031)
0.8 (0.031)
2.4 (0.094)
文件
编号：
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9612072
0.8 (0.031)
0.9 (0.035)
1.0 (0.039)
2.8 (0.110)
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消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
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放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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修订： 18 -JUL- 08
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