BAS33/BAS34
威世半导体
小信号开关二极管
特点
硅平面二极管
极低反向电流
e2
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
应用
保护电路，延时电路，峰值跟着
较低的电路，对数放大器
机械数据
案例：
DO35玻璃案例
重量：
约。 125毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（52毫米磁带） ， 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千（52毫米磁带） ， 50 K /盒
零件表
部分
BAS33
BAS34
类型分化
V
RRM
= 40 V
V
RRM
= 70 V
订购代码
BAS33 - TAP或BAS33 -TR
BAS34 - TAP或BAS34 -TR
键入标记
BAS33
BAS34
备注
Ammopack /磁带和卷轴
Ammopack /磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
正向连续电流
t
p
= 1 s
测试条件
部分
BAS33
BAS34
符号
V
R
V
R
I
FSM
I
F
价值
30
60
2
200
单位
V
V
A
mA
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
350
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
文档编号85541
修订版1.6 ， 16 -FEB -07
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BAS33/BAS34
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
反向电流
测试条件
I
F
= 100毫安
E
≤
LX 300 ，V
R
E
≤
LX 300 ，V
R
, T
j
= 125 °C
E
≤
LX 300 ，V
R
= 15V
E
≤
LX 300 ，V
R
= 30 V
击穿电压
二极管电容
I
R
= 5 μA ，T
p
/T = 0.01, t
p
0.3毫秒
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
BAS33
BAS34
BAS33
BAS34
部分
符号
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
V
（ BR ）
V
（ BR ）
C
D
40
70
3
0.5
0.5
1
民
典型值。
最大
1000
3
0.5
1
1
单位
mV
nA
μA
nA
nA
V
V
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10000
V
R
=
V
RRM
I
R
- 反向电流（ NA）
1000
散射极限
100
1000
T
j
= 25 °C
100
散射极限
10
I
F
- 正向电流（mA ）
10
1
1
0
94 9079
0.1
40
8
0
120
160
200
94 9078
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.反向电流与结温
图2.正向电流与正向电压
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO35
阴极鉴定
0.55最大。 （ 0.022 ）
启示录6 - 日期：2007年29.January
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
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2
文档编号85541
修订版1.6 ， 16 -FEB -07
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
BAS33/BAS34
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85541
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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修订： 18 -JUL- 08
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