BAS32L
高速开关二极管
牧师04 - 2005年3月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单个高速开关二极管，编造平面技术，并封装在一个
小密封玻璃SOD80C SMD封装。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
小密封玻璃SMD封装
高开关速度：
≤
4纳秒
连续反向电压：
≤
75 V
反向重复峰值电压：
≤
100 V
重复峰值正向电流：
≤
450毫安
1.3应用
s
高速开关
s
反极性保护
1.4快速参考数据
表1：
符号
I
F
I
FRM
V
R
V
F
t
rr
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电流
正向重复峰值
当前
反向电压
正向电压
反向恢复时间
I
F
= 100毫安
[2]
条件
[1]
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
200
450
75
1000
4
单位
mA
mA
V
mV
ns
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安
飞利浦半导体
BAS32L
高速开关二极管
2.管脚信息
表2：
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
k
a
sym006
[1]
标记带指示阴极。
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BAS32L
-
描述
密封玻璃表面贴装封装;
2连接器
VERSION
SOD80C
类型编号
4.标记
表4：
BAS32L
[1]
黑：在菲律宾做
褐色：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
标记带
类型编号
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
P
合计
总功耗
T
AMB
= 25
°C
[1]
[2]
[1]
条件
民
-
-
-
-
最大
100
75
200
450
单位
V
V
mA
mA
-
-
-
-
4
1
0.5
500
A
A
A
mW
9397 750 14605
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高速开关二极管
表5：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
200
+200
+200
单位
°C
°C
°C
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
T
j
= 25
°C
暴涨前
6.热特性
表6：
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
350
300
单位
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
7.特点
表7：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 5毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安;牛逼
j
= 100
°C
I
R
反向电流
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20V;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
FR
[1]
[2]
民
620
-
-
-
-
-
-
-
[1]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
750
1000
930
25
5
50
100
2
4
2.5
单位
mV
mV
mV
nA
A
A
A
pF
ns
V
二极管
电容
反向恢复
时间
正向恢复
电压
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
-
-
[2]
从我开机时，
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安
从我开机时，
F
= 50毫安;吨
r
= 20 ns的
9397 750 14605
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